Consumers want to be able to go wirelessly where they want, when they want. They want televisions to be seamlessly synchronized with tablets, phones, laptops, and automobiles. They want all their communication, information, and entertainment to be available immediately, with high resolution, all the time. Recently the automobile industry has caught on to this trend and has begun to show its vision of the future for the fully mobile lifestyle.

Consumers also do not want to worry about running out of battery life – no more looking for an open outlet at the airport. This untethered life is the Mobility Imperative and it is driving innovation in consumer products, which in turn, is pushing the limits of silicon-based semiconductor technology.

Nikkei Business Publications
July 10, 2015
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全新氮化镓技术推动了无线电源传送应用的发展。近来在A4WP及PMA的合并下，工程师们对该发展尤感兴趣。 本访问涵盖了饶富兴味的问题并解答了氮化镓器件何时会备受半导体业界广泛采纳。访问的内容包括氮化镓器件的优势、成本如何可以更低、最新器件的创新性、器件可以工作在高频的条件下而具备小尺寸、优越的散热管理、氮化镓的市场如何可以超越硅器件的市场及氮化镓技术的未来发展等。

功率系统设计
2015年6月24日
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If expanding industries typically indicate vibrancy, a race to acquire and consolidate is generally reflective of the opposite – a period of slowed growth in mature, often once high-flying categories. And while many industries experience a period of stardom, followed by a sharp and steady decline, we should be extremely worried when they occur in industries that are fundamentally central to our socio-economic vitality.

Forbes
June 26, 2015
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硅基晶片的发展因为受到技术及经济因素的影响而变得缓慢。业界利用全新的氮化镓材料所具备的优势解决这个问题。虽然各家公司致力于找出可制造尺寸更小的硅晶体管的方法，但是未能减低成本及解决在功耗方面的问题。宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow认为相比硅器件，由于氮化镓器件的开关可以更快速及在更高压的条件下工作，因此氮化镓材料在功率转换应用中尤为优胜。

华尔街日报
2015年6月22日
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功率转换需要制造细小的器件以从电力的一种形式转换至另外的一种形式，从而使得所有电子设备运行顺畅。 直至目前为止，硅器件是功率转换的首选器件，但是当它的效率达到极限时，业界转而关注全新材料的发展。

Los Angeles Business Journal
2015年6月21日
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宜普电源转换公司(EPC) Alex Lidow于2015年PCIM研讨会上展示由氮化镓器件推动的X-ray药丸及各种氮化镓器件。

Power Systems Design
2015年6月2日
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宜普电源转换公司(EPC) Alex Lidow于2015年APEC研讨会上展示由氮化镓器件推动的无线电源传送应用

Power Systems Design
2015 年3月19日
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氮化镓场效应晶体管（eGaN^® FET）之前在松散耦合式无线电源传送解决方案中，展示了在采用零电压开关(ZVS)D类或E类放大器拓扑并工作在on-resonance条件下，该些晶体管具有较高的效率。然而，可行的无线电源系统需要满足这些系统的易用性的要求，结果是反射式线圈阻抗在负载和耦合变化时显著偏离谐振。由于这些系统仍然需要向负载供电，因此放大器需要在宽阻抗范围内驱动线圈。诸如A4WP第三等级的规范定义了可以满足易用性因素、宽泛的线圈阻抗范围，并且可以用作比较放大器的性能的起点。

本章根据A4WP第三等级的标准对ZVS D类及E类放大器拓扑在6.78MHz频率下进行测试并通过缩小了的阻抗范围来判断固有的工作范围极限。诸如器件的温度和电压极限等因素将确定每个放大器能够驱动线圈的负载阻抗范围。

Bodos China
宜普电源转换公司应用工程执行总监Michael de Rooij博士
2015年6月
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eGaN^®功率晶体管在功率转换领域继续实现更高的性能。该晶体管系列具备更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及优越的散热性能，从而实现具备更高的功率密度的转换器。

宜普电源转换公司宣布推出两个可以提高电源转换效率的eGaN FET。这些产品的工作温度最高达150°C。150 V的EPC2033的脉冲电流为260 A及200 V的EPC2034)的脉冲电流为140 A。应用范围包括DC/DC转换器、DC/DC与AC/DC转换器的同步整流应用、马达驱动器、LED照明及工业自动化等应用。

Integrated Device Technology, Inc. ((IDT^®) (美国纳斯达克上市代号: IDTI)宣布与宜普电源转换公司（EPC）合作开发基于氮化镓（GaN）技术的全新方案。氮化镓被公认为在速度及效率方面极具优势的一种半导体材料。这合作谋求探索结合两家公司的技术——EPC的eGaN^®技术及IDT领先业界的解决方案。

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宜普电源转换公司(EPC)推出采用高性能、宽间距的芯片规模封装的全新氮化镓(eGaN^®)功率晶体管，进一步扩大其功率晶体管系列、易于实现高产量并与成熟的制造工艺及组装生产线兼容。

宜普电源转换公司宣布推出3个采用具有更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）。这些产品采用具有1 mm间距的焊球，进一步扩大EPC的“宽间距”器件系列。更宽阔的间距可在器件的底部放置额外及较大的通孔，使得器件以超小型尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）实现大电流承载能力。

Last week, El Segundo, Calif.-based Efficient Power Conversion, announced that its offering two types of power transistors made from gallium nitride that it has priced cheaper than their silicon counterparts. “This is the first time that something has really been higher performance and lower cost than silicon,” CEO Alex Lidow says. “Gallium nitride has taken the torch and is now running with it.”

