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无封装高电子迁移率晶体管可实现高效功率转换

Posted 2013年10月10日

封装的缺点是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本，并增加阻抗和电感，从而降低器件的性能。宜普电源转换公司Alex Lidow辩说最有效的解决方案是不用封装，使 氮化镓高电子迁移率晶体管与等效硅器件相比，具有相同成本的优势。

杂志：Compound Semiconductor
日期：２０１３年6月

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EPC Addresses Global GaN Power Management Product Demand; Leverages Digi-Key for Global Distribution

Posted 2013年10月10日

Global electronic components distributor Digi-Key Corporation, the industry leader in electronic component selection, availability and delivery, today announced new inventory of Gallium Nitride (GaN) power management products, available for immediate shipment as part of an exclusive global distribution agreement with Efficient Power Conversion (EPC) http://www.digikey.com/us/en/press-release/epc-gan-global-distribution-agreement.html

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eGaN FET-Silicon Power Shoot-Out: A Retrospective of Sixteen Articles

Posted 2013年7月11日

When a new technology is introduced, it is not reasonable to think that engineers will intuitively know how to effectively and efficiently take advantage of the performance enhancements that the new technology offers – there is always a learning curve. This is being borne out in the case of the rapidly emerging technology of high performance gallium nitride transistors.

GaN FET technology was made available to the general power conversion engineering community in mid-2010 when Efficient Power Conversion (EPC) introduced the industry’s first commercially available GaN transistor. Since that time, EPC has continued on two parallel paths – one to expand their portfolio of products and the other to share what it learns about the use of the technology with power conversion systems design engineers. One of these educational efforts has been to work with the editors of Power Electronics magazine and publish a bi-monthly series of articles on the characteristics of GaN technology and its applications.

This series is entitled eGaN FET -- Power Silicon Shoot Out. Articles in the series took on both basic issues and specific applications using gallium nitride components. It is timely to make a quick review of the sixteen articles to make certain that we have accomplished the goal of assisting engineers in climbing the learning curve. This retrospective look will give us insight into what further topics and studies are needed to advance the adoption of GaN technology, the need to learn is never finished.

By: JOHAN STRYDOM, Ph. D., Vice President, Applications, Efficient Power Conversion Corporation
MICHAEL DE ROOIJ, Ph.D., Executive Director of Applications Engineering, Efficient Power Conversion Corporation
DAVID REUSCH, PH.D., Director, Applications, Efficient Power Conversion Corporation

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宜普电源转换公司（EPC）推出内含氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）、电源效率为96%的1MHz降压转换器演示板

Posted 2013年6月19日

EPC9107 演示板展示如何使用具备高开关频率的氮化镓功率晶体管以缩小尺寸及提高电源转换效率

宜普公司在二零一三年五月宣布推出全功能降压电源转换演示板（EPC9107）。该板展 示输入电压为9V至28V、当电源电压为3.3V时可提供15 A的电流的1 MHz降压转换器，内含EPC2015氮化镓场 效应晶体管，并配合德州仪器公司的100 V半桥栅极驱动器（LM5113）。当使用了这个专为驱动氮化镓晶体管而设的驱 动器，EPC9107 展示具有高开关频率的氮化镓场效应晶体可实现缩小尺寸及提高性能等优势。

EPC9107演示板的面积为3平方英寸，内含全闭环降压转换器，并具备经过优化的控制环路，而放置在仅半英寸x半英寸极紧凑的版图上的全功率级，包含了氮化镓 场效应晶体管、驱动器、电感及输入/输出电容，以展示使用氮化镓场效应晶体管并在配备驱动氮化镓器件的驱动器LM5113的条件下可实现的卓越性能。

演示板虽然细小，其最大电源效率超过96%，当电源电压为3.3V时可以提供15A的电流。为帮助设计工程师， 我们设计这个易于安装的演示板并具备多个探测点， 以便测量简单的波形和计算效率。

