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宜普电源转换公司(EPC)的元件模型被纳入新版国家仪器公司(NI) Multisim 13.0 SPICE电路模拟及设计软件

宜普电源转换公司的元件模型被纳入国家仪器公司最新推出的Multisim 13.0,已为数千工程師提供一個易於使用的環境,用以模擬採用EPC元件的功率转换系统,从而提高功率系统效率、缩小产品尺寸及降低设计功率转换系统的开发成本。

硅基增强型功率氮化镓场效应晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司宣布其增强型功率氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)SPICE模型被收纳入国家仪器(NI)最新推出的 Multisim 电路模拟及设计软件。Multisim提供全方位的電路分析工具,帮助工程师从先进功率转换系统的应用中易于计算、改变及查寻参数。

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宜普电源转换公司(EPC)领先业界的基于氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)的开发板在中国荣获2013年度奖项

基于40V氮化镓场效应晶体管(EPC2014)的EPC9005开发板旨在帮助工程师于短时间内设计具备高频开关性能的电源转换系统

宜普公司宣布EPC9005开发板在中国荣获两个媒体颁发2013年度奖项,分别为今日电子杂志颁发2013年度十大电源产品奖的“优化开发奖”及EDN China杂志颁发2013年度中国创新奖的“优秀产品奖”。

“我们感到非常荣幸我司的产品得到今日电子杂志及EDN China杂志颁发2013年度奖项,表彰我们在技术创新方面所做出的努力。基于40 V氮化镓场效应晶体管(EPC2014)的EPC9005开发板可帮助工程师于短时间内设计具备高频开关性能的电源转换系统。EPC9005开发板是一种已制作好及易于连接的开发板,并备有完善归档的技术支持数据,使工程师可轻松地利用氮化镓场效应晶体管设计产品。在此我们再次感谢媒体朋友及工程师一直以来对我们的支持!”宜普公司首席执行官Alex Lidow说。

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专业高音质并可实现96%效率 – 宜普公司推出内含氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)演示板,实现具备高质音频性能并可以节省空间的设计

EPC9106 D类音频放大器参考设计使用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管,展示在提升效率、缩小产品尺寸及不需散热器之同时可实现具专业消费类水平的高质音响效果。

宜普电源转换公司推出150 W、8 Ω D类音频放大器的参考设计(EPC9106)。该演示板使用 Bridge-Tied-Load (BTL)设计,配置四个具接地连接的半桥输出级电路,为可升级及可拓展的设计。在这个基于氮化镓场效应晶体管的系统中,我们把所有可影响D类音频系统音质的元素减至最少或完全去除。

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高频功率转换器件的封装的考虑因素

在开关频率10 MHz或以上,电源转换需要具备高速开关的晶体管并配备在高频工作的封装。相比日渐老龄化的功率MOSFET器件,由于氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)提供无可匹敌的器件性能及封装,因此可以在高频时提高电源转换效率。

Bodo’s Power Systems
客席编辑: Alex Lidow
2013年11月

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EPC宜普电源转换公司推出商用高铅含量的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)

宜普公司的增强型氮化镓场效应晶体管备受推荐,其商用高铅含量的EPC2801、EPC2815及EPC2818器件现在可以在网上购买。

宜普公司(www.epc-co.com.cn)推出带高铅含量焊锡端子的器件,非常适合要求更高焊接温度的应用。EPC2801、EPC2815及EPC2818器件的焊接端子中的铅含量为95%,而锡含量为5%。

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无封装高电子迁移率晶体管可实现高效功率转换

封装的缺点是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本,并增加阻抗和电感,从而降低器件的性能。宜普电源转换公司Alex Lidow辩说最有效的解决方案是不用封装,使 氮化镓高电子迁移率晶体管与等效硅器件相比,具有相同成本的优势。

杂志:Compound Semiconductor
日期:2013年6月

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EPC Addresses Global GaN Power Management Product Demand; Leverages Digi-Key for Global Distribution

Global electronic components distributor Digi-Key Corporation, the industry leader in electronic component selection, availability and delivery, today announced new inventory of Gallium Nitride (GaN) power management products, available for immediate shipment as part of an exclusive global distribution agreement with Efficient Power Conversion (EPC) http://www.digikey.com/us/en/press-release/epc-gan-global-distribution-agreement.html

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Efficient Power Conversion (EPC) Blurs the Line Between Power and RF Transistors with Family of Gallium Nitride Transistors Capable of Amplification into the Multiple GHz Range

Power systems and RF designers now have access to high performance GaN power transistors capable of amplification into the low GHz range, enabling innovative designs not achievable with silicon.

