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Intel Ceases Work On Wireless Charging

Intel Ceases Work On Wireless Charging

For the last three years, Intel has been stoking demand for PCs ahead of the next big buying cycle with the promise that new machines will be totally wireless. “We carry around a lot of wires,” Kirk Skaugen, Intel’s senior PC exec said at Computex Taipei 2015. “We carry about six cables each for our phones, our tablets and our PCs. We want to get rid of all those cables.”

Forbes
Elise Ackerman
June 6, 2016
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Improving Thermal Performance with Chip-Scale Packaged Gallium Nitride Transistors

Improving Thermal Performance with Chip-Scale Packaged Gallium Nitride Transistors

With power converters demanding higher power density, transistors must be accommodated in an ever decreasing board space. Beyond gallium nitride based power transistors’ ability to improve electrical efficiency, they must also be more thermally efficient. This article evaluates the thermal performance of chip-scale packaged eGaN® FETs and compares their in-circuit electrical and thermal performance with state-of-the-art silicon MOSFETs.

Bodo’s Power Systems
David Reusch, Ph.D. and Alex Lidow, Ph.D.
June 1, 2016
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Intersil采用氮化镓功率转换集成电路,进一步扩大其业界领先、面向卫星应用的耐辐射产品系列

Intersil采用氮化镓功率转换集成电路,进一步扩大其业界领先、面向卫星应用的耐辐射产品系列

美国加州MILPITAS - 2016年5月 25日美通社专讯 --占领电源管理和精确模拟解决方案的市场领导地位的Intersil Corporation (纳斯达克指数NASDAQ代号: ISIL) 宣布计划进一步扩大其业界领先、面向卫星应用的耐辐射产品系列,在卫星及其它恶劣环境采用具备高可靠性的氮化镓(GaN)功率转换集成电路。

美通社
2016年5月25日
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5 Industries That Are Actually Ripe for Disruption

5 Industries That Are Actually Ripe for Disruption

The number one barrier to improving every electronic product – from smart wearables and laptops to handheld tools and electric cars – is battery technology. The current state-of-the-art in rechargeable batteries, Lithium Ion, has been around for 25 years. As tech goes, that’s pretty old. It’s time for something new, don’t you think?

Fortune
Steve Tobak
May 13, 2016
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eGaN技术的可靠性及元件失效的物理原因–确证eGaN FET的现场可靠性

eGaN技术的可靠性及元件失效的物理原因–确证eGaN FET的现场可靠性

宜普电源转换公司(EPC)的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)及集成电路正在驱动最终用户应用的发展,包括LiDAR、无线充电、DC/DC电源转换、射频发射基站、卫星系统及音频放大器等应用。

从现场可靠性数据可以确证eGaN® FET及集成电路于客户应用的品质。在本章节,我们分享eGaN FET的可靠性及现场数据的概述,包括在过去六年间我们对量产及已经付运的eGaN产品所收集的可靠性现场数据,以及分析超过170亿小时受测器件的现场数据。最后所得的FIT比率(109小时内发生失效的器件)大约是0.24,这是目前最好的现场可靠性测试结果。

Plant Analog
作者:Chris Jakubiec
2016年5月1 日
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EPC推出全新网上氮化镓产品选型指南,可简化高性能功率转换系统的产品选型

EPC推出全新网上氮化镓产品选型指南,可简化高性能功率转换系统的产品选型

采用先进氮化镓晶体管及集成电路(IC)的功率系统设计工程师现在可以利用互动式、网上参数选型工具,替他们的功率转换系统找出基于氮化镓器件的最优解决方案。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出网上氮化镓(GaN)产品选型及搜索工具。该互动式选型指南为功率系统设计工程师提供以下的优势:

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面向数据中心的新一代电源供电方案可提高效率

面向数据中心的新一代电源供电方案可提高效率

通信的数学基础始于信息论的创始人Claude Shannon于1948的著作《通信的数学理论》。他把信息通信简化为1及0数字,实质上是二进制数字。该理论可以于现实世界中有噪声的环境下,准确无误地传输数据。Shannon在2016年4月30日本来是他的百年诞辰。

EDN Network
Steve Taranovich
2016年4月16日
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Freebird Semiconductor Partners with EPC for Development of Radiation Hardened Gallium Nitride Power Conversion Systems for Satellite and Harsh Environment Applications

Freebird Semiconductor Partners with EPC for Development of Radiation Hardened Gallium Nitride Power Conversion Systems for Satellite and Harsh Environment Applications

Freebird Semiconductor and Efficient Power Conversion (EPC) have entered into an agreement whereby Freebird will develop products for use in high reliability space and harsh environment applications based upon eGaN® power transistors and integrated circuits.

NORTH ANDOVER, MA. — April 2016 — Freebird Semiconductor Corporation, North Andover, Massachusetts announces the signing of an agreement with Efficient Power Conversion Corporation (EPC), the leading provider of enhancement-mode gallium nitride power transistors to develop products for use in high reliability, space, and harsh environment applications based upon EPC’s eGaN® technology.

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WiGaN: Low Cost Differential-Mode Wireless Power Class-E Amplifier Using eGaN FETs

WiGaN: Low Cost Differential-Mode Wireless Power Class-E Amplifier Using eGaN FETs

In this installment of WiGaN, a differential-mode class-E amplifier for 6.78 MHz loosely coupled resonant wireless power applications is presented. It uses the EPC2037 eGaN® FET which has a small (0.9 mm x 0.9 mm) footprint and can be driven directly with a logic gate. The amplifier is AirFuel™ Class 2 compatible, capable of delivery up to 6.5 W load power over an impedance range of 70j Ω.

