宜普电源转换公司(EPC)推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，完善了额定电压为 100V、150 V和200 V的6个GaN晶体管系列，提供更高的性能、更小的解决方案和易于设计的DC/DC 转换、AC/DC SMPS和充电器、太阳能优化器和微型逆变器，以及电机驱动器。

全球增强型氮化镓FET和IC领导者EPC推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，采用耐热增强型QFN封装，占位面积仅为3 mm x 5 mm。

Efficient Power Conversion (EPC) introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs offering higher performance and smaller solution size and cost for DC-DC conversion, AC/DC SMPS and chargers, solar optimizers and microinverters, and motor drives.

EL SEGUNDO, Calif.— December 2022 — EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride FETs and ICs, introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs in a thermally enhanced QFN package with exposed top and tiny 3 mm x 5 mm footprint.

Efficient Power Conversion (EPC) strengthens market leadership in gallium nitride power conversion by adding significant 8-inch manufacturing capacities in collaboration with Vanguard International Semiconductor Corporation (VIS).

EL SEGUNDO, Calif.— December 6, 2022 — EPC, the world’s leader in gallium nitride (GaN) power FETs and integrated circuits (ICs), and Vanguard International Semiconductor Corporation (VIS), a leading specialty IC foundry service provider, today jointly announced a multi-year production agreement to produce gallium nitride-based power semiconductors. EPC will utilize VIS’ 8-inch (200 mm) wafer fabrication capabilities, significantly increasing manufacturing capacities for EPC’s high-performance GaN transistors and integrated circuits. Manufacturing will commence in early 2023.

宜普电源转换公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2066），为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。

全球行业领先供应商宜普电源转换公司 为业界提供增强型氮化镓（eGaN^®）功率场效应晶体管和集成电路，新推40 V、典型值为0.8 mΩ的EPC2066氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。

Easy Engineering媒体采访了宜普电源转换公司（EPC）的市场营销总监Renee Yawger，了解目前氮化镓器件应用的情况和氮化镓技术的未来。

Easy Engineering
2022年5月
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宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。

全球行业领先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓（eGaN^®）功率场效应晶体管和集成电路，最新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的EPC2071氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)材料为主流的宽带隙(WBG)半导体功率器件，在节能永续意识抬头的今日成为各种功率系统应用的宠儿。2022年Tech Taipei研讨会首度以WBG器件为题，邀请业界重量级业者，从设计、制造、测试等不同面向与现场超过400位听众分享最新技术与应用趋势...

EE Times Taiwan
2022年3月25日
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当数据中心的服务器转用48 V架构，氮化镓晶体管可以替代目前的硅MOSFET器件，性能得以进一步提升和成本可以更低。

Data Center Dynamics
2022年3月
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瑞萨电子(Renesas)的两相同步GaN升压控制器与宜普电源转换公司（EPC）的超高效eGaN^® FET相结合，实现了高功率密度和低成本的DC/DC转换。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出12 V输入、48 V输出、500 W的DC/DC演示板（EPC9166）。该演示板展示出瑞萨电子ISL81807 80 V两相同步升压控制器和宜普公司最新一代EPC2218 eGaN FET，在开关频率为500 kHz的12 V输入到48 V稳压输出转换中，效率超过96.5%。输出电压可配置为36 V、48 V和60 V。该板在没有散热器的情况下，可提供480 W的功率。

EPC公司为电源系统设计工程师提供全新的100 V、23 mΩ 功率晶体管（EPC2070），它采用微型芯片级封装并提供34 Ａ脉冲电流，非常适合 60 W、48 V 电源转换器、激光雷达和 LED 照明等应用。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的氮化镓晶体管（EPC2070），具有23 mΩ 的最大导通阻抗和34 A脉冲输出电流，可在细小的1.1 mm²占板面积实现高效功率转换。

EPC推出了40 V、1.3 mΩ的氮化镓场效应晶体管 （eGaN^®EPC2067，专为设计人员而设。EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠，适用于高性能且空间受限的应用。

宜普电源转换公司（EPC）是增强型硅基氮化镓功率晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2067（典型值为 1.3 mΩ、40 V）扩大了可选的低压器件，可立即供货。

EPC 推出了 40 V、1.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管 （eGaN^® FET），器件型号为EPC2069，专为设计人员而设，EPC2069比目前市场上可选的器件更小、更高效、更可靠，适用于高性能且空间受限的应用。

宜普电源转换公司（EPC）是增强型硅基氮化镓功率晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2069（典型值为 1.6 mΩ、40 V）是更高性能的低压器件，可立即供货。

