博客 -- 氮化镓技术如何击败硅技术

GaN技术杂谈

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4月 13, 2026

48V 直流变换器,正在成为 GaN 进入汽车主流的试金石

Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC

摘要:在这篇文章中,我们将讨论氮化镓在不同场景中的落地路径。氮化镓不是简单替代原有器件,而是在工程师遇到系统瓶颈时,打开重新设计的空间。以汽车系统应用为例,48 V 直流,可将系统燃油效率提高多达15%,为整车系统所看中的可靠性、装配兼容性和总成本控制带来益处。

4月 08, 2026

让48V成为通用电源主干——从AI数据中心到人形机器人

Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC

高性能 AI 集群和人形机器人面临着一个共同的关键工程挑战——即需要在紧凑且受热限制的外壳内提供巨大电流。在传统低电压下, 电源 分配已触及物理极限,过高的 I2R 损耗和连接器体积会带来不可持续的热应力。为了解决这一问题,业界架构正逐步趋同于采用 48V 标称 电源 分配主干(峰值为 58V)。

3月 31, 2026

分享您的 GaN 设计经验

Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC

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3月 20, 2026

GaN 基础知识:混合结构、HEMT 和衬底选择

Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC

关于氮化镓(GaN)基础知识的本系列文章第 1 部分 介绍了晶体结构和二维电子气(2DEG)的形成,以及材料品质因数和从耗尽型到增强型 GaN HEMT 的转变。

3月 17, 2026

GaN 如何“杀死”MOSFET

Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC

作者:MDPE

3月 07, 2026

NVIDIA 的 800 V 数据中心愿景与 GaN 创新如何重塑高密度电源供应

Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC

AI 的快速兴起以及支持其持续发展的数据中心的广泛部署,正在从根本上改变数据中心的设计方式——不仅体现在计算密度和冷却需求方面,也体现在电力传输方式上。过去功耗为数十千瓦的机架,如今正接近数百千瓦,兆瓦级 AI 计算集群已不再是遥远的目标。在此背景下,基于 415/480 VAC 配电和低压 DC 总线的传统电源架构,在扩展时正变得日益低效、笨重且成本高昂。

2月 25, 2026

GaN 驱动人形机器人

Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC

人形机器人旨在模拟人类运动,目前在各种应用领域中呈现出强劲的市场增长。电机控制是机器人设计中的关键环节。本文概述了基础电源架构以及作为核心组件的电力电子系统所需满足的要求,并介绍了高效功率转换公司(EPC)提供的相关解决方案示例。

Power Electronics News
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2月 24, 2026

GaN 革命的核心

Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC

当宽禁带半导体进入市场时,其应用领域划分相当明确。SiC 在600V以上电压范围挑战硅,而 GaN 则在约100V至600V的应用中与硅竞争。

Power Systems Design
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2月 24, 2026

EPC 与瑞萨:扩大低压 GaN 规模的战略联盟

Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC

Efficient Power Conversion(EPC)首席执行官兼联合创始人 Alex Lidow 在最近的一次采访中,与 Power Systems Design 编辑 Ally Winning 讨论了 EPC 与瑞萨(Renesas)的战略协议。此次采访探讨了达成该协议的原因、拥有第二供应来源的重要性,以及某些 eGaN 器件如何帮助在低压 GaN 市场中确立事实标准。

2月 19, 2026

评估氮化镓(GaN)作为硅 MOSFET 低电压替代方案

Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC

近年来,氮化镓(GaN)功率器件的进步显著拓展了其在40 V以下低电压应用中的工作范围。由于硅MOSFET具有良好的导通性能、成熟的制造工艺以及经过验证的可靠性,历史上一直主导这一电压区间。

PCIM Mesago
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