With the introduction of this family of eGaN® FETs, power systems and RF designers now have access to high performance gallium nitride power transistors enabling innovative designs not achievable with silicon.

October, 2013
Bodo's Power Systems

杂志：EDN Europe
日期：２０１３年３月

本文解构组装无线电源传送系统所需的元件。宜普电源转换公司的EPC9104演示系统展示了高效无线电源传送系统所需的高频、高压及高功率器件。详情请浏览http://mag.electronics-eetimes.com/EDNE_MARCH_2013/#/26/。

无线充电将于2013年成为于电力电子业界增长迅猛的应用，其主要的发展步伐从2012年起开始加快。PowerPulse.Net编辑评选出十大发展以反映无线充电应用在2013年及之后的重要发展历程。

宜普在2012年8月宣布推出高效无线电源展示系统，它采用了具备高频开关性能的氮化镓晶体管（eGaN® FET），由于该晶体管可以在高频、高压及高功率条件下有效率地工作，所以非常适用于高效无线电源系统。该系统由宜普及WiTricity公司共同开发，为一个在工作频率为6.78 MHz的D类电源系统，能够向负载提供高达15W的功率。使用这个展示系统的作用是可以简化无线电源技术的评估流程。这个系统内的所有主要元件都是易于连接，可以展示无线电源传送如何对器件充电。

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杂志：Bodo’s Power Systems (www.bodospower.com)
日期：1/2/2013
作者：宜普公司首席执行官Alex Lidow博士、应用工程执行总监Michael deRooij博士及应用工程 总监David Reusch博士
摘要：本文展示了增强型氮化镓场效应晶体管推动谐振拓扑在效率方面实现重大改善，以及工作 在6.78 MHz频率范围的无线电源传送实用范例。

读过的文章

宜普公司的氮化镓场效应晶体管具卓越开关速度，为具非常高的共振频率的无线电源传送提高功率电子的效率

宜普宣布推出一个高效无线电源展示系统，内含具高频开关性能的氮化镓晶体管。使用宜普的氮化镓场效应晶体管是这种系统的一个理想解决方案，因为它所具备的性能可以在高频、高压及高功率情况下有效率地工作。

作者：宜普公司产品应用副总裁Michael de Rooij博士
日期：在2012年6月27日刊载于Power Electronics Technology 杂志

无线电源产品的应用日益普遍，尤其是应用于通用产品如手机充电器。作为MOSFET技术的替代产品，增强型氮化镓晶体管具备更快开关速度的性能，是无线电源应用的理想器件。这篇文章我们主要讨论实验性的评估一个内含氮化镓场效应晶体管在6.78 MHz时工作的无线充电系统的感应线圈，适合用于多个输出功率为5W的U盘充电负载。

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