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氮化镓场效应晶体管与硅功率器件比拼第14章第1部分：氮化镓场效应晶体管的小信号射频性能

Posted 2013年6月3日

虽然氮化镓场效应晶体管被设计及优化为一种开关功率器件，但该晶体管也具备良好的射频特性。 本章是关于氮化镓场效应晶体管在200 MHz至2.5 GHz频率范围的射频特性的第1部分。

作者：宜普公司应用工程行政总监Michael de Rooij博士、产品应用副总裁Johan Strydom博士及Peak Gain Wireless总裁Matthew Meiller

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Exploring gallium nitride technology

Posted 2013年5月21日

杂志：EE Times Asia
日期：2013年5月16日

作为替代MOSFET器件的氮化镓（GaN）功率器件在商用直流-直流电源转换的应用已发展了三年，随着氮化镓器件暂露头角，加上以前使用MOSFET的场效应晶体管而不能实现的应用也可以使用氮化镓器件来实现，对于氮化镓功率器件的开发者来说，以前想不到及还没有开发的全新应用将提供大有可为的发展机遇。

http://www.eetasia.com/ART_8800684828_480200_TA_f13f883a.HTM

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氮化镓器件与硅功率器件比拼第十三章第二部分：最优化的印刷电路板版图

Posted 2013年4月5日

与基于传统MOSFET的设计相比，基于氮化镓场效应晶体管的负载点降压转换器能够通过优化印刷电路板的版图而减少寄生电阻，从而提高效率、加快开关速度及减少器件的过冲电压。

详情请浏览http://powerelectronics.com/gan-transistors/egan-fet-silicon-power-shoot-out-vol-13-part-2-optimal-pcb-layout。

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硅、氮化镓与碳化硅器件的比拼：我的功率设计应该选用哪一个工艺及供应商？

Posted 2013年3月21日

杂志：EDN
作者：Steve Taranovich
日期：２０１３年３月１５日

随着功率元件不断的演进，领先开发者之间的竞赛更趨白热化。业界专家认为在２０１３年中大约有一半的氮化镓、硅及碳化硅器件的供应商将在工艺方面取得进展、提供全新结构及性能，进而为业界提供全新选择及开发工具。详情请浏览http://www.edn.com/design/power-management/4409627/1/Si-vs--GaN-vs--SiC--Which-process-and-supplier-are-best-for-my-power-design-

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Paultre on Power - Power GaN

Posted 2013年3月20日

作者 ：Alix Paultre
杂志 ：Power Systems Design

这个podcast的内容是关于我们与宜普电源转换公司Alex Lidow的谈话内容，Alex主要分享全新氮化镓器件的技术及它们对电源业界的影响。宜普公司是基于增强型氮化镓的电源管理器件的领先供货商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，应用范围包括负载点转换器、以太网供电、服务器、计算机应用的直流-直流转换器、LED高效照明、移动电话、射频传送、太阳能微型逆变器及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览http://www.powersystemsdesign.com/paultre-on-power---power-gan?a=1&c=6282。

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宜普推出全新内含100 V氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的开发板（EPC9010）

Posted 2013年3月14日

EPC9010开发板采用专为驱动氮化镓场效应晶体管而设的栅极驱动器，帮助工程师利用100 V的EPC2016氮化镓场效应晶体管快速设计高频开关型电源转换系统。

宜普电源转换公司(EPC)在2013年3月宣布推出EPC9010开发板。这种开发板能使工程师更方便地使用宜普100 V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管（FET）来设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速直流-直流电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路

EPC9010开发板是一种100 V峰值电压、7 A最大输出电流的半桥电路设计，内含EPC2016增强型氮化镓场效应晶体管，并同时配合板载栅极驱动器。推出EPC9010开发板的目的是简化评估氮化镓场效应晶体管的过程，因为板上集成了所有关键元件，因此易于与目前任何转换器连接。

EPC9010开发板尺寸为2英寸x1.5英寸，不仅包含了带栅极驱动器且采用半桥配置的两个EPC2016 氮化镓场效应晶体管及德州仪器的栅极驱动器（LM5113），而且包含电源和旁路电容。EPC9010开发板集成了所有关键元器件及布局，以实现最优开关性能。电路板上还备有多个探测点，以便测量简单的波形和计算效率。

随开发板一起提供的还有一份供用户参考的速查指南 http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9010_qsg.pdf，使用户可以更容易使用开发板。