随着数据处理基础设施的持续快速增长，市场要求在最小的占板面积内提供更高的功率。

Power Systems Design
2021年9月
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宜普电源转换公司（EPC）宣布推出新型EPC9149演示板。该板为一款可提供1 kW功率的48 V输入、12 V输出的LLC转换器，可作为直流变压器，转换比为4：1。EPC9149采用额定电压为100 V的EPC2218氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）和额定电压为40 V的EPC2024 。

EPC9149的尺寸是根据DOSA标准的1/8砖型，仅为58.4 mm x 22.9 mm。输出功率是1 kW时，EPC9149比基于硅器件的解决方案要小得多，后者的尺寸通常是1/4砖或大两倍。不带散热器的转换器的总厚度仅为10 mm。为了让工程师能够轻松地复制这个设计，该电路板的所有设计资源，包括原理图、物料清单和Gerber文档，都可以在EPC网站上找到。

The combination of the Renesas dual synchronous GaN buck controller and ultra-efficient eGaN^® FETs from EPC (Efficient Power Conversion) enables high power density and efficiency with the same BOM size and cost as silicon.

EL SEGUNDO, Calif.—  February, 2021 — EPC announces the availability of the EPC9157, a 300 W DC-DC demo board in the tiny 1/16^th brick size, measuring just 33 mm x 22.9 mm x 9mm (1.3 x 0.9 x 0.35 in). The EPC9157 demo board integrates the Renesas ISL81806 80 V dual synchronous buck controller with the latest-generation EPC2218 eGaN FETs from EPC to achieve greater than 95% efficiency for 48 V input to 12 V regulated output conversion at 25 A.  

The combination of MPS (Monolithic Power Systems) controllers with ultra-efficient eGaN^® FETs from EPC (Efficient Power Conversion) enable best-in-class power density of 1700 W/in³ in high efficiency, low cost LLC DC-DC Conversion

面向高功率密度且低成本的DC/DC转换，EPC9151功率模块利用EPC2152 ePower™功率级实现性能更高和尺寸更小的解决方案。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9151，这是一款300 W、双向、超小尺寸的1/16砖型DC/DC降压转换器模块，其尺寸仅为33 mm x 22.9 mm (1.3”x 0.9”)。EPC9151采用Microchip公司的数字信号控制器（dsPIC33CK）和EPC公司的 ePower™ 功率级集成电路（EPC2152），于300 W、48 V/12 V的转换器中，可以实现95％以上的效率，而且可以在这个可扩展的两相设计中增加相数，使得功率可以更高。

宜普电源转换公司（EPC）推出170 V、6.8毫欧的EPC2059氮化镓场效应晶体管(eGaN^®FET），相比目前用于高性能48 V同步整流的器件，EPC为设计工程师提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的器件。

宜普电源转换公司是增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领先供应商，旨在提高产品性能而同时降低可发货的氮化镓晶体管的成本，推出EPC2059(6.8 mΩ、170 V)氮化镓场效应晶体管，是100 V ~ 200 V解决方案系列的最新产品，该系列适用于广阔的功率级并备有不同价格的器件可供选择，满足市场对48 V ~ 56 V服务器和数据中心产品，以及一系列用于高端计算的消费类电源应用（包括游戏PC，LCD / LED电视和LED照明）不断增长的需求。

EPC公司进一步更新了其广受欢迎的教育视频播客系列，上载了６个视频，针对器件可靠性及基于氮化镓场效应晶体管及集成电路的各种先进应用，包括面向人工智能的高功率密度运算应用，面向机械人、无人机及车载应用的激光雷达系统，以及Ｄ类放音频放大器。

宜普电源转换公司（EPC）更新了其广受欢迎的“如何使用氮化镓器件”的视频播客系列。刚刚上载的六个视频主要分享实用范例，目的是帮助设计师利用氮化镓技术设计面向人工智能服务器及超薄笔记本电脑的先进DC/DC转换器、面向机械人、无人机及全自动驾驶汽车的激光雷达系统，以及实现有可能是具有最高音质的音频系统。

根据预测，到2025年，我们的数据将会超过175 zettabyte。当发明了 5G并将最早于2020年在日本举行的奥运采用、以及通过人工智能（AI）及机器学习（ML）的发展，建立数据中心和其部署、以及提升目前较旧的数据中心的效能，将进入突飞猛进的时代。

我深信氮化镓（GaN）功率晶体管是数据中心功率架构的最理想元件，因为需要小型化、高效及快速开关的元件。氮化镓器件在具48 VIN的所有拓扑，都可以实现最高的效率。

EDN
2019年6月
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