EPC2366：40 V，68 A 增强型并采用半桥拓扑的氮化镓功率晶体管

VDS, 40 V
典型 RDS(on), 0.8 mΩ
ID, 68 A
脉冲 ID, 360 A

EPC2366 GaN PowerIC
封装尺寸: 3.3 x 2.6 mm

应用

  • 高性能、高功率密度DC-DC转换
  • 高频 DC-DC 转换
  • 同步整流

优势

  • 超低总栅电荷（QG），适用于高频应用
  • 业界领先的导通电阻与总栅电荷乘积性能指标（优于12毫欧·纳库）
  • 带背面散热焊盘的PQFN封装
  • 没有反向恢复
状态: 工程样品
工程样品，在购买时带有 ENG* 后缀，处于工程状态，不应用于可靠性压力测试或其他认证测试。如需了解最新状态，请联系您的现场应用工程师。
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EPC90167 40 V, 25 A 半桥评估 $200.00

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