EPC2100氮化镓功率晶体管为系统设计师提供具更高效率及功率密度的全降压转换器系统在500 kHz、12 V转1.2 V、10 A时实现接近93%峰值效率，以及在25 A时效率可高于90.5%。

宜普电源转换公司宣布推出EPC2100- 第一个可供商用的增强型单片式半桥氮化镓晶体管。透过集成两个eGaN功率场效应晶体管形成单一元件可以去除互连电感及印刷电路板上的空隙。这样可以提高效率（尤其是在更高频率时）及功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。

Long talked about, wide bandgap gallium nitride-on-silicon (GaN-on-Si) transistors are now commercially available. They are being touted for replacing silicon-based MOSFETs, which are turning out to be inefficient for many high-performance power supply designs. Recently, several suppliers of GaN-on-Si-based HEMTs and FETs have emerged in the marketplace, among them Efficient Power Conversion (EPC). To expedite the evaluation of eGAN FETs for power supply designs transitioning from silicon MOSFETs to eGaN FETs, EPC has released several development boards in the last few years.

By Ashok Bindra
Digi-Key Article Library
July 15, 2014
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EPC9013开发板内含100 V氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET），是一种35 A最大输出电流并采用四个半桥式配置的电路设计及配备一个板载栅极驱动器。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出全新开发板 EPC9013 ，内含100 V增强型氮化镓场效应晶体管（EPC2001），使用四个半桥式并联配置及一个板载栅极驱动器，以降压模式工作在达35 A最大输出电流。这种创新设计可增加输出功率之同时并不会降低效率。

EPC9106 D类音频放大器参考设计使用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管，展示在提升效率、缩小产品尺寸及不需散热器之同时可实现具专业消费类水平的高质音响效果。

宜普电源转换公司推出150 W、8 Ω D类音频放大器的参考设计（EPC9106）。该演示板使用 Bridge-Tied-Load (BTL)设计，配置四个具接地连接的半桥输出级电路，为可升级及可拓展的设计。在这个基于氮化镓场效应晶体管的系统中，我们把所有可影响D类音频系统音质的元素减至最少或完全去除。

EPC9010开发板采用专为驱动氮化镓场效应晶体管而设的栅极驱动器，帮助工程师利用100 V的EPC2016氮化镓场效应晶体管快速设计高频开关型电源转换系统。

宜普电源转换公司(EPC)在2013年3月宣布推出EPC9010开发板。这种开发板能使工程师更方便地使用宜普100 V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管（FET）来设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速直流-直流电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路

EPC9010开发板是一种100 V峰值电压、7 A最大输出电流的半桥电路设计，内含EPC2016增强型氮化镓场效应晶体管，并同时配合板载栅极驱动器。推出EPC9010开发板的目的是简化评估氮化镓场效应晶体管的过程，因为板上集成了所有关键元件，因此易于与目前任何转换器连接。

EPC9010开发板尺寸为2英寸x1.5英寸，不仅包含了带栅极驱动器且采用半桥配置的两个EPC2016 氮化镓场效应晶体管及德州仪器的栅极驱动器（LM5113），而且包含电源和旁路电容。EPC9010开发板集成了所有关键元器件及布局，以实现最优开关性能。电路板上还备有多个探测点，以便测量简单的波形和计算效率。

随开发板一起提供的还有一份供用户参考的速查指南 http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9010_qsg.pdf，使用户可以更容易使用开发板。

EPC9010开发板的单价为99.18美元，客户可以透过DigiKey公司在网上购买，网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持

• EPC2016及所有宜普氮化镓器件的数据表，可在这个网页下载:
  http://epc-co.com/epc/products/gan-fets-and-ics
• 关于开发板及其它设计支持的资料：
  http://epc-co.com/epc/products/demo-boards
• 关于产品培训视频：
  http://epc-co.com/epc/DesignSupport/eGaNFETBasics.aspx
• 宜普氮化镓器件的应用笔记：
  http://epc-co.com/epc/Applications/ApplicationBasics.aspx

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

客户在Twitter的网址http://twitter.com/#!/EPC_CORP 可以找到EPC，也可以在我们的网页http://bit.ly/EPCupdates注册，定期收取EPC公司的最新产品资讯。

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])

EPC9006开发板可帮助设计工程师快速开发基于100V EPC2007的高频开关型电源转换系统。这是一种已制作好及宜于连接的开发板，并备有完善归档的技术支持资料。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9006开发板，这种开发板能使用户更方便地使用宜普100V增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。

EPC9005开发板可帮助设计工程师快速开发基于40V EPC2014的高频开关型电源转换系统。这是一种已制作好及宜于连接的开发板，并备有完善归档的技术支持资料。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9005开发板，这种开发板能使用户更方便地使用宜普40V增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。

宜普全新开发板EPC9004帮助开发电源转换系统

http://www.eet-china.com/ART_8800649298_480101_NP_0b9678d8.HTM

http://www.ednasia.com/article.asp?preview=1&id=28936

EPC9004开发板可帮助设计工程师快速开发基于200V EPC2012的高频开关型电源转换系统。这是一种已制作好及宜于连接的开发板，并备有完善归档的技术支持资料。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9004开发板，这种开发板能使用户更方便地使用宜普200V增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管设计产品，其应用范围广泛，如太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电(PoE)系统和同步整流器。

EL SEGUNDO, Calif.--(BUSINESS WIRE)—Efficient Power Conversion Corporation (EPC) today announced the introduction of the EPC9002 development board to make it easier for users to get started designing with EPC’s 100V enhancement-mode GaN transistor products.

The EPC9002 development board is a 50 V maximum input voltage, 7 A maximum output current, half bridge with onboard gate drives, featuring the EPC1001 100V GaN Power Transistor. The purpose of this development board is to simplify the evaluation process of the EPC1001 GaN power transistor by including all the critical components on a single board that can be easily connected into any existing converter. The EPC9002 development board is 2” x 1.5” and contains not only two EPC1001 GaN transistors in a half bridge configuration with gate drivers, but also an on board gate drive supply and all critical components and layout for optimal switching performance. There are also various probe points to facilitate simple waveform measurement and efficiency calculation.