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具备优越特性的eGaN®FET与集成电路可以实现较低成本、采用单个功率放大器及采用任何标准的接收器的无线充电解决方案
宜普电源转换公司（EPC）多模无线充电演示系统（EPC9121）荣获《今日电子》与21IC中国电子网颁发2016“年度Top10电源产品--技术突破奖”。该奖项表彰于技术或应用方面有重大进步，并且能够引领业界的技术发展趋势。该奖项在2016年9月8日于北京举行的电源技术研讨会上颁发。
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自动驾驶汽车将来需要基于激光感应技术，而这些系统则需要比硅基器件的性能更优越的全新并具备高速开关的晶体管及芯片。
以上是Alex Lidow所声称的技术发展进程。Lidow是史丹福大学的物理学家并拥有物理学博士学位、创业家、宜普电源转换公司（EPC）首席执行官及共同创办人。该公司的总部位于加州的El Segundo市，是一家利用一种全新材料来制造晶体管及芯片的公司，该材料比硅材料具备更快速开关、更高效及成本更低等优势。
《财富》杂志
2016年9月8日
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在本系列的第一、二及第三章中，我们详细讲解了关于EPC增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路(IC)的现场可靠性及它们被认证通过应力测试。在应用中，我们把器件置于预期的工作条件下并施加应力，其测试结果引证了氮化镓器件的现场可靠性。同样重要的是了解 eGaN器件固有的物理特性，它如何在被施加应力后并超出预期工作条件时（例如数据表的参数及安全工作区(SOA)）而失效。本章将进一步深入探讨失效的物理原因 -- 采用晶圆级芯片规模封装（WLCSP）的eGaN器件的热机械可靠性。
Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年9月7日
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宜普电源转换公司（EPC）第八阶段可靠性测试报告表明，氮化镓器件经过超过8百万器件小时的应力测试后，没有失效器件。该报告详细探讨EPC在推出通过认证的产品之前所进行的应力测试，以及分析器件失效的物理原因。
Bodo’s Power Systems
2016年9月1日
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最近まで、D級オーディオに利用できるトランジスタは、パワーMOSFETだけでした。MOSFETのスイッチング特性は、D級アンプの直線性を非常に劣化させます。さらに、全高調波歪みや雑音を低減するために、フィードバック・ループの利得を高くしなければなりません。このフィードバックによって古い音が存在し続けることになり、豊かさと微妙な音色が失われる原因になります。加えて、過大な電力消費は、MOSFETベースのD級アンプのスイッチング周波数を制限します。窒化ガリウムのD級アンプは、直線性が優れているので非常にきれいな波形であり、小さなフィードバックと豊かなサウンドを実現できます。窒化ガリウム・トランジスタは、MOSFETに比べて、はるかに消費電力が小さいのでスイッチング周波数を高くすることができ、より高い分解能、より小型化が実現でき、より安価なフィルタ部品を利用できます。 窒化ガリウム・ベースのD級オーディオ・アンプは、より小型なシステムで、より豊かなサウンドを提供します。
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氮化镓集成电路：提高伺服器的功效 --不论是大、小规模的数据中心都要面对减低功耗、冷却及占用空间等问题，而这些问题也是在伺服器内所面临及需要解决的问题。有的时候，细微的改变也可带来重大的效益。
TechBeacon
2016年8月2日
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宜普电源转换公司（EPC）发布第八阶段可靠性测试报告第八阶段可靠性测试报告。该报告表明，在累计超过800万个器件-小时的应力测试后，没有器件发生失效的情况。该报告详细探讨EPC器件在被确认为合格产品前所经受的各项应力测试，并且分析器件失效的物理原因。
宜普电源转换公司宜普电源转换公司的第八阶段可靠性测试报告证明氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）及集成电路在被确认为合格产品前，经受各种非常严谨并符合JEDEC认证标准的应力测试。
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Ismosys now represents EPC’s European sales, marketing, and technical support to assist customers in adopting eGaN® FETs and ICs for leading-edge power conversion systems using gallium nitride
EL SEGUNDO, Calif.—July 2016 — To support its accelerating growth throughout Europe, Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce the appointment of Ismosys as its sales, marketing, and technical support representative. Ismosys, founded in 1994, provides support to design houses, designers and engineers across Europe. This is achieved through 10 regional offices covering the entire EMEA and a significant centralized resource, fostering sales, driving marketing and enabling technical support.