EPC9010开发板的单价为99.18美元，客户可以透过DigiKey公司在网上购买，网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

客户在Twitter的网址http://twitter.com/#!/EPC_CORP 可以找到EPC，也可以在我们的网页http://bit.ly/EPCupdates注册，定期收取EPC公司的最新产品资讯。

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])

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氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）可提高工业应用的负载点转换器的效率及提升其功率密度

Posted 2013年3月14日

宜普产品应用总监David Reusch博士 / 销售及推广副总裁Stephen L.Colino

在24 V直流系统里采用的传统负载点转换器，设计工程师需要权衡使用一个高成本的隔离型转换器及使用一个低频及低效的降压转换器。与通常在计算机系统里使用的12 V负载点转换器相比，较高压的24 V负载点转换器因为需要考虑开关节点的振铃而需增加场效应晶体管的电压至最少达40 V，以及增加换向损耗及输出电容损耗。宜普公司的氮化镓场效应晶体管由于具备超低QGD性能, 从而可实现低换向损耗，并具备低QOSS性能，以实现较低输出电容损耗。

此外，宜普公司的氮化镓场效应晶体管具备创新的晶片级栅格阵列封装，在高频功率环路及栅极驱动环路，以及最重要的在这些环路的共通路径（称共源电感）都可容许超低电感，从而把换向损耗减至最低。氮化镓器件的低电荷及共源电感可帮助设计工程师通过提高频率使功率密度得以提高而并没有像传统MOSFET器件那样需要折衷效率。

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EPC named a Constant Contact 2012 All Star

Posted 2013年3月13日

EPC is honored to be recognized as a 2012 All Star by Constant Contact. This status is an annual designation that only 10% of Constant Contact customers achieve. It is awarded to companies making extra efforts to engage customers. We would like to thank all who have supported us. If you are not already receiving our newsletter please join our list @ http://bit.ly/qr28tu

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氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）与硅功率器件比拼第十三章、第一部分： 寄生电感对采用不同器件的转换器在性能方面的影响

Posted 2013年3月5日

作者：宜普公司产品应用总监David Reusch博士

在不同的应用里与硅MOSFET器件相比，增强型氮化镓基功率器件如氮化镓场效应晶体管展示了它可以实现更高效及更高开关频率的性能。氮化镓场效应晶体管具备改善了的开关品质因数，因此封装及印刷电路板版图的寄生电感对性能的影响非常重要。在本章及本部分我们将讨论在负载点降压转换器的应用（工作于开关频率为1 MHz、输入电压为12 V、输出电压为1.2 V及输出电流达20 A的条件下），寄生电感对基于氮化镓场效应晶体管及MOSFET器件的转换器在性能方面的影响。

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宜普公司在2013年APEC会议将与工程师分享氮化镓（GaN）的技术及应用

Posted 2013年2月25日

宜普公司首席执行官及应用专家将于业界IEEE APEC2013年电力电子研讨会举行为期半天的关于氮化镓场效应晶体管的技术及应用研讨会。

增强型硅基氮化镓功率场效应晶体管的全球领先供应商宜普电源转换公司将于3月17日至21日在美国加州Long Beach举行的2013年APEC会议的学术研讨会及多个以应用为主题的技术论坛演讲。

在功率电子应用响负盛名™的APEC会议专注功率电子的实用及应用方面，备受各界功率电子专家关注。APEC会议与在职工程师分享所有不同功率电子元件及设备的用途、设计、制造及推广，详情请浏览http://www.apec-conf.org/ 。

宜普公司创办人及首席执行官Alex Lidow说：“我们的专家非常荣幸获得2013年APEC会议技术评委会推荐我们在其学术研讨会演讲，并与工程师分享关于氮化镓的技术论 文。委员会对我们的支持进一步强化我们的信念 -- 功率系统设计工程师对具备卓越性能的氮化镓技术感到兴趣并且认同。”

学术研讨会： 实现高效电源转换的氮化镓晶体管
日期：3月17日（星期日）（S.7：下午2时30分至6时）

是次研讨会将讲解“氮化镓晶体管- 高效功率转换器件” 教科书所涵盖的议题，并阐释氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）的性能，以及讨论如何使用这些器件，包括解释在高性能、高频的电源转换应用中需要考虑驱动器、版图及热管理等因素。 为展示氮化镓技术在现实世界里的价值，我们将讨论多个应用包括高频包络跟踪（ET）、中间总线转换器（IBC）及无线电源传送。此外，我们将在研讨会的总结部分讨论这个崭露头角、替代MOSFET技术的未来发展。

