EPC2379: 18 V, 101 A, 0.33 mΩ GaN Power Transistor

VDS, 18 V
典型 RDS(on), 0.33 mΩ
ID, 101 A
脉冲 ID, 783 A

EPC2379 增强型 GaN 功率晶体管
封装尺寸：3.3 mm x 3.3 mm

应用

  • 高速 DC-DC 转换
  • 同步整流
  • 服务器
  • 人工智能

优势

  • 超低 QG
  • 超低导通电阻 RDS(on)
  • 逻辑电平
  • 重量轻
  • 带背面散热焊盘的 PQFN 封装
状态：工程状态
工程器件在购买时带有 ENG* 后缀，属于工程状态；在未联系您当地的现场应用工程师以获取最新状态之前，不应将其用于可靠性应力测试或其他认证测试。
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