直到80年代中期，功率MOSFET的生产规模才大到足以使其成本与双极晶体管持平。当时IRF对双极晶体管发起了正面攻击。
目标对手是摩托罗拉，因为它拥有最大的双极晶体管市场份额。作为对MOSFET攻击的反应，摩托罗拉最初部署资源恐吓潜在的MOSFET用户。这些恐吓战术包括传闻的可靠性问题、高价格和不可靠的供应链。
尽管有这些攻击，功率MOSFET仍然在传统应用中获得了接受，这些应用中双极晶体管曾经占据主导地位。认识到这项新技术的优越性，摩托罗拉推出了自己的功率MOSFET，并承诺在两种技术之间保持中立——“我们两者都做，所以买我们的”是他们的战斗口号。问题是，他们并没有制造出最好的功率MOSFET，最终在这两种半导体材料之间的战争中失败了。
讽刺的是，今天功率MOSFET是“山中之王”，而GaN-on-Si功率器件则是挑战者。这些基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功主要来自于GaN相对于硅的速度优势。GaN-on-Si晶体管的开关速度比MOSFET快约10倍，比IGBT快100倍。
如4G/LTE基站的射频包络跟踪和激光雷达（lidar）系统用于自动驾驶汽车、机器人、无人机和安全系统的应用是最早充分利用GaN高速开关能力的批量应用。从这些早期应用开始，生产量不断增长，现在GaN功率器件的价格已经相当于较慢、更大且老化的功率MOSFET组件（见图1）。
因此，现在是GaN的正面攻击的时候了！
图1：2019年4月分销商价格调查结果，100 V额定eGaN FET与同等额定功率MOSFET的比较。红色椭圆内是eGaN FET的价格。
GaN首次对硅MOSFET的直接竞争攻击发生在2018年末，争夺48 V DC-DC电源。由于GaN在开关性能和尺寸缩减方面的显著改进，电源设计师意识到GaN FET可以制造更高功率密度和更高效的48 V电源。这些电源在云计算、人工智能、机器学习和游戏应用等高密度计算应用中是必要的。通过简单的拓扑结构，如图2所示的使用LLC拓扑的900 W DC-DC转换器，可以实现创纪录的功率密度和效率。其功率密度约为1700 W/in3（104 W/cm3），整体效率超过98%。
图2：这款900 W DC-DC转换器在名义48 V初级侧使用EPC2053 eGaN FET，在名义12 V输出次级侧使用EPC2024 eGaN FET，效率超过98%。
然后汽车行业开始走类似的道路，为GaN功率器件开辟了另一个非常大的机会。
鉴于车辆内电子驱动功能的日益增长需求，如电动转向、电动空调、电动悬架和现代汽车和卡车内的多个USB-C充电端口，传统的14 V电力分配总线的尺寸和重量以惊人的速度增长。如今，一辆轻度混合动力车需要2到8千瓦的电力。14 V、8 kW分配系统需要导电570 A的电线。在48 V时，这个数字减少到170 A，从而节省了对重型和难以管理的线束的需求。
认识到转向48 V系统的价值，一级汽车电子制造商正在生产或计划生产48 V至14 V双向DC-DC电源，以适应这种新的电气架构，同时保持与传统14 V系统的兼容性。今天最简单、最低成本和最高效的解决方案是基于GaN FET的降压/升压转换器，如图3所示。
图3：一款97%效率的6 kW 48 V至14 V双向汽车级DC-DC降压/升压转换器，使用16个EPC的100 V eGaN FET。
对功率MOSFET的正面攻击已经开始了！
今天的GaN FET在尺寸和性能上正在快速提升。此外，目前的基准器件距离其理论性能极限还有300倍的差距。EPC已经出货GaN晶体管十年，现场经验超过1000亿小时，故障率低于成熟的功率MOSFET。
更小、更快、更可靠且价格相当……在这一点上，几乎没有理由不使用GaN FET和IC！传统的MOSFET制造商，认识到他们的产品接近性能极限，而一种可行的竞争解决方案正在获得牵引力，已经在传播模糊的警告——恐吓战术——关于可靠性问题和不可靠的供应链。他们引用过时的GaN定价和性能比较。已经从硅制造商那里重新出现了“我们可以做MOSFET或GaN，我们保持中立”的防御立场。
正如马克·吐温一个世纪前所说的，“历史不会重复，但往往押韵。”