GaN 的下一步发展方向是什么 技术分享GaN技术杂谈 – Maurizio Di Paolo Emilio 6月 15, 2026 At PCIM，Alex Lidow 重点介绍了 GaN 技术的最新发展，强调其在导通电阻、电容和电压性能方面取得的重大提升。他指出，第七代 GaN 的导电性正接近铜，同时在各个电压等级上持续超越硅 MOSFET。Lidow 还展示了 EPC2370，该器件具有超低导通电阻和显著降低的电容。展望未来，EPC’s 第八代 GaN 将瞄准低电压、高频率和高功率密度应用，以及用于机器人和无人机的单片电机驱动 IC，并计划在 2027 年和 2028 年集成保护功能和电流检测功能。 观看视频 Tags: GaN Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC