采用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管的EPC9106 D类音频放大器参考设计展示出可以提升效率、缩减尺寸及省去散热器之同时可以实现针对专业级消费者所要求的高音质。

宜普电源转换公司（EPC）推出的150 W、8 Ω D类音频放大器参考设计（EPC9106）采用 Bridge-Tied-Load (BTL)设计，包含四个接地的半桥输出功率级电路，使得设计可以升级及扩展。

从业界的观点来看，只有可以为人类提供效益及性能优势的技术才能够生存。 主流技术CMOS就是一直为业界提供无比的益处而得以长存。 当下的问题是CMOS技术将会变成夕阳产业吗？新兴的氮化镓技术终于能够打破阻碍氮化镓功率器件普及化的成本障碍。根据2015年DesignCon研讨会的主讲嘉宾所描述，氮化镓技术可推动宽泛范围的新兴应用的发展，包括从无线充电、全自动汽车以至更高效的移动通信等应用。

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EETimes Asia
2015年2月

宜普电源转换公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半桥式晶体管，进一步扩展其获奖的氮化镓功率晶体管产品系列。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增强型单片式氮化镓半桥器件。透过集成两个eGaN^®功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及空隙，使晶体管的占板面积减少50%。

60年以來业界首次见证全新的半导体技术以更低的成本制造出比硅器件具备更高的性能的晶体管。氮化镓（GaN）技术展示了它显著提升了晶体管的性能之外，氮化镓器件的制造成本比硅器件可以更低。由于氮化镓晶体管具备快速开关特性，在高压及大电流工作时它比任何前代的晶体管都更为优越，支持开发全新的应用。这些特性非常优越，可推动全新并改写未来的应用的出现。但是氮化镓技术的发展还是刚刚开始，它的发展前景将无可限量。

读过的文章

EDN杂志
作者：Alex Lidow
2015年1月

宜普电源转换公司为功率系统设计师提供一款具备４奈秒上升时间特性的450 V氮化镓场效应功率晶体管(EPC2027 eGaN^® FET)并面向高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的应用。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出450 V并通常处于断开状态的增强型功率晶体管（EPC2027），可用于需要高频开关的应用，从而实现更高的效率及功率密度。受惠于采用高压并具备更快速开关特性的器件的应用包括超高频直流-直流转换器、医疗诊断仪器、太阳能功率逆变器及发光二极管照明等应用。

单晶片半桥式氮化镓功率晶体管EPC2100获得著名电子杂志颁发「年度产品大奖」，在竞争激烈的分立式半导体产品类别中被评选为极具创新性的产品。

宜普电源转换公司（EPC）的单片半桥式硅基氮化镓(eGaN^®)功率晶体管荣获《Electronic Products》杂志颁发2014年「年度产品大奖」。

In this installment of the ‘How to GaN’ series we will discuss the 4th generation of eGaN FETs in 48 VIN applications and evaluate the thermal performance of the chipscale packaging of high voltage lateral eGaN FETs.

EEWeb
By: Alex Lidow
December, 2014