于2014年IEEE的 APEC功率电力电子业界研讨会中，宜普电源转换公司的应用技术专家将分享氮化镓场效应晶体管技术如何于应用中比硅功率MOSFET器件优胜。

硅基增强型功率氮化镓场效应晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司将于2014年APEC技术研讨会以应用为主题进行三场技术演讲，与参与者分享高频谐振转换器及高频、硬开关功率转换器设计。研讨会将于3月16日至20日在德克萨斯州的Fort Worth举行。

EPC8010 100 V gallium nitride FET is optimized for high frequency applications with positive gain into the 3 GHz range.

EL SEGUNDO, Calif. – January 2014 – Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN^®) power FETs extends its family of high-speed, high performance transistors with the EPC8010 power transistor. Sold in die form, the EPC8010 is a mere 1.75 mm² with 100 V_DS. Optimized for high speed switching, the EPC8010 has a maximum R_DS(on) of 160 milliohms and input gate charge in the hundreds of pico-coulombs.

The quality of sound reproduced by an audio amplifier, measured by critical performance parameters such as THD (Total Harmonic Distortion), damping factor (DF), and T-IMD (Inter-modulation Distortion), is influenced by the characteristics of the switching transistors used. Class-D audio amplifiers typically use power MOSFETs, however, lower conduction losses, faster switching speed, and zero reverse recovery losses provided by enhancement-mode GaN (eGaN) FETs enable a significant increase in the sonic quality, and higher efficiency that can eliminate heatsinks. The result is a system with better sound quality in a smaller form factor that can be built at a lower cost.

EEWeb
By: Alex Lidow
February, 2014

Enhancement-mode gallium nitride transistors have been commercially available for over four years and have infiltrated many applications previously monopolized by the aging silicon power MOSFET. There are many benefits derived from the latest generation eGaN® FETs in new emerging applications such as highly resonant wireless power transfer, RF envelope tracking, and class-D audio. This article will examine the rapidly evolving trend of conversion from power MOSFETs to gallium nitride transistors in these new applications.

Power Pulse
By: Alex Lidow
February, 2014

EPC9013开发板内含100 V氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET），是一种35 A最大输出电流并采用四个半桥式配置的电路设计及配备一个板载栅极驱动器。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出全新开发板 EPC9013 ，内含100 V增强型氮化镓场效应晶体管（EPC2001），使用四个半桥式并联配置及一个板载栅极驱动器，以降压模式工作在达35 A最大输出电流。这种创新设计可增加输出功率之同时并不会降低效率。

本章展示氮化镓场效应晶体管如何推动具高度谐振、松散耦合性、工作在6.78 MHz ISM频带的无线电源传送技术，实现高效无线能源传送，并与工程师分享使用电压模式D类及E类方法的范例。

EEWeb
作者：Alex Lidow
日期：2014年1月

Examining new products released by: Texas Instruments, Analog Devices, Linear Technology, Maxim-Integrated, Intersil, Fairchild, EPC, and IR, Don Tuite finds a common thread: the companies’ products are doing the heavy lifting for their customers.

Electronic Design
Don Tuite
January 6, 2014

宜普电源转换公司的元件模型被纳入国家仪器公司最新推出的Multisim 13.0，已为数千工程師提供一個易於使用的環境，用以模擬採用EPC元件的功率转换系统，从而提高功率系统效率、缩小产品尺寸及降低设计功率转换系统的开发成本。

硅基增强型功率氮化镓场效应晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司宣布其增强型功率氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）SPICE模型被收纳入国家仪器（NI）最新推出的 Multisim 电路模拟及设计软件。Multisim提供全方位的電路分析工具，帮助工程师从先进功率转换系统的应用中易于计算、改变及查寻参数。

