氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）推动最先进高效电源转换的发展。最新的性能基准是这些场效应晶体管采用了芯片级的栅格阵列及球栅阵列封装。这些封装减小占板面积，杂散电感及寄生阻抗。以下的设计资源展示如何在PCB板上，正确地安装这些器件。
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宜普公司的eGaN FET可以帮助电子设计工程师,使用任何电源转换拓扑(包括全桥、半桥、降压转换器、升压转换器、功率因素校正、反激式转换器、正激式转换器和LLC转换器)实现比硅功率MOSFET显著更强的性能。