eGaN® 器件自 2010 年 3 月以来已实现量产，并在实验室测试和大规模客户应用中展现了极高的可靠性。
eGaN 设备具有卓越的现场可靠性记录。
EPC 进行了广泛的可靠性测试，以深入了解氮化镓 (GaN) 设备在各种压力条件下的行为。
这些可靠性研究的结果表明，GaN 是一种极其坚固的技术，并且仍在快速改进。
EPC 致力于将 GaN 设备纳入严格的可靠性标准，并与电源转换行业分享测试结果。我们将持续向这一知识库添加新的文档。
扩展 GaN 寿命模型，添加栅极/漏极过电压数据、脉冲电流额定值，以及针对太阳能、DC-DC 和 LiDAR 应用的任务特定可靠性。
下载第 17 期可靠性报告
记录了基于测试至失效方法的研究进展，并新增针对太阳能优化器、LiDAR 传感器和 DC-DC 转换器的可靠性指标和预测。
下载第 15 阶段可靠性报告
继续评估eGaN FET的可靠性，重点关注其在不同应力条件下的稳健性，并基于加速测试更新失效率预测。重点分析GaN器件的现场可靠性经验。
下载第8阶段可靠性报告
展示eGaN FET在各种应力条件下的鉴定测试，包括高温反向偏置和高温栅极偏置，并基于超出正常工作条件的器件操作，使用加速因子进行失效率预测。
下载第6阶段可靠性报告
在初步发现的基础上，进一步提供关于 eGaN 设备在各种电气和环境压力条件下（包括 HTRB、HTGB、TC、THB、运行寿命、HBM 和 MM ESD 测试）的稳健性数据。
下载第二阶段可靠性报告
介绍了 EPC 对增强型 GaN 晶体管的初步可靠性测试，并通过广泛的应力测试证明其在商业应用中的适用性。
下载第一阶段可靠性报告