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GaN transistors and ICs increase power density in motor drive applications. An optimal lay-out approach allows obtaining ring-free output switching waveforms and clean current reconstruction signals either from leg shunts or from in-phase shunts.
EEPower
October, 2021
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The new gallium nitride (GaN) family aims to deliver time-of-flight (ToF) applications for autonomous cars and 3D sensing across the consumer and industrial sectors. In an interview with EE Times, Alex Lidow, CEO at EPC, highlighted how introducing the eToF Laser Driver family’s for LiDAR system design at a low cost competes with the Mosfet when it comes to LiDAR applications.
EEWeb
September, 2021
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EL SEGUNDO, Calif. — September 2021 — Idle power consumption and overall efficiency were key concerns of innosonix GmBH when designing its latest high-end Maxx Series multi-channel power amplifier. By changing from traditional silicon FETs to EPC’s EPC2059 eGaN FET the company reduced idle loss by 35% and lowered the on resistance to increase the total power efficiency by 5%.
The EPC2059 is a 6.8 mΩ, 170 V enhancement-mode gallium nitride (eGaN) transistor offering superior audio performance for high-end amplifier applications. The low on resistance and low capacitance of the EPC2059 enables high efficiency and lowers open loop impedance for low Transient Intermodulation Distortion (T-IMD). The fast-switching capability and zero reverse recovery charge enable higher output linearity and low cross over distortion for lower Total Harmonic Distortion (THD).
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Gallium nitride (GaN) power semiconductors allow for innovation in the harsh radiation environments of space applications.
Electronics Weekly
September, 2021
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Unlike silicon, whereby specific manufacturing processes and packaging are required to insulate semiconductors from the effects of radiation, GaN devices are largely resistant to the damage caused by space radiation due to their physical characteristics and structure. In an interview with Alex Lidow, CEO at EPC, Power Electronic News have discovered the features of GaN for space applications.
Power Electronics News
September, 2021
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EPC 推出了 40 V、1.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管 (eGaN® FET),器件型号为EPC2069,专为设计人员而设,EPC2069比目前市场上可选的器件更小、更高效、更可靠,适用于高性能且空间受限的应用。
宜普电源转换公司(EPC)是增强型硅基氮化镓功率晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2069(典型值为 1.6 mΩ、40 V)是更高性能的低压器件,可立即供货。
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在过去十年中,计算机、显示器、智能手机和其他消费电子系统变得更薄,同时功能也变得更强大。因此,市场对具有更高功率密度的更纤薄电源解决方案的需求不断增加。本文研究了额定功率为 250 W且超薄的48 V / 20 V转换器,它可以采用各种非隔离型 DC/DC 降压拓扑的可行性。我们研究了各种非隔离型拓扑的优缺点,从而了解拓扑如何影响功率晶体管和磁性元件的选择,特别是电感器,因为这两个器件产生转换器的大部分损耗。本文还详细分析了为这些应用设计薄型电感器所面对的挑战,包括电感器损耗的因素、电感器尺寸和设计权衡,包括对 EMI 的影响。我们是以选择、构建和测试了超薄多电平转换器拓扑。从该转换器获得的实验结果,用于进一步优化操作设置和元件的选择,从而实现超过 98%的峰值效率。
EPC公司Michael de Rooij
Würth Elektronik 公司Quentin Laidebeur
IEEE Power Electronics Magazine
2021年9月
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随着数据处理基础设施的持续快速增长,市场要求在最小的占板面积内提供更高的功率。
Power Systems Design
2021年9月
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随着采用氮化镓(GaN)器件的应用越来越多,Bodo Arlt 借此机会与 EPC公司的首席执行官兼共同创办人 Alex Lidow 谈及他认为这种不断发展的技术的 下一个重点市场。
Bodo’s Power Systems
2021 年 9 月
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由 Bodo Power Systems 主办的氮化镓行业专家圆桌会议的嘉宾包括:
- EPC公司的首席执行官兼共同创始人Alex Lidow
- Power Integrations公司的市场营销与应用工程副总裁Doug Bailey
- Nexperia 公司的氮化镓功率技术营销战略总监Dilder Chowdhury
- Navitas Semiconductor公司的市场营销战略高级总监Tom Ribarich
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根据将氮化镓和碳化硅材料的电子从价带转移到导带所需的能量,氮化镓和碳化硅器件被指定为宽带隙 (WBG) 半导体——碳化硅器件约为 3.2 eV,氮化镓器件则约为 3.4 eV,而硅器件只有1.1 eV 。WBG 的击穿电压更高,在某些应用中可以达到 1,700 V。 在今年 5 月举行的线上PCIM Europe展会上,几家公司展示了他们在 氮化镓和碳化硅技术方面的最新创新,并就 WBG 技术的发展方向分享了其独特见解。
EE Times – Europe
2021 年 7 月
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航空航天应用的技术发展是 2021 年的重要组成部分,因此更多的抗辐射元件即将问世。 最近新推两款新型场效应晶体管,它们给航太领域带来了什么?
