半导体行业的革命者、宜普电源转换公司（EPC）首席执行官及共同创始人Alex Lidow博士分享高通收购恩智浦半导体有可能面临文化冲击

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Bloomberg
2016年10月28日

捷佳科技股份有限公司（JJPlus）与宜普电源转换公司（EPC）宣布携手合作，为客户设计创新的无线充电解决方案

捷佳科技股份有限公司（JJPlus）与宜普电源转换公司（EPC）宣布全力支持台湾资通产业标准协会(TAICS)采纳AirFuel™联盟的共振无线充电标准，携手利用氮化镓技术设计创新的无线电源解决方案。除了面向台湾市场，这些设计将应用于全球无线充电系统。

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半导体与微型发动机的新颖结合将使得世界很快被机器吞没而影响到我们的生活空间、身体，以至对光和声音的体验。简单如对智能手机充电或煮蛋，以至复杂如检查大肠癌或对长征的无人机供电，完成这些任务的方式都将会改变。

Barron’s
2016年10月22日
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IEEE电力电子学会（ PELS）将于2016年11月3日（星期四）举行在线研讨会，届时将由Alex Lidow及Michael de Rooij主讲并与参加者分享采用芯片级封装的氮化镓功率器件的设计及PCB制造方法。

氮化镓技术领袖宜普电源转换公司（EPC）的专家将于美国东部夏令时间（EDT）11月3日（星期四）早上11时至中午12时于IEEE电力电子学会（ PELS）在线研讨会中与工程师分享如何设计及使用氮化镓晶体管。

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Tesla Motors is releasing a new version of Autopilot overnight, adding features the company says will make it safer and more reliable. Investigators are probing what role the self-driving system played in a pair of fatal crashes in Florida and China.

Silicon Beat
September 21, 2016
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数十年以来，音响爱好者一直认为A类功放是黄金标准。可是，目前刚刚开始的大趋势是D类功放广受音响发烧友青睐。为什么呢？这是因为全新D类音频放大器发展快速，其性能接近A类放大器，而A类并没有具备D类的优势。一种全新的晶体管技术 -- 氮化镓（GaN）技术 -- 正在改变世界高质音响领域。基于氮化镓器件的D类放大器比传统、基于MOSFET的D类放大器的功效更高，而且前者的性能改进可达数个数量级之多。

Audiophile Review
2016年9月19日
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提供驱动Tesla半自动Autopilot驾驶技术的供应商的首席技术官相信，汽车制造商的设计超过了安全极限。

总部设于以色列的Mobileye NV公司首席技术官及执行主席Amnon Shashua在星期三跟Reuters说“目前汽车设计并没有预计所有会导致车祸的情况，确保其安全性”。

Computerworld
2016年9月15日
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具备优越特性的eGaN^®FET与集成电路可以实现较低成本、采用单个功率放大器及采用任何标准的接收器的无线充电解决方案

宜普电源转换公司（EPC）多模无线充电演示系统（EPC9121）荣获《今日电子》与21IC中国电子网颁发2016“年度Top10电源产品--技术突破奖”。该奖项表彰于技术或应用方面有重大进步，并且能够引领业界的技术发展趋势。该奖项在2016年9月8日于北京举行的电源技术研讨会上颁发。

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自动驾驶汽车将来需要基于激光感应技术，而这些系统则需要比硅基器件的性能更优越的全新并具备高速开关的晶体管及芯片。

以上是Alex Lidow所声称的技术发展进程。Lidow是史丹福大学的物理学家并拥有物理学博士学位、创业家、宜普电源转换公司（EPC）首席执行官及共同创办人。该公司的总部位于加州的El Segundo市，是一家利用一种全新材料来制造晶体管及芯片的公司，该材料比硅材料具备更快速开关、更高效及成本更低等优势。

《财富》杂志
2016年9月8日
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在本系列的第一、二及第三章中，我们详细讲解了关于EPC增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路(IC)的现场可靠性及它们被认证通过应力测试。在应用中，我们把器件置于预期的工作条件下并施加应力，其测试结果引证了氮化镓器件的现场可靠性。同样重要的是了解 eGaN器件固有的物理特性，它如何在被施加应力后并超出预期工作条件时（例如数据表的参数及安全工作区(SOA)）而失效。本章将进一步深入探讨失效的物理原因 -- 采用晶圆级芯片规模封装（WLCSP）的eGaN器件的热机械可靠性。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年9月7日
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宜普电源转换公司（EPC）第八阶段可靠性测试报告表明，氮化镓器件经过超过8百万器件小时的应力测试后，没有失效器件。该报告详细探讨EPC在推出通过认证的产品之前所进行的应力测试，以及分析器件失效的物理原因。

