宜普电源转换公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow表示，GaN的成本竞争力亦与Si MOSFET并驾齐驱，潜在爆发力更有过之而无不及，目前最关键就是得重塑诸多研究者的老旧观念，认为GaN昂贵到碰不得。GaN的技术正迎来转捩点，在先进运算、车用电子、太空电子及消费电子等新型应用设计多数采GaN技术，而非Si MOSFET……

DIGITIMES Asia
2023年9月
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宜普电源转换公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow接受DIGITIMES专访，提到GaN主要会被应用在650V及以下市场。反之碳化硅则是主导650V以上的市场，它可望取代硅基绝缘栅极双极性晶体管。宜普也在开发对速度及尺寸特性极为要求的400V以下市场。且致力于制造比Si功率元件拥有更高性能、更具成本竞争力的GaN元件。

DIGITIMES Asia
2023年9月
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将GaN带入最后的边疆，EPC Space推出了两款新的辐射加固GaN晶体管，用于空间应用中的高电流开关。随着商业卫星数量的不断增加，设计人员需要更多选项来满足具有改进电流处理能力的空间电力电子设备的需求。

《All About Circuits》
2023年9月
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在功率转换、电机驱动和激光雷达等应用中，15 V至350 V范围内的氮化镓（GaN）异质结场效应功率晶体管显示出比硅具有显著优势的，无论是在效率、尺寸、速度和成本方面。这些优势源于关键电场的数量级比硅高出一个数量级，具体而言，尤其是高三倍的带隙方面有3倍的优势，和高1.3倍的电子迁移率方面有1.3倍的优势。

Bodo’s Power Systems
2023年9月
读过的文章

随着处理能力的增强和更复杂的负载被放置在轨道上或深空任务中，有时需要并联两个或多个电源开关。然而，传统的电源设备封装，如FSMD-A/B/C/D及其I/O垫片设置，使得在性能敏感的情况下实现这些设备的并联变得困难。当并联时，这些封装上的栅极和源感垫片要么阻挡了从封装到封装的漏极和源极连接的最有效/最短互连，要么阻挡了栅极和源感垫片的连接。因此，在并联配置中，总是在优化漏极-源极负载电路性能和栅极-源感驱动环路性能之间做出妥协。本文介绍了FSMD-G离散HEMT封装，并解释了其I/O垫片的重新配置如何在并联GaN HEMT时克服这些限制。

How2Power
2023年9月
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EPC9159是一款1 kW、48 V/12 V的LLC转换器，占板面积仅为17.5 mm x 22.8 mm，可实现5130 W/in³最先进的功率密度。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9159参考设计。这是一款48 V/12 V的LLC转换器，专为高功率密度48 V服务器电源和DC/DC转换器而设计。该参考设计可在17.5 mm x 22.8 mm的微小封装内提供高达1 kW的功率，其功率密度为5130 W/in³。这是在初级侧和次级侧电路中采用于高开关频率工作的氮化镓(GaN)功率器件才可以实现的。

EPC Space 推出了用于太空电源转换器和其他恶劣环境的抗辐射氮化镓设备。

电子周刊
2023年8月
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氮化镓（GaN）器件提供了众多优势，非常适合空间工业的需求，解决了与可靠性、辐射生存能力和空间遗产相关的挑战。

电力电子新闻
2023年8月
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微型逆变器和功率优化器在现代太阳能电池板中被广泛使用，以最大限度地提高能源效率和转换。这些拓扑结构和实施通常需要至少25年的使用寿命，这已成为市场采用的一个关键挑战。低电压氮化镓 (GaN) 功率器件（VDS 额定值 < 200 V）是一个有前景的解决方案，越来越多的太阳能制造商正在广泛使用它们。

在本文中，采用了一种测试到失败的方法，并将其应用于研究 GaN 晶体管的内在磨损机制。该研究使得基于物理的寿命模型得以开发，这些模型可以准确地预测在太阳能应用的各种任务配置下的寿命。

How2Power
2023年8月
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As the revolution of renewable energy as well as transportation electrification progresses, the need for residential energy storage systems is increasing. A high efficiency DC-to-DC converter is usually required to exchange energy generated from renewable sources, such as solar panels, with a battery. The fast-switching speed and low R_DS(on) of gallium nitride (GaN) FETs can help save energy by reducing power consumption inside the DC-to-DC converter. This article shows how to design a high efficiency 100 – 250 V to 40 - 60 V DC-to-DC converter.

