现场演讲 – C6 馆,221 号展位
11 月 10 日,下午 2:00 – 2:30
抗辐射 GaN:从利基市场走向主流
Bel Lazar,EPC Space 首席执行官
在不到六年的时间里,EPC Space 已在越来越多的太空电源应用中取代抗辐射硅 MOSFET。最初作为利基替代方案的技术,如今已成为新设计优先考虑的技术。EPC Space 估计,其已占据超过 35% 的抗辐射功率 FET 应用市场,而且几乎每一项新的电源管理设计都已经采用我们的抗辐射 GaN FET、IC 或模块,或者正在积极评估这些产品。目前已有超过 500,000 颗 EPC Space 器件运行于 LEO、MEO 和 GEO 轨道。
11 月 11 日,上午 11:00 – 11:30
面向 AI 数据中心的 GaN 器件任务剖面可靠性
Shengke Zhang,可靠性与全球 FAE 副总裁
GaN 可为 AI 数据中心供电带来显著的性能优势。在 AI 数据中心任务剖面下,GaN 器件的长期可靠性对于其广泛采用至关重要。本演讲将评估 GaN 中主要的内在磨损机制,并基于经实验验证的可靠性模型提供寿命预测。结果表明 EPC GaN 器件能够满足 AI 数据中心的长期可靠性要求。
11 月 11 日,下午 2:00 – 2:30
面向机器人和无人机的新型 100 V 半桥和三相 GaN IC
Marco Palma,EPC 电机驱动市场与系统工程副总裁
Marco Palma 将介绍 EPC GaN IC 技术的最新进展,以及面向人形机器人和无人机电机驱动的新器件。所展示的器件包括半桥功率级 IC 和紧凑型三相模块。与会者还将抢先了解面向机器人手部和小型无人机的未来单片三相逆变器。
11 月 12 日,上午 11:00 – 11:30
在多千瓦隔离式转换器中利用低压 GaN FET 革新高压应用
Michael De Rooij,EPC GaN 应用专家
AI、数据服务器和工业自动化等应用对电源提出了越来越高的小型化和高效率要求,因此需要创新解决方案。低压器件能够改变高压隔离应用的实现方式,并同时提供高功率密度和高效率。演讲将介绍稳压 ISOP 配置 LLC 转换器等多个实例,并展示针对 800 V/400 V 降压至 12 V/50 V、功率范围从 1.5 kW 到 12 kW 的不同配置和拓扑变化。
