GaN技术杂谈

At PCIM，Alex Lidow 重点介绍了 GaN 技术的最新发展，强调其在导通电阻、电容和电压性能方面取得的重大提升。他指出，第七代 GaN 的导电性正接近铜，同时在各个电压等级上持续超越硅 MOSFET。Lidow 还展示了 EPC2370，该器件具有超低导通电阻和显著降低的电容。展望未来，EPC’s 第八代 GaN 将瞄准低电压、高频率和高功率密度应用，以及用于机器人和无人机的单片电机驱动 IC，并计划在 2027 年和 2028 年集成保护功能和电流检测功能。 观看视频

当宽禁带半导体进入市场时，其应用领域划分相当明确。SiC 在600V以上电压范围挑战硅，而 GaN 则在约100V至600V的应用中与硅竞争。

Power Systems Design
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一种具有30 V至140 V宽输入范围的电机驱动逆变器参考设计适用于80 V、110 V及以上电池系统。应用示例包括工业自动化系统、农业机械以及物料搬运设备（如叉车）。本文将讨论这些系统的现成参考设计的设计，重点是开发的 PCB 布局以优化所使用的 GaN FET 的性能。

随着全球对光伏（PV）系统需求的增长，制造商面临在不牺牲可靠性的情况下降低成本的巨大压力。创新技术对于实现这些目标至关重要，特别是对于商业和住宅光伏系统。这些系统通常分为两种主要配置：微型逆变器和串式逆变器。

了解在选择氮化镓（GaN）栅极驱动器时应考虑的关键因素，在这里为您的电力电子产品设计做出最佳选择。

为您的医疗技术应用选择氮化镓产品时，请考虑性能要求、尺寸和重量限制、产品和供应商的可靠性，以及成本等因素。我们会针对这些因素为您提供最新一代的氮化镓器件的最佳组合 - 您只需在网上“产品选择指南”的最新一代器件、在状态栏中剔出“首选”。还有多种设计工具可为您的应用选择正确的氮化镓产品，包括降压计算器、热计算器和交叉参考工具，它们都可以在Power Bench工具套件中找到。

将新的设计方法应用于受欢迎的家用电器，允许所有用户在日常活动中为减少能源消耗做出贡献。EPC刚刚发布了一款新的演示板，EPC9176，这是一款三相BLDC电机驱动逆变器，旨在提高真空吸尘器电机的效率和性能。

氮化镓(GaN)器件是一种非常坚硬和在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料，用于生产功率器件、射频元件和发光二极管 (LED)。其开关频率远高于硅器件，使电力电子设计人员能够利用氮化镓器件创建更小、更高效、性能更高的系统，这是以前采用硅技术难以实现。

GaN 是电机驱动应用的游戏规则改变者。对于设计师来说，利用这项技术，快速且可靠的上市时间至关重要。使用最先进的电子技术和方法的易用参考设计，提供了加速上市时间的宝贵工具。EPC9173 工具允许 电动自行车 和无人机设计师提高电机系统的尺寸、性能、范围、精度和扭矩，同时简化设计以加快上市时间。

氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？