Power Electronics Europe
May, 2023
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汽车电子在过去30年内经历了几个时代的演变。 从主要采用机械或发动机驱动系统的纯内燃机 (ICE)，到添加电力动力的轻度混合动力 (MHEV)，再到全电池电动汽车 (BEV)应用。 在这三个时代中，用于转换和分配电力的架构甚至基本半导体元件都发生了重大的变化。 本文讨论了这个进化过程和对将来进化的方向做出了一些推测。

Power Systems Design
2023年8月
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在本文中，瑞萨电子解释了在ISLVERSALDEMO2Z参考设计中使用基于GaN的离散电源为核心的电源管理在空间航空电子系统中带来的若干优势。

电力电子新闻
2023年7月
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低压 GaN FET 可实现更小、冷却要求最小化和效率更高的解决方案

与采用传统的硅基功率 MOSFET的应用相比，低压 GaN FET（即 100 V）可实现更小，冷却要求最小化和效率更高的解决方案。 本文讨论了氮化镓器件如何应对动态性能需要重复且可靠的表征的挑战。 定制氮化镓夹具和测试板的机械和电气设计仔细、周全，就可以克服其中许多挑战，使您能够在设计功率转换器时，自信地使用这些新型宽能隙器件。

Power Electronics News
2023年7月
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高效电力转换公司（EPC）扩展了其用于电力转换解决方案的抗辐射氮化镓（GaN）产品系列，推出了两款新的40V器件，额定电流分别为62A和250A，以应对关键的太空和其他高可靠性应用。

加利福尼亚州埃尔塞贡多 — 2023年7月 — EPC宣布推出两款新型40V额定抗辐射GaN FET。EPC7001是一款40V，4mΩ，250A_脉冲，抗辐射GaN FET，封装尺寸仅为7mm²。EPC7002是一款40V，14.5mΩ，62A_脉冲，抗辐射GaN FET，封装尺寸仅为1.87mm²。两款器件的总剂量辐射等级均超过1,000K Rad(Si)，并具有在V_DS达到额定击穿电压100%的情况下对83.7 MeV/mg/cm²的LET的单粒子效应（SEE）免疫。这些新器件以及其余的抗辐射系列产品，均以芯片级封装形式提供。封装版本可从EPC Space获得。

瞬态电压过冲是氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMTs）在高斜率开关条件下的常见现象。在这种压力下的动态参数不稳定性是氮化镓应用的关键问题。这项工作首次准确表征了在重复电压过冲高达数十亿次开关周期下氮化镓HEMTs动态导通电阻（R_DS(on)）的演变。发现动态R_DS(on)的增加是过压开关下主要的器件退化原因。这些发现是通过高频、重复、未钳位电感开关（UIS）测试，结合主动温度控制和准确的原位R_DS(on)监测获得的。提出了一个基于物理的模型，将动态R_DS(on)漂移与峰值过压相关联，并与实验数据达成了良好的一致性。该模型进一步用于预测氮化镓HEMTs的寿命。对于在100 kHz和120 V尖峰下切换的100 V额定氮化镓HEMTs，模型预测在连续运行25年内动态R_DS(on)漂移不到10%。这项工作解决了氮化镓HEMTs过压开关可靠性的主要问题，并提供了电子俘获机制的新见解。

IEEE Xplore
张瑞哲，Ricardo Garcia，Robert Strittmatter，张宇浩，张盛科
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2023年7月3日中国商务部宣布8月起对镓、锗相关物项的出口实施管制。宜普电源转换公司的晶圆技术是硅基氮化镓，尽管每个器件中有其微量镓含量，相对全球镓来源广泛，宜普的需求相对较小。我们预计不会出现短期或长期的供应中断。

事实证明，15 V ~ 350 V 氮化镓异质结场效应功率晶体管在功率转换、电机驱动和激光雷达等应用中，无论是在效率、尺寸、速度和成本方面都比硅器件更具优势 。氮化镓集成电路为许多高频应用提供了多方面的系统级优势。 氮化镓集成电路才刚刚发展，其优势肯定会随着其技术发展而不断增强。

Bodo’s Power Systems
2023年6月
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宜普电源转换公司(EPC)是增强型氮化镓 (GaN) FET 和 IC产品的领导者，在纽伦堡举行的 PCIM Europe 2023展会上分享了关于氮化镓技术的发展和其应用的演示。 我们与该公司的联合创始人兼首席执行官 Alex Lidow 就电力电子行业和氮化镓技术对行业的影响进行了深度交流。

Electronic Design
2023年5月
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在本期《Spirit: 幕后揭秘》节目中，Spirit Electronics 的 CEO Marti McCurdy 与 EPC 的 CEO Alex Lidow 和市场总监 Renee Yawger 聊天，讨论了氮化镓（GaN）的进展。他们讨论了 GaN 在高辐射下的性能，以及 EPC 的第 15 阶段可靠性报告中详细介绍的大量测试、失效模式和器件寿命。随着 GaN 的全部潜力尚待发掘，并且 EPC 新产品频繁发布，包括新的半桥驱动器、低侧驱动器和完整的功率阶段，GaN 在新空间和商业空间应用中尤为有用。

Spirit: 幕后揭秘
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案例聚焦新一代替代硅技术

(加利福尼亚州，埃尔塞贡多）--氮化镓（GaN）技术的全球领导者宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC）于今日向美国联邦法院和美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）提起诉讼，主张其基础专利组合中的四项专利受到英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司（统称英诺赛科）侵犯。 这些专利涵盖了宜普公司独家的增强型氮化镓功率半导体器件的设计和制造工艺的核心环节。这些专利是创新技术，已成功将基于氮化镓的功率器件从一个研究项目，发展成为一个可大批量生产的替代硅产品。使用氮化镓器件的晶体管和集成电路，较使用硅基器件而言更高效，更小型，成本更低。