All About Circuits
2021 年 6 月
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这些新一代氮化镓场效应晶体管(eGaN FET) 满足了目前电动出行(eMobility)、交付和物流机器人,以及无人机市场所需的紧凑型 BLDC 电机驱动器和具成本效益、高分辨率的飞行时间(ToF)的新需求。
宜普电源转换公司(EPC)是增强型硅基氮化镓 (eGaN) 功率 晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2065 和 EPC2054具备更高的性能和更低的成本等优势。
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Efficient Power Conversion (EPC) introduces a new family of radiation-hardened (rad-hard) gallium nitride (GaN) products for power conversion solutions in critical spaceborne and other high reliability environments.
EL SEGUNDO, Calif.— June 2021 — EPC announces the introduction of a new family of radiation-hardened gallium nitride transistors and integrated circuits. With higher breakdown strength, faster switching speed, higher thermal conductivity and lower on-resistance, power devices based on GaN significantly outperform silicon-based devices. The lower resistance and gate charge enable faster power supply switching frequencies resulting in higher power densities, higher efficiencies, and more compact and lighter weight circuitry for critical spaceborne missions. Gallium nitride is also inherently radiation tolerant, making GaN-based devices a reliable, higher performing power transistor option for space applications.
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氮化镓晶体管和集成电路 提高了电机驱动应用的功率密度。最佳布局允许从桥臂分流器或同相分流器获得没有振铃噪声的输出开关波形和“干净“的电流重建信号。
Bodo’s Power Systems
2021 年 6 月
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宜普电源转换公司(EPC)宣布推出新型EPC9149演示板。该板为一款可提供1 kW功率的48 V输入、12 V输出的LLC转换器,可作为直流变压器,转换比为4:1。EPC9149采用额定电压为100 V的EPC2218氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)和额定电压为40 V的EPC2024 。
EPC9149的尺寸是根据DOSA标准的1/8砖型,仅为58.4 mm x 22.9 mm。输出功率是1 kW时,EPC9149比基于硅器件的解决方案要小得多,后者的尺寸通常是1/4砖或大两倍。不带散热器的转换器的总厚度仅为10 mm。为了让工程师能够轻松地复制这个设计,该电路板的所有设计资源,包括原理图、物料清单和Gerber文档,都可以在EPC网站上找到。
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EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器,以小型化解决方案提供1.5 kW功率,效率为97%,适用于轻度混合动力汽车和电池电源备用装置。
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9137,这是一款1.5 kW的两相48 V/12 V双向转换器,占板面积小,效率为97%。该演示板的设计是可扩展的–并联两个转换器可实现3 kW,或者并联3个转换器可实现4.5 kW。该板使用4个100 V的eGaN®FET(EPC2206),并由一个包括Microchip dsPIC33CK256MP503 16位数字控制器的模块控制。
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(Image: Yole)
Posted 2021年5月10日
Manufacturers of GaN power semiconductors showcased their latest products, from 100 V to 650-V devices at PCIM Europe. PCIM Europe showcased several presentations about the benefits and use cases of wide bandgap (WGG) semiconductors, including gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC). Several manufacturers, including EPC, GaN Systems, Infineon, Nexperia, and STMicroelectronics announced several new families of GaN power semiconductors during the week.
Electronic Products
May, 2021
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EPC9146演示板展示EPC2152 ePower™功率級使能高性能且低成本的BLDC電機,從而實現具有更高的性能和更小型化的解決方案。
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出400 W电机驱动演示板(EPC9146),包含三个独立控制的半桥电路,采用集成了栅极驱动器的单片式EPC2152EPC2152 ePower™功率级,其最大电压为80 V和最大输出电流为15 A(10 ARMS)。板的尺寸仅为81 mm x 75 mm,在输出功率为400 W时,可实现超过98.4%的效率。
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最近,EPC公司对其氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)进行了一系列测试,把它置于超出数据手册的限值下工作,从而量化和发表这些器件通过电压和电流极端应力测试的结果。
Bodo’s Power Systems
2021年5月
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