EL SEGUNDO, Calif. — September 2013 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN®) power FETs extends its family of high-speed, high performance transistors with the EPC8000 family of products.

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eGaN FET-Silicon Power Shoot-Out: A Retrospective of Sixteen Articles

When a new technology is introduced, it is not reasonable to think that engineers will intuitively know how to effectively and efficiently take advantage of the performance enhancements that the new technology offers – there is always a learning curve. This is being borne out in the case of the rapidly emerging technology of high performance gallium nitride transistors.

GaN FET technology was made available to the general power conversion engineering community in mid-2010 when Efficient Power Conversion (EPC) introduced the industry’s first commercially available GaN transistor. Since that time, EPC has continued on two parallel paths – one to expand their portfolio of products and the other to share what it learns about the use of the technology with power conversion systems design engineers. One of these educational efforts has been to work with the editors of Power Electronics magazine and publish a bi-monthly series of articles on the characteristics of GaN technology and its applications.

This series is entitled eGaN FET -- Power Silicon Shoot Out. Articles in the series took on both basic issues and specific applications using gallium nitride components. It is timely to make a quick review of the sixteen articles to make certain that we have accomplished the goal of assisting engineers in climbing the learning curve. This retrospective look will give us insight into what further topics and studies are needed to advance the adoption of GaN technology, the need to learn is never finished.

By: JOHAN STRYDOM, Ph. D., Vice President, Applications, Efficient Power Conversion Corporation
MICHAEL DE ROOIJ, Ph.D., Executive Director of Applications Engineering, Efficient Power Conversion Corporation
DAVID REUSCH, PH.D., Director, Applications, Efficient Power Conversion Corporation

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宜普电源转换公司(EPC)推出内含氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)、电源效率为96%的1MHz降压转换器演示板

EPC9107 演示板展示如何使用具备高开关频率的氮化镓功率晶体管以缩小尺寸及提高电源转换效率

宜普公司在二零一三年五月宣布推出全功能降压电源转换演示板(EPC9107)。该板展 示输入电压为9V至28V、当电源电压为3.3V时可提供15 A的电流的1 MHz降压转换器,内含EPC2015氮化镓场 效应晶体管,并配合德州仪器公司的100 V半桥栅极驱动器(LM5113)。当使用了这个专为驱动氮化镓晶体管而设的驱 动器,EPC9107 展示具有高开关频率的氮化镓场效应晶体可实现缩小尺寸及提高性能等优势。

EPC9107演示板的面积为3平方英寸,内含全闭环降压转换器,并具备经过优化的控制环路,而放置在仅半英寸x半英寸极紧凑的版图上的全功率级,包含了氮化镓 场效应晶体管、驱动器、电感及输入/输出电容,以展示使用氮化镓场效应晶体管并在配备驱动氮化镓器件的驱动器LM5113的条件下可实现的卓越性能。

演示板虽然细小,其最大电源效率超过96%,当电源电压为3.3V时可以提供15A的电流。为帮助设计工程师, 我们设计这个易于安装的演示板并具备多个探测点, 以便测量简单的波形和计算效率。

随EPC9107演示板一起提供的还有一份供用户参考的速查指南 http://epc- co.com/epc/documents/guides/EPC9107_qsg.pdf, 配备安装步骤、电路图表、性能曲线及BOM等资料, 帮助使用户可以更容易使用演示板。

EPC9107演示板的单价为195.94美元,客户可以透过DigiKey公司在网上购买,网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持

速查指南 http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9107_qsg.pdf 

EPC2015及所有宜普氮化镓器件的数据表,可在这个网页下载: http://epc-co.com/epc/Products.aspx

关于开发板及其它设计支持的资料 http://epc-co.com/epc/products/demo-boards

参看宜普公司氮化镓器件的应用支持资料:http://epc- co.com/epc/DesignSupportbr/Applications/DesignBasics.aspx

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括服务器 、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的 网站www.epc-co.com

客户在Twitter的网址http://twitter.com/#!/EPC_CORP 可以找到EPC,也可以在我们的网页http://bit.ly/EPCupdates注册,定期收取EPC公司的最新产品资讯。

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])

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