EPC2366 40 V eGaN® FET 为下一代电力电子在性能、效率和功率密度方面树立了新的标杆。
加利福尼亚州埃尔塞贡多（El Segundo），2026 年 1 月 13 日 - 高效能电源转换公司（Efficient Power Conversion，EPC）自豪地宣布，其 EPC2366 40 V 增强型氮化镓（eGaN®）功率晶体管荣获 EPDT 2025 年度产品奖，并获得 功率晶体管 类别殊荣。该奖项彰显了 EPC 在提供前沿 GaN 技术方面的领导地位，可在数据中心、机器人和 AI 基础设施应用中实现更高效率和更卓越的性能。
全面的电气性能
EPC2366 是一款 40 V 增强型 GaN（eGaN®）功率晶体管，适用于需要高速开关、低损耗、高功率密度和高效率的应用。与任何相同电压等级的传统功率 MOSFET 相比，EPC2366 均具备显著优势，是 12 VOUT 同步整流应用的最佳选择。其极低的漏极到源极导通电阻 RDS(on) 仅为 0.8 mΩ，可在高电流条件下显著降低导通损耗。该器件具备出色的基于栅极电荷的性能指标（Figure of Merit，FoM），定义为 RDS(on) × QG < 12 mΩ·nC，是衡量开关性能的关键指标。如此低的 FoM 表明 EPC2366 能同时降低导通损耗和开关损耗，使其在高频功率转换应用中明显优于传统硅 MOSFET。
EPC2366 的漏源额定电压为 40 V，瞬态耐压能力高达 48 V。在 5 V 栅极驱动电压下，其连续漏极电流可达 88 A，脉冲电流约为 360 A。增强型工作模式使其栅极驱动方式与硅 MOSFET 类似，同时仍可享受 GaN 技术的优势，例如无反向恢复电荷以及极低的输出电容。这些特性可实现更快的开关转换、降低死区损耗，并显著提升同步整流和半桥拓扑结构的效率。
该器件通过小型 3.3 × 2.6 mm PQFN 封装实现了针对高功率密度的热优化，封装背面带有散热焊盘，可有效将热量传导至 PCB。其结温到壳体的热阻通常约为 0.6 °C/W，结温到电路板的热阻约为 1.8 °C/W。结温到环境的热阻会因 PCB 设计而有所不同：在 JEDEC 标准板上约为 54 °C/W，而在 EPC 推荐的评估板布局上可低至 26 °C/W。只要 PCB 设计合理并适当铺铜，这些热参数即可实现高效散热，从而确保器件在最高 150 °C 结温下可靠运行。
半桥评估板
高效能电源转换公司（EPC）推出了 EPC90167，这是一款 40 V 半桥评估板，旨在帮助工程师在高频、高电流功率转换应用中快速、准确地评估 EPC2366 增强型 eGaN® 功率晶体管。该评估板采用两个 EPC2366 器件构成紧凑型半桥结构，并集成所有即用型所需的外围电路，是从事 DC-DC 转换器、电机驱动或其他高速开关功率级设计工程师的理想参考设计。其设计充分发挥了 GaN 技术的高速开关和低损耗优势，同时将寄生电感和振铃降至最低。
该评估板支持 7.5 V 至 12 V 的栅极驱动电源，并兼容标准 PWM 逻辑输入电平。其可在单输入或双输入 PWM 模式下运行，具备高度灵活性。在单输入模式下，板载逻辑会生成互补的栅极驱动信号并设置固定死区时间；在双输入模式下，用户可分别直接控制高侧和低侧开关，以实现更高级的调制方案，前提是确保合适的死区时间。
EPC90167 的主要设计目标之一是提升热性能。该板利用 EPC2366 器件的背面散热焊盘，将热量快速导入 PCB，并可根据需要传导至外部散热器。评估板上清晰标注了栅极驱动电压、开关节点波形和电源轨等关键测试点，便于测量和调试。随附的指南提供了安全启动和关断系统的建议步骤，包括在施加主母线电压前先启用栅极驱动，并在逐步提升工作条件的同时监测温度和波形。
赋能高效电力未来：屡获殊荣的卓越表现
EPC2366 是一款具有变革意义的 eGaN® 器件，专为 48 V–12 V LLC 转换器次级侧的同步整流应用而优化。其业界领先的性能指标支持更高的开关频率和更优的效率，使其非常适合 AI 数据中心电源等高功率密度应用。
“荣获 EPDT 年度产品奖再次证明了 GaN 正在不断重新定义电力电子的可能性，”EPC 首席执行官兼联合创始人 Alex Lidow 表示，“EPC2366 展示了我们持续致力于帮助工程师设计更小、更快、更高效系统的承诺，以满足未来不断增长的功率需求。”
EPDT 编辑 Mike Green 评论道：“祝贺 EPC 团队在 EPC2366 的开发、发布及推广过程中所做出的杰出贡献。公司正在将宽禁带技术拓展至此前尚未涉足的全新领域，而该器件在 FoM 和功率密度方面实现的差异化优势，将为下一代电力系统设计带来显著价值。”
欲了解更多信息，请访问 www.epc-co.com/epc ，或查阅 EPC2366 数据手册 以及 EPC90167 评估板的 快速入门指南。
关于宜普电源转换公司
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标应用包括直流-直流转换器、激光雷达（LiDAR）、用于电动出行、机器人和无人机的电机驱动器，以及低成本卫星等应用。此外，宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。eGaN®是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com和观看优酷。
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