EEWeb - Wireless & RF Magazine
Yuanzhe Zhang, Ph.D., Director of Applications Engineering
Michael de Rooij, Ph.D., Vice President of Applications Engineering
April 12, 2016
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What GaN circuits can do for wireless charging

What GaN circuits can do for wireless charging

In this short video, EPC's Alex Lidow explains why GaN FETs may make it possible to wirelessly charge a variety of vehicles, including flying drones. Wireless charging circuits employing GaN FETs work at 13.56 MHz, a switching frequency difficult to reach with ordinary silicon FETs. The GaN transistors used are also five to ten times smaller than silicon devices able to handle the same power levels.

Design World
April 11, 2016
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Why GaN circuits make better Lidar

Why GaN circuits make better Lidar

In this short video, EPC's Alex Lidow explains why GaN FETs can comprise circuits able to deliver Lidar resolutions down to a couple inches. Conventional silicon FETs performing the same tasks would be able to resolve images only down to a few feet. The secret is in the super-fast rise and fall times made possible by the GaN FETs.

Design World
April 11, 2016
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为何氮化镓器件比硅基器件"优胜6000倍"?

为何氮化镓器件比硅基器件"优胜6000倍"?

宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow说硅材料是半导体的主要材料,它一直以来是电子行业背后的推动力。可是,它的性能已经到了极限。位于美国洛杉矶的宜普公司正在探究以具备更高的性能的氮化镓(GaN)器件颠覆市场并且取得硅基器件价值4000亿美元(2770亿英镑)的市场份额。Alex说:「这是业界首款比硅基器件的成本更低并且具备更高的性能的半导体。」

Wired Magazine
Emma Bryce
2016年3月31日
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Highlights from APEC 2016 – GaN, 48V POL, wireless charging and more!

Highlights from APEC 2016 – GaN, 48V POL, wireless charging and more!

Emerging applications such as 48V-to-point-of-load (POL), wireless power and USB Type-C had a lot of interest. Google joined the Open Compute Project a few weeks ago and proposed a computer server-rack architecture based on a 48V power-distribution bus to improve overall system efficiency. While the 48V bus has been around for a long time, the push (and challenge) is for high-efficiency 48V-to-POL voltage regulators. EPC showcased TI’s 48V-to-1V EVM which uses the LMG5200 GaN module (driver and FETs), announced at APEC last year, and a new TI analog controller (TPS53632G).

TI E2E Community
Pradeep Shenoy
Mar 28, 2016
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2016年APEC研讨会:在功率研讨会上,工程师分享他们的真知灼见

2016年APEC研讨会:在功率研讨会上,工程师分享他们的真知灼见

您可能阅读过ECN杂志编辑(及新闻总监)所写的关于幕后故事的推文,以及一张照片可比千言万语表达得更好。可是,有的时候,听听工程師分享他們的感想及真知灼見可以是更有价值的体验。

我就是这么想,在加州Long Beach举行的APEC会议上,与多位工程师及与会者见面以找出本届APEC的内幕消息。我们比较了APEC与去年研讨会的盛况、目前业界的主要发展方向及各公司对APEC研讨会的评价。

ECNMag.com
作者:Kasey Panetta
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从2016年APEC研讨会可以看到GaN的发展进程、更多关于电磁器件的讨论内容及一个极具启发性的全体会议

从2016年APEC研讨会可以看到GaN的发展进程、更多关于电磁器件的讨论内容及一个极具启发性的全体会议

从本年的APEC研讨会的各个讨论题目显然可以看到,氮化镓功率技术的相关知识备受关注的程度,是前所未有的。采用氮化镓技术的产品路演、全新产品及技术发布、全体会议对氮化镓技术的关注及其他讨论题目都让与会者感到氮化镓功率器件已经来临,而氮化镓技术正在进驻市场。而且讨论重点也稍微改变,从讨论氮化镓器件可以做什么,改为讨论需要其他什么资源及支持,才可以实现基于氮化镓功率晶体管的全新产品开发方案。

How2Power Today
David Morrison
2016年4月1日
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基于EPC的eGaN FET、采用高频同步自举拓扑结构及工作频率可高达15 MHz的半桥式开发板

基于EPC的eGaN FET、采用高频同步自举拓扑结构及工作频率可高达15 MHz的半桥式开发板

EPC公司的全新开发板可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器,展示出基于eGaN FET、采用同步自举电路的栅极驱动器在高频工作时可以减少损耗。

宜普电源转换公司(EPC)推出EPC9066EPC9067EPC9068开发板,可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器。这些开发板专为功率系统设计师而设,对氮化镓晶体管的优越性能进行评估方面提供了简易方法,使得设计师的产品可以快速量产。三块开发板都配备了具有零QRR、同步自举整流器的栅极驱动器,从而在高达15 MHz的高频工作条件下可以提高效率。该些开发板在降压转换器及D类放大器配置的最大输出电流为2.7 A。在整个电流范围都可以降低损耗。

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随着「氮化镓沙滩」的来临,硅谷要当心了

随着「氮化镓沙滩」的来临,硅谷要当心了

Alex Lidow是一个有使命感的人。他在美国加州成立的宜普电源转换公司(EPC)在全新应用中使用氮化镓(GaN)晶片而摒弃硅基技术。这些应用包括无线电源充电、4G LTE、扩增实景(AR)及全自动驾驶车辆等令人感到兴奋的应用领域。

可是,这种热门新技术最后能否替代被普遍采用的硅基晶片及占据其高达3000亿美元的半导体市场份额吗?

Fox Business
作者:Steve Tobak
2016年3月18日
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