GaN技术杂谈

氮化镓(GaN)器件是一种非常坚硬和在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料，用于生产功率器件、射频元件和发光二极管 (LED)。其开关频率远高于硅器件，使电力电子设计人员能够利用氮化镓器件创建更小、更高效、性能更高的系统，这是以前采用硅技术难以实现。

脉冲激光雷达系统通常使用 905 nm 或 1550 nm 激光进行光发射。1400 nm 以上时，眼睛的各种元素会吸收光线，阻止其到达并损害视网膜。随着激光功率的增加，并非所有光线都被吸收，在某些情况下可能会发生视网膜损伤。由于 905 nm 的光不会被吸收，因此它会到达视网膜，因此必须小心限制能量密度以防止损伤。

由Steve Colino共同撰写

封装的SEE免疫和抗辐射增强模式氮化镓（eGaN）器件在性能上显著优于老化的抗辐射硅MOSFET，能够在更高频率、更高效率和更高功率密度下工作，从而实现新一代的太空电源转换器。

硅已经存在很久了。是时候让一个更年轻且更适合的挑战者接管半导体材料的主导地位了。

计算和电信市场的快速扩展要求中间总线转换器提供更加紧凑、高效和高功率密度的解决方案。LLC谐振转换器是提供高功率密度和高效解决方案的出色候选者。eGaN® FETs凭借其超低的导通电阻和寄生电容，有助于LLC谐振转换器显著降低损耗，而这是使用硅MOSFET时很难实现的。采用EPC2053和EPC2024等eGaN FETs的48 V到12 V，900 W，1 MHz LLC DC到DC变压器（DCX）转换器被证明实现了98.4%的峰值效率和超过1500 W/in3的功率密度。

世界改变性创新，例如1970年发布的首台录像机（VCR）到全球首台可无线充电的笔记本电脑，都是在CES这个全球创新聚集地宣布的。

这篇文章由Planet Analog总编辑Steve Taranovich撰写，最初于2018年8月10日发表在Planet Analog网站上。了解更多关于eGaN技术和EPC GaN解决方案在LiDAR中的应用。

本文最初于 2018 年 5 月 16 日星期三发布在化合物半导体网站上。了解更多有关 eGaN 技术和 EPC 氮化镓解决方案在汽车应用中的应用。

本文最初发布于2018年5月在Bodo's Power Systems网站。了解更多关于eGaN技术和EPC GaN解决方案的汽车应用。