IEEE Spectrum
May 8, 2015
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宜普电源转换公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow与Power Systems Design杂志编辑Alix Paultre分享全新eGaN FET系列，实现具备优越性能、更小的尺寸、高可靠性及低成本的器件。价格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化镓晶体管的普及化的最后一个壁垒，而价格已经下降。

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Power Systems Design
2015年4月29日

全新eGaN^®功率晶体管系列以MOSFET器件的价格实现更优越的性能、更小的尺寸及高可靠性。

宜普电源转换公司宣布推出EPC2035（60 V）及EPC2036EPC2036 （100 V）eGaN功率晶体管，专为在价格方面竞争而设计并且在性能上超越硅器件。 价格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化镓（GaN）晶体管的普及化的最后一个壁垒，而价格已经下降。这些全新产品可以替代硅半导体及为业界续写摩尔定律的辉煌。

宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow一直专注于制造创新产品，目的在延长摩尔定律的寿命。Intel及业界认为传统硅晶片技术已经达到顶峰 --不久有公司将制造出一种硅材料可以实现的低成本及高效的晶片。Lidow说他找出一种比硅在很多方面都更为优胜的半导体材料--氮化镓材料（GaN）。氮化镓晶片无论是在实验室或实际上的多个范例都比硅晶片优越、具备更低的制造成本及使用现有制造硅晶片的基础设施，而且氮化镓器件更为稳固及需要更少的保护性元素。

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PandoDaily
2015年4月21日

半导体业界资深人士及宜普电源转换公司（EPC）首席执行官Alex Lidow说：「摩尔定律现正蜕变为预测全新的半导体材料的性能定律。EPC氮化镓（GaN）晶体管有机会替代硅器件。氮化镓材料是一种更好的电子导体，在性能及功效方面比硅更为优越。」氮化镓器件已经用于电源转换及无线通信等领域，它将有一天成为数字芯片。Lidow说：「60年以来首次出现采用优越材料的器件而不只是在更小尺寸方面发展。」

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Network World
2015年4月17日

摩尔定律的预测已经变成自我应验的预言。芯片的运算性能不仅仅是已经在每两年/24个月得以倍升，它必需在每24个月内倍升才可以使科技业界及整个经济不致陷入苦境、阻遏创新及经济发展进程。

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re/code
Alex Lidow
2015年4月17日

芯片的发展推动了一个又一个的技术大变革：个人电脑、互联网、智能手机、智能手表及即将推出的自动驾驶汽车。 宜普电源转换公司（EPC）是一间把它的将来押注在III-V氮化镓材料上的创始公司，其首席执行官Alex Lidow带领着一支34人的专业团队创建公司。该公司的业绩继续保持稳定增长，产品是采用III-V氮化镓（GaN）材料层的晶体管。 在2016或2017年，Lidow预计氮化镓器件的制造工艺可以包含计算机处理器内负责思考的逻辑电路。Lidow认为「与传统的硅器件相比，氮化镓器件所具备的电力特性使你立即可以取得1000倍改进产品性能的机会。」

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CNET.com
2015年4月17日

采用全新100 V EPC2104 半桥式器件的全降压转换器在48 V转12 V、22 A输出电流及300 kHz开关频率下，系统效率可超过97%；而在22 A、500 kHz开关频率下，系统效率则接近97%。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC2104(100 V)增强型单片式氮化镓半桥器件。透过集成两个eGaN^®功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及所需的空隙，使晶体管的占板面积减少50%。这样可以提高效率（尤其是器件在更高频工作时）及增加功率密度并同时减低终端用户的功率转换系统的组装成本。

全新氮化镓(eGaN^®)功率晶体管（EPC2029）进一步扩大宜普电源转换公司的功率晶体管系列 – EPC2029 氮化镓晶体管使用高效、具有宽间距的芯片规模封装，可易于实现高产量并与成熟的制造工艺及组装生产线兼容。

宜普电源转换公司宣布推出采用更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）-- 80 V、31 A并具有1 mm间距的焊球的EPC2029晶体管是这种全新产品系列的首个晶体管。更宽阔的间距可在元件的底部放置额外及较大的通孔，使得小尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）的元件可以具备大电流承载能力。