本章我们回到讨论硬开关转换器，但不同的是晶体管在更高频率的条件下工作，超越硅技术的实际限制。

EEWeb
作者： Alex Lidow
2013年12月

基于40Ｖ氮化镓场效应晶体管（EPC2014）的EPC9005开发板旨在帮助工程师于短时间内设计具备高频开关性能的电源转换系统

宜普公司宣布EPC9005开发板在中国荣获两个媒体颁发2013年度奖项，分别为今日电子杂志颁发2013年度十大电源产品奖的“优化开发奖”及EDN China杂志颁发2013年度中国创新奖的“优秀产品奖”。

“我们感到非常荣幸我司的产品得到今日电子杂志及EDN China杂志颁发2013年度奖项，表彰我们在技术创新方面所做出的努力。基于40 V氮化镓场效应晶体管（EPC2014）的EPC9005开发板可帮助工程师于短时间内设计具备高频开关性能的电源转换系统。EPC9005开发板是一种已制作好及易于连接的开发板，并备有完善归档的技术支持数据，使工程师可轻松地利用氮化镓场效应晶体管设计产品。在此我们再次感谢媒体朋友及工程师一直以来对我们的支持！”宜普公司首席执行官Alex Lidow说。

EPC9106 D类音频放大器参考设计使用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管，展示在提升效率、缩小产品尺寸及不需散热器之同时可实现具专业消费类水平的高质音响效果。

宜普电源转换公司推出150 W、8 Ω D类音频放大器的参考设计（EPC9106）。该演示板使用 Bridge-Tied-Load (BTL)设计，配置四个具接地连接的半桥输出级电路，为可升级及可拓展的设计。在这个基于氮化镓场效应晶体管的系统中，我们把所有可影响D类音频系统音质的元素减至最少或完全去除。

在开关频率10 MHz或以上，电源转换需要具备高速开关的晶体管并配备在高频工作的封装。相比日渐老龄化的功率MOSFET器件，由于氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）提供无可匹敌的器件性能及封装，因此可以在高频时提高电源转换效率。

Bodo’s Power Systems
客席编辑： Alex Lidow
2013年11月

增强型氮化镓场效应晶体管商用化已经超过四年，并不断渗透及进驻本来被硅功率MOSFET器件所垄断的应用领域。

Power Pulse
作者：Alex Lidow
2013年10月

宜普公司David Reusch谈论增强型氮化镓器件及没有使用封装以减少损耗

Electronic Products
2013年10月
http://bcove.me/ukn7dtt1

宜普公司的增强型氮化镓场效应晶体管备受推荐，其商用高铅含量的EPC2801、EPC2815及EPC2818器件现在可以在网上购买。

宜普公司（www.epc-co.com.cn）推出带高铅含量焊锡端子的器件，非常适合要求更高焊接温度的应用。EPC2801、EPC2815及EPC2818器件的焊接端子中的铅含量为95%，而锡含量为5%。

With the introduction of this family of eGaN® FETs, power systems and RF designers now have access to high performance gallium nitride power transistors enabling innovative designs not achievable with silicon.

October, 2013
Bodo's Power Systems

我们在本章讨论在隔离型直流-直流功率转换中使用更复杂的硬开关转换器。

EEWeb
作者：Alex Lidow
2013年10月

封装的缺点是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本，并增加阻抗和电感，从而降低器件的性能。宜普电源转换公司Alex Lidow辩说最有效的解决方案是不用封装，使 氮化镓高电子迁移率晶体管与等效硅器件相比，具有相同成本的优势。

杂志：Compound Semiconductor
日期：２０１３年6月

Global electronic components distributor Digi-Key Corporation, the industry leader in electronic component selection, availability and delivery, today announced new inventory of Gallium Nitride (GaN) power management products, available for immediate shipment as part of an exclusive global distribution agreement with Efficient Power Conversion (EPC) http://www.digikey.com/us/en/press-release/epc-gan-global-distribution-agreement.html

Power systems and RF designers now have access to high performance GaN power transistors capable of amplification into the low GHz range, enabling innovative designs not achievable with silicon.

EL SEGUNDO, Calif. — September 2013 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN®) power FETs extends its family of high-speed, high performance transistors with the EPC8000 family of products.