GaN技术杂谈

氮化镓（GaN）专题博客：Pavel Gurev，Sinftech Rus LLC

由Steve Colino共同撰写

电力电子工程师不断努力设计更高效率和更高功率密度的产品，同时保持高可靠性并尽量降低成本。设计技术的进步和改进的元件技术使工程师能够持续实现这些目标。电力半导体是这些设计的核心，其改进对于更好的性能至关重要。在这篇EPC空间博客中，我们将展示氮化镓（GaN）电力半导体如何在太空应用的恶劣辐射环境中实现创新。

重新思考普通事物并克服心理偏见

Efficient Power Conversion（EPC）は、定格100 Vの成熟したシリコン・パワーMOSFETとeGaNトランジスタの間の性能の差を広げています。新しい第5世代「プラス」デバイスは、以前の第5世代製品と比べて、オン抵抗RDS(on)が約20％小さく、直流定格が高くなっています。この性能向上は、厚い金属層の追加と、はんだボールから、はんだバーへの変更によるものです。

封装的SEE免疫和抗辐射增强模式氮化镓（eGaN）器件在性能上显著优于老化的抗辐射硅MOSFET，能够在更高频率、更高效率和更高功率密度下工作，从而实现新一代的太空电源转换器。

亲爱的EPC的朋友、同事和合作伙伴：

硅已经存在很久了。是时候让一个更年轻且更适合的挑战者接管半导体材料的主导地位了。

随着电机技术的进步，功率密度增加；电机设计成更小的外形尺寸和更高的速度、更高的精度，这需要更高的电频率。

本文最初由M. Di Paolo Emilio发表在Power Electronic News网站上。