eGaN FET Reliability

GaN器件可靠性

eGaN® 器件自2010年3月开始批量生产,在实验室测试和大批量客户应用中都表现出了非常高的可靠性。eGaN器件具有显著的现场可靠性记录。

EPC进行了广泛的可靠性测试,从而可以继续了解氮化镓器件在各种应力条件下的行为。

这些可靠性研究的结果表明,氮化镓技术是一种极其稳健的技术,它将继续快速改进。

EPC致力于提供符合严格的可靠性标准的氮化镓器件和与功率转换行业分享产品测试结果。我们将继续定期在这个知识库中添加新文档。

GaN可靠性网络研讨会系列

使用“测试器件至失效”的方法可准确预测用于电机驱动器的GaN FET和IC的产品寿命

使用“测试器件至失效”的方法可准确预测用于太阳能应用的eGaN 器件如何实现超过25年的产品寿命

使用“测试器件至失效”的方法可准确预测用于DC/DC转换器常用拓扑的eGaN®器件的产品寿命

使用“测试器件至失效”的方法可准确预测用于航太应用的GaN FET和IC的产品寿命

GaN Power Bench

GaN Power Bench提供了越来越多的设计工具、模型和性能仿真,以帮助您的设计过程。

Ask and EPC Engineer a Question FAQ

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