EPC2307: 200 V, 130 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor

VDS, 200 V
RDS(on), 10 mΩ
ID, 48 A
脉冲 ID, 130 A

EPC2307 Enhancement Mode GaN Power Transistor
Package Size: 3 mm x 5 mm

应用

  • 同步整流
  • AC/DC chargers, SMPS, adaptors
  • 无线电源传送
  • D类音频放大器
  • 无线电源传送
  • High power lidar & dToF

优势

  • 效率更高
    • Lower conduction losses
    • Lower switching losses
    • 零反向恢复损耗
  • 实现更高功率密度的电源转换
  • 超小占板面积
产品状况:工程产品
在购买器件时，产品型号后缀ENG*代表该器件仍然处于"工程状态"，不适宜进行可靠性应力测试或其它的认证测试。在进行该些测试之前，请联系您的所属区域的EPC公司FAE及查询该器件的最新状态。
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