Bodo’s Power Systems
2016年9月1日
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最近まで、D級オーディオに利用できるトランジスタは、パワーMOSFETだけでした。MOSFETのスイッチング特性は、D級アンプの直線性を非常に劣化させます。さらに、全高調波歪みや雑音を低減するために、フィードバック・ループの利得を高くしなければなりません。このフィードバックによって古い音が存在し続けることになり、豊かさと微妙な音色が失われる原因になります。加えて、過大な電力消費は、MOSFETベースのD級アンプのスイッチング周波数を制限します。窒化ガリウムのD級アンプは、直線性が優れているので非常にきれいな波形であり、小さなフィードバックと豊かなサウンドを実現できます。窒化ガリウム・トランジスタは、MOSFETに比べて、はるかに消費電力が小さいのでスイッチング周波数を高くすることができ、より高い分解能、より小型化が実現でき、より安価なフィルタ部品を利用できます。 窒化ガリウム・ベースのD級オーディオ・アンプは、より小型なシステムで、より豊かなサウンドを提供します。 阅读全文

具备优越特性的eGaN^® FET与集成电路可以实现的低成本解决方案是在发射端采用单个功率放大器，而在接收端无论是采用什么标准，也可以实现无线充电。

关于在2016年PCIM展会与工程师分享最新的EPC9121演示套件的视频及相关的访问视频，请浏览http://www.we-online.cn/web/zh/electronic_components_cn/news_4/News_Detail_Standard_Parts_101822.php。

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氮化镓集成电路：提高伺服器的功效 --不论是大、小规模的数据中心都要面对减低功耗、冷却及占用空间等问题，而这些问题也是在伺服器内所面临及需要解决的问题。有的时候，细微的改变也可带来重大的效益。

TechBeacon
2016年8月2日
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宜普电源转换公司（EPC）发布第八阶段可靠性测试报告第八阶段可靠性测试报告。该报告表明，在累计超过800万个器件-小时的应力测试后，没有器件发生失效的情况。该报告详细探讨EPC器件在被确认为合格产品前所经受的各项应力测试，并且分析器件失效的物理原因。

宜普电源转换公司宜普电源转换公司的第八阶段可靠性测试报告证明氮化镓场效应晶体管（eGaN^®FET）及集成电路在被确认为合格产品前，经受各种非常严谨并符合JEDEC认证标准的应力测试。

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Ismosys now represents EPC’s European sales, marketing, and technical support to assist customers in adopting eGaN^® FETs and ICs for leading-edge power conversion systems using gallium nitride

EL SEGUNDO, Calif.—July 2016 — To support its accelerating growth throughout Europe, Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce the appointment of Ismosys as its sales, marketing, and technical support representative.  Ismosys, founded in 1994, provides support to design houses, designers and engineers across Europe. This is achieved through 10 regional offices covering the entire EMEA and a significant centralized resource, fostering sales, driving marketing and enabling technical support. 

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宜普电源转换公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow在本PSDcast中与Power Systems Design 的Alix Paultre分享氮化镓技术的发展趋势。目前业界终于从多个制造商出发，开发出氮化镓技术可以实现的各种解决方案，让我们看到实际的design-in项目及基于氮化镓功率器件的产品的出现。

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Power Systems Design
2016年7月21日

在本投影片，EPC公司的Alexander Lidow分享他的公司如何带领业界采用氮化镓（GaN）技术，实现革命性的突破。

由于氮化镓器件比硅器件高效，因此使得数据中心节省大量能源，并且极具潜力可以推动计算机产业超越摩尔定律。

insideHPC
2016年7月20日
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EPC与ASD公司启动增值合作伙伴计划，携手为客户共创美好未来，支持客户利用基于eGaN^®技术，从概念开发到产品制造，共同开发出全新的无线充电应用及其它的新兴应用。

总部位于美国洛杉矶市、开发替代MOSFET技术的氮化镓(eGaN)技术的宜普电源转换公司(EPC) 与总部位于香港的创徽科技有限公司(ASD)宣布携手合作，共创新里程，针对客户的目标应用,利用最新的eGaN技术为客户提供最佳的解决方案。

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基于氮化镓材料的场效应晶体管正在颠覆功率转换市场和替代硅基MOSFET。 与MOSFET相比，更快速的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）可以在最细小的体积内实现更高的开关速度。 氮化镓器件的承诺是可以大大缩减电源供应器的体积及重量。为了实现最高的潜在性能， 这些具备高性能的氮化镓晶体管需要最优化的栅极驱动器。

Peregrine Semiconductor
2016年7月12日
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