EPC2307:200 V、130 A 的增强型氮化镓功率晶体管

VDS, 200 V
RDS(on), 10 mΩ
ID, 48 A
脉冲 ID, 130 A

EPC2307 Enhancement Mode GaN Power Transistor
封装尺寸:3 mm x 5 mm

应用

  • 同步整流
  • AC/DC 充电器、SMPS、适配器
  • 无线电源传送
  • D类音频放大器
  • 无线电源传送
  • 高功率激光雷达和dToF应用

优势

  • 效率更高
    • 更低的传导损耗
    • 更低的开关损耗
    • 零反向恢复损耗
  • 实现更高功率密度的电源转换
  • 超小占板面积
产品状况:工程产品
在购买器件时,产品型号后缀ENG*代表该器件仍然处于"工程状态",不适宜进行可靠性应力测试或其它的认证测试。在进行该些测试之前,请联系您的所属区域的EPC公司FAE及查询该器件的最新状态。
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

对EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何问题吗?
向GaN技术专家请教