GaN技术杂谈

近年来，氮化镓（GaN）功率器件的进步显著拓展了其在40 V以下低电压应用中的工作范围。由于硅MOSFET具有良好的导通性能、成熟的制造工艺以及经过验证的可靠性，历史上一直主导这一电压区间。

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与电压等级一起，RDS(ON) 是一个常见的参数，用于描述硅MOSFET和氮化镓FET。RDS(ON) 是在给定技术平台内描述器件尺寸及其成本的良好指标。然而，在大多数开关电源转换器中，损耗是导通损耗和开关损耗的组合。因此，RDS(ON) 既不是不同技术平台之间也不是同一技术平台内的可靠性能指标。 这在设计师从硅MOSFET转换到氮化镓FET时尤其如此。

基于氮化镓器件的音频放大器 - 音频功放的最新技术

早在2015年，Venture Beat就发表了一篇关于氮化镓芯片取代硅的文章。在那篇文章中，我断言氮化镓基功率半导体的广泛普及是可能的，因为GaN FET将比硅具有更高的性能和更低的成本。然而，人们仍然普遍误解氮化镓器件还没有达到那个里程碑……这是一个错误的神话。在这篇博客文章中，我将试图打破这个神话，并提醒大家，本次讨论仅限于额定电压低于400 V的器件的应用领域，因为这是EPC 的重点产品。

氮化镓（GaN）专题博客：Pavel Gurev，Sinftech Rus LLC

重新思考普通事物并克服心理偏见

Efficient Power Conversion（EPC）は、定格100 Vの成熟したシリコン・パワーMOSFETとeGaNトランジスタの間の性能の差を広げています。新しい第5世代「プラス」デバイスは、以前の第5世代製品と比べて、オン抵抗RDS(on)が約20％小さく、直流定格が高くなっています。この性能向上は、厚い金属層の追加と、はんだボールから、はんだバーへの変更によるものです。

高效电源转换（EPC）正在使老化的硅功率MOSFET与eGaN®晶体管之间的性能差距扩大一倍，达到200 V额定值。新一代第五代器件的尺寸约为上一代的一半。性能提升源自两个主要设计差异，如图1所示。左侧是第四代200 V增强型GaN-on-Si工艺的横截面。右侧是第五代结构，具有缩短的栅极和源极电极之间的距离，并添加了一层厚金属。这些改进，加上许多未显示的其他改进，使新一代FET的性能提高了一倍。

GaN FET的开关速度比Si MOSFET快得多，导致许多系统设计师会问 − 更快的开关速度如何影响EMI？

本文最初由Dr. John Glaser & Dr. David Reusch于2016年6月13日在Power Systems Design网站上发布。