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宜普电源转换公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow在本PSDcast中与Power Systems Design 的Alix Paultre分享氮化镓技术的发展趋势。目前业界终于从多个制造商出发，开发出氮化镓技术可以实现的各种解决方案，让我们看到实际的design-in项目及基于氮化镓功率器件的产品的出现。
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Power Systems Design
2016年7月21日
在本投影片，EPC公司的Alexander Lidow分享他的公司如何带领业界采用氮化镓（GaN）技术，实现革命性的突破。
由于氮化镓器件比硅器件高效，因此使得数据中心节省大量能源，并且极具潜力可以推动计算机产业超越摩尔定律。
insideHPC
2016年7月20日
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EPC与ASD公司启动增值合作伙伴计划，携手为客户共创美好未来，支持客户利用基于eGaN®技术，从概念开发到产品制造，共同开发出全新的无线充电应用及其它的新兴应用。
总部位于美国洛杉矶市、开发替代MOSFET技术的氮化镓(eGaN)技术的宜普电源转换公司(EPC) 与总部位于香港的创徽科技有限公司(ASD)宣布携手合作，共创新里程，针对客户的目标应用,利用最新的eGaN技术为客户提供最佳的解决方案。
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基于氮化镓材料的场效应晶体管正在颠覆功率转换市场和替代硅基MOSFET。 与MOSFET相比，更快速的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）可以在最细小的体积内实现更高的开关速度。 氮化镓器件的承诺是可以大大缩减电源供应器的体积及重量。为了实现最高的潜在性能， 这些具备高性能的氮化镓晶体管需要最优化的栅极驱动器。
Peregrine Semiconductor
2016年7月12日
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在本系列的第一及第二章，我们详细讲解了关于EPC的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路(IC)的现场可靠性报告。具备优越的现场可靠性的eGaN器件展示出通过基于应力的认证测试可确保客户的应用也可以非常可靠。本章将阐释EPC器件在认证之前被置于及通过的各种应力测试。
Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年7月9日
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人们用硅材料命名了“硅谷”，而硅材料现正面对全新并具有潜力的竞争对手 – 氮化镓（GaN）材料。有说氮化镓器件可以取得300亿美元的半导体电源供应产业的市场份额。这个市场涵盖了所有利用墙上的电源插座取得电源的产品—从Apple（AAPL）的iPhone充电器，以至Tesla（TSLA）的豪华电动汽车。
Investor's Business Daily
Allison Gatlin
2016年7月
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具备优越特性的eGaN® FET与集成电路可以实现的低成本解决方案是在发射端采用单个功率放大器，而在接收端无论是采用什么标准，也可以实现无线充电。
宜普电源转换公司（EPC）宣布推出支持多模式的无线充电演示套件（EPC9121），从而简化对基于eGaN® FET与集成电路的高效、多模式无线充电系统进行评估的过程，该系统支持采用任何标准的接收器。
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Tuesday I was fortunate enough to have a meeting with Alex Lidow, founder of chip company EPC of El Segundo, California, and something of an luminary of the chip world. Lidow came up with the “power MOSFET,” a device that went on to be the basis of billions in semiconductor sales, in 1977.
His new company, whose initials stand for “Efficient Power Conversion,” proposes replacing silicon, the original basis of the MOSFET, and one of the most prevalent types of semiconductor around, with a different material, Gallium Nitride, commonly abbreviated as GaN — or “eGaN,” as Lidow calls the company’s new, improved form of GaN.
Barron's
Tiernan Ray
June 29, 2016
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There have been several comparisons of eGaN FETs with silicon MOSFETs in a variety of applications, including hard-switched, soft-switched, and high-frequency power conversion. These studies have shown that eGaN FETs have large efficiency and power density advantages over silicon MOSFETs. Here we’ll focus on the use of eGaN FETs in synchronous rectifier (SR) applications and the importance of dead-time management. We show that eGaN FETs can dramatically reduce loss due to dead-time in synchronous rectifiers above and beyond the benefits of low RDS(on)and charge.
Power Systems Design
By: Dr. John Glaser & Dr. David Reusch, Efficient Power Conversion
June 13, 2016
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ANDOVER, Mass.—At the front door of Raytheon's Integrated Air Defense Center, there's a reminder of how big microwave electronics used to be—the original microwave oven. The now ever-present kitchen device was invented after a Raytheon engineer discovered his candy bar melted while he was standing near a magnetron used in a radar system the company was developing. Nearly the size of a refrigerator, the original microwave looks like it would cook a whole lot more than whatever was put within its metal grate, which was meant to contain the microwaves from its magnetron.
Ars Technica
June 9, 2016
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The chip giant's execs are leaving the AirFuel Alliance as the company pivots away from PCs, but WiTricity was showing off Dell notebooks using its wireless charging mat at Computex.
ZDNet
Sean Portnoy
June 8, 2016
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