GaN技术杂谈

当宽禁带半导体进入市场时，其应用领域划分相当明确。SiC 在600V以上电压范围挑战硅，而 GaN 则在约100V至600V的应用中与硅竞争。

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Efficient Power Conversion（EPC）首席执行官兼联合创始人 Alex Lidow 在最近的一次采访中，与 Power Systems Design 编辑 Ally Winning 讨论了 EPC 与瑞萨（Renesas）的战略协议。此次采访探讨了达成该协议的原因、拥有第二供应来源的重要性，以及某些 eGaN 器件如何帮助在低压 GaN 市场中确立事实标准。

在评估新型半导体技术时，专业音频行业传统上优先考虑可靠性、可预测的生命周期以及长期产品稳定性。因此，新兴器件平台通常只有在其电气性能和稳健性得到充分验证后才会被引入。

在这样的背景下，Innosonix 首席执行官兼联合创始人 Markus Bätz 早在 2020 年就决定从硅功率器件转向氮化镓（GaN）——比 GaN 在专业音频领域被广泛讨论还要早数年。

与提供高压 GaN 产品的瑞萨（Renesas）建立合作关系，为 EPC 扩展其中低压产品组合带来了新的机遇。

氮化镓（GaN）——一种与碳化硅（SiC）并列的宽禁带半导体——已成为下一代功率电子领域中优于硅的替代技术。知名市场研究机构 Yole 预测，到 2030 年 GaN 功率器件市场规模将达到 30 亿美元，2024 年至 2030 年期间的复合年增长率高达 42%，这主要得益于 OEM 采用率提升、消费市场成熟，以及在 NVIDIA 支持下 AI 数据中心业务的扩张。

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