宜普专家讨论关于氮化镓场效应晶体管的技术演讲
圆桌座谈会

专题讨论 ：宽带隙的半导体 - 时机成熟还是有待实现的承诺？
讲者 ：Alex Lidow
日期 ：3月19日（星期二）（Session 2：下午5时至6时30分）

技术研讨会

减小了寄生电感的高频及低损耗eGaN转换器设计
讲者 ：David Reusch 及 Johan Strydom
日期 ：3月20日（星期三）（直流-直流转换器 Session ：下午2时至5时30分）

在包络跟踪应用采用氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
讲者 ：Johan Strydom
日期 ：3月20日（星期三）（IS 2.2.4：上午8时30分至10时15分）

氮化镓场效应晶体管推动低功耗及高频无线能量转移转换器的应用
讲者 ：Michael de Rooij
日期 ：3月20日（星期三）（IS 2.2.3：上午8时30分至10时15分）

基于氮化镓场效应晶体管的谐振式高频电源转换器
讲者 ：David Reusch
日期 ：3月21日（星期四）（IS 1.4.5：上午8时30分至11时30分）

宜普公司简介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

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宜普开发板展示200 V氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）可使设计功率系统变得容易

Posted 2013年2月5日

EPC9004开发板内含氮化镓场效应晶体管及采用德州仪器公司专为驱动氮化镓场效应晶体管而设的栅极驱动器

宜普电源转换公司(EPC)在2013年2月5日宣布推出采用增强型氮化镓场效应晶体管的EPC9004开发板， 展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器，可帮助设计工程师简单地及以低成本从硅功率晶体管改为采用更高效的氮化镓场效应晶体管。

EPC9004开发板是一种200 V峰值电压、2 A最大输出电流的半桥电路设计，内含EPC2012氮化镓场效应晶体管，并同时配合德州仪器公司的快速栅极驱动器（UCC27611），从而缩短设计高频及高效功率系统的时间及减少设计的复杂性。

推出EPC9004开发板的目的是简化评估高效氮化镓场效应晶体管的过程，因为这种开发板是块2英寸x1.5英寸单板，板上集成了所有关键元件，因此易于与目前任何转换器连接。此外，电路板上还备有多个探测点，以便测量简单的波形和计算效率。随开发板一起提供的还有一份供用户参考的速查指南，使用户可以更容易使用开发板。

受益于200 V的EPC2012晶体管的应用包括无线电源充电、磁力共振扫描及具低射频的应用如智能仪表通信设备。

EPC9004开发板的单价为95美元，客户可以透过DigiKey公司在网上购买，网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

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氮化镓场效应晶体管与硅功率器件比拼第12章 – 优化死区时间

Posted 2013年1月6日

杂志 ：Power Electronics Technology
作者 ：宜普电源转换公司应用副总裁Johan Strydom博士
日期 ：2013年1月

我们在之前的文章讨论氮化镓场效应晶体管与硅器件相同之处，并可以利用 量度性能的相同标准来评估它。虽然根据大部分的量度标准结果可以看到，氮化镓场效应晶体管的表现更为优越，但氮化镓场效应晶体管的体二极管前向电压比 MOSFET较高及在死区时间内可以是高功率损耗的元件。体二极管前向导通损耗 并不构成在死区时间内产生的全部损耗，而二极管反向恢复及输出电容损耗也很重要。本章讨论管理死区时间及工程师需要把死区时间损耗减至最低。

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宜普公司的无线电源传送展示系统获得PowerPulse.Net评选为2012年度十大无线充电应用发展

Posted 2013年1月4日

无线充电将于2013年成为于电力电子业界增长迅猛的应用，其主要的发展步伐从2012年起开始加快。PowerPulse.Net编辑评选出十大发展以反映无线充电应用在2013年及之后的重要发展历程。

宜普在2012年8月宣布推出高效无线电源展示系统，它采用了具备高频开关性能的氮化镓晶体管（eGaN® FET），由于该晶体管可以在高频、高压及高功率条件下有效率地工作，所以非常适用于高效无线电源系统。该系统由宜普及WiTricity公司共同开发，为一个在工作频率为6.78 MHz的D类电源系统，能够向负载提供高达15W的功率。使用这个展示系统的作用是可以简化无线电源技术的评估流程。这个系统内的所有主要元件都是易于连接，可以展示无线电源传送如何对器件充电。

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