EPC GaN Integrated Circuits

EPC氮化镓(GaN)集成电路产品选择指南

氮化镓(GaN)器件在提升功率转换系统性能的最大机遇是它可以将功率级和信号级器件集成在一块芯片上。

2014年,EPC公司的第一批商用氮化镓集成电路以单片半桥器件的形式推出市场。 随着技术的进步,更复杂的集成电路开始在市场上出现,例如包含两个功率晶体管和驱动器电路的集成电路,当它被低功率逻辑栅极驱动时,可在高达7 MHz的频率下高效地工作。

接下来的计划是推出集成了驱动器和电平电路的单片半桥器件,从而构建单片功率级。之后,我们继续推出具备最优越性能和特定应用功能的单片功率级产品系列,这些产品将迎来功率转换的新时代。

之后,于2020 年推出了单片半桥,它结合了驱动器和电平转换电路以创建单片功率级(EPC2152)。其后,我们继续推出一系列单片功率级产品,具备超卓性能且针对特定应用的特性,旨在为开启电源转换的新时代作出贡献。

几年后,将出现分立器件与集成电路的融合。随着分立器件实现越来越高的功率密度,将不再可能从器件的焊球和焊条中取得所需的电流。因此,需要集成到小型、多芯片、具有多功能的集成电路中。很可能在未来几年内的功率转换中,分立式晶体管将被慢慢地淘汰,而基于集成电路的解决方案,将成为设计工程师在构建功率系统时必选的元件。

关于GaN IC的更多信息,请下载电子书《GaN Power Solutions From Discrete to ICs

GaN 集成电路使您的系统可以更快、更小!

宜普电源转换公司(EPC)可让客户自定义集成电路级别,从而符合客户的要求和实现所需的解决方案。如欲讨论如何实现所需的基于氮化镓器件的解决方案,请把您的要求,发送电子邮件至[email protected],我们会与您联系。

如需 EPC eGaN 器件的列表,请参阅器件选型指南

集成电路选型表

产品型号 产品状况 配置 功能 VPWR
(V)
IOUT
(A)
Peak
IOUT
(A)
VDD
(V)
输入逻辑
最大值
频率
(MHz)
UVLO
(V)
封装
(mm)
演示板 立即购买
uP1966E 推荐 80 5 3.3 V BGA 1.6 x 1.6 寻找授权经销商
EPC21702 工程产品 单路 eToF™ 激光驱动器 100 7.4 30 5 3.3 V 10 LGA 1.66 x 1.46 寻找授权经销商
EPC21701 推荐 单路 eToF™ 激光驱动器 100 7.2 15 5 3.3 V 50 BGA 1.7 x 1 寻找授权经销商
EPC21603 推荐 单路 eToF™ 激光驱动器 40 3.7 10 5 LVDS 100 0 BGA 1 x 1.5 寻找授权经销商
EPC21601 推荐 单路 eToF™ 激光驱动器 40 3.4 15 5 3.3 V 100 0 BGA 1 x 1.5 寻找授权经销商
EPC2152 工程产品 半桥 ePower™ 功率级 80 15 90 12 3.3 V 3 7.5 LGA 3.9 x 2.6 寻找授权经销商
EPC23101 工程产品 半桥 ePower™芯片组 100 65 240 5 3.3 V 3 4 QFN 3.5 x 5 寻找授权经销商
EPC23101 工程产品 半桥 ePower™芯片组 100 5 5 3.3 V 3 4 QFN 3.5 x 5 寻找授权经销商
EPC23103 工程产品 半桥 ePower™ 功率级 100 25 61 5 3.3 V 3 QFN 3.5 x 5 寻找授权经销商
EPC23104 工程产品 半桥 ePower™ 功率级 100 15 44 5 3.3 V 3 QFN 3.5 x 5 寻找授权经销商
EPC23102 工程产品 半桥 ePower™ 功率级 100 35 140 5 3.3 V 3 QFN 3.5 x 5 寻找授权经销商