随EPC9107演示板一起提供的还有一份供用户参考的速查指南 http://epc- co.com/epc/documents/guides/EPC9107_qsg.pdf， 配备安装步骤、电路图表、性能曲线及BOM等资料， 帮助使用户可以更容易使用演示板。

EPC9107演示板的单价为195.94美元，客户可以透过DigiKey公司在网上购买，网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持

速查指南 http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9107_qsg.pdf 

EPC2015及所有宜普氮化镓器件的数据表，可在这个网页下载: http://epc-co.com/epc/Products.aspx

关于开发板及其它设计支持的资料 http://epc-co.com/epc/products/demo-boards

参看宜普公司氮化镓器件的应用支持资料：http://epc- co.com/epc/design-support

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器 、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的 网站www.epc-co.com 。

客户在Twitter的网址http://twitter.com/#!/EPC_CORP 可以找到EPC，也可以在我们的网页http://bit.ly/EPCupdates注册，定期收取EPC公司的最新产品资讯。

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])

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氮化镓场效应晶体管与硅功率器件比拼第14章第1部分：氮化镓场效应晶体管的小信号射频性能

Posted 2013年6月3日

虽然氮化镓场效应晶体管被设计及优化为一种开关功率器件，但该晶体管也具备良好的射频特性。 本章是关于氮化镓场效应晶体管在200 MHz至2.5 GHz频率范围的射频特性的第1部分。

作者：宜普公司应用工程行政总监Michael de Rooij博士、产品应用副总裁Johan Strydom博士及Peak Gain Wireless总裁Matthew Meiller

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Exploring gallium nitride technology

Posted 2013年5月21日

杂志：EE Times Asia
日期：2013年5月16日

作为替代MOSFET器件的氮化镓（GaN）功率器件在商用直流-直流电源转换的应用已发展了三年，随着氮化镓器件暂露头角，加上以前使用MOSFET的场效应晶体管而不能实现的应用也可以使用氮化镓器件来实现，对于氮化镓功率器件的开发者来说，以前想不到及还没有开发的全新应用将提供大有可为的发展机遇。

http://www.eetasia.com/ART_8800684828_480200_TA_f13f883a.HTM

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氮化镓器件与硅功率器件比拼第十三章第二部分：最优化的印刷电路板版图

Posted 2013年4月5日

与基于传统MOSFET的设计相比，基于氮化镓场效应晶体管的负载点降压转换器能够通过优化印刷电路板的版图而减少寄生电阻，从而提高效率、加快开关速度及减少器件的过冲电压。

详情请浏览http://powerelectronics.com/gan-transistors/egan-fet-silicon-power-shoot-out-vol-13-part-2-optimal-pcb-layout。

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硅、氮化镓与碳化硅器件的比拼：我的功率设计应该选用哪一个工艺及供应商？

Posted 2013年3月21日

杂志：EDN
作者：Steve Taranovich
日期：２０１３年３月１５日

随着功率元件不断的演进，领先开发者之间的竞赛更趨白热化。业界专家认为在２０１３年中大约有一半的氮化镓、硅及碳化硅器件的供应商将在工艺方面取得进展、提供全新结构及性能，进而为业界提供全新选择及开发工具。详情请浏览http://www.edn.com/design/power-management/4409627/1/Si-vs--GaN-vs--SiC--Which-process-and-supplier-are-best-for-my-power-design-

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Paultre on Power - Power GaN

Posted 2013年3月20日

作者 ：Alix Paultre
杂志 ：Power Systems Design

这个podcast的内容是关于我们与宜普电源转换公司Alex Lidow的谈话内容，Alex主要分享全新氮化镓器件的技术及它们对电源业界的影响。宜普公司是基于增强型氮化镓的电源管理器件的领先供货商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，应用范围包括负载点转换器、以太网供电、服务器、计算机应用的直流-直流转换器、LED高效照明、移动电话、射频传送、太阳能微型逆变器及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览http://www.powersystemsdesign.com/paultre-on-power---power-gan?a=1&c=6282。

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