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光伏 (PV) 系统的采用持续增长,对制造商的压力推动了创新,并推动了新技术的应用,以在不牺牲可靠性的情况下降低成本。随着可再生能源系统的不断发展,像GaN FET这样的创新技术将是推动成本、性能和可靠性进一步提高的关键。
Bodo’s Power Systems
2024年11月
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在本文中,我们讨论了对广泛应用于工业中的 p-GaN HEMT 器件因漏极和栅极过电压应力导致的失效机制的根本原因进行分析的研究。在结论部分,我们还呈现了对该研究的一位作者的独家采访。
电力电子新闻
2024年10月
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世界正进入一个自动化的新纪元,机器人变得越来越先进,能够执行曾经被认为是人类专属领域的任务。在这一变革的前沿是仿人机器人,它们被设计为模仿人体的形式和功能。
Bodo’s Power Systems
2024年10月
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EPC 的 GaN 专家将在 PCIM Asia 期间展示最新一代的 GaN FET 和 IC,涵盖包括 AI 服务器、机器人等在内的各种实际应用。
加利福尼亚州埃尔塞贡多 — 2024 年 8 月 — 作为全球增强型氮化镓 (GaN) FET 和 IC 的领导者,EPC 很高兴宣布将参加 PCIM Asia 2024。该活动将于 8 月 28 日至 30 日在中国深圳举行。我们邀请与会者前往 11 号馆 F01 展位,探索业内最全面的 GaN 电力转换解决方案组合。
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EPC 的 GaN 基电源转换解决方案组合,旨在提供高效和高可靠性,已在欧洲国际功率电子会议(PCIM Europe)上展出。
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电子设计
2024年7月
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此裁决确认了宜普公司对其独有开创性氮化镓技术的专利权,该技术对推动人工智能、卫星、仿人机器人和自动驾驶等领域的快速发展至关重要
埃尔塞贡多, 加利福尼亚州 – 2024年7月8日 – 快速成长的创新企业宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下简称宜普公司)今日宣布其革命性的氮化镓技术专利在三个月内得到三次认证,标志着公司向氮化镓功率半导体行业的卓越地位更进一步。宜普公司开发的下一代宽禁带半导体对人工智能、卫星、快速充电器、激光雷达、仿人机器人以及其他许多变革性技术的发展均至关重要。
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视频:Alex Lidow 讨论了在 PCIM 会议上展示的电力电子最新趋势,GaN 技术的演变及其对可持续性和能源成本的影响。他还分享了克服技术和监管障碍的见解,并预测了将塑造电力电子市场的未来创新。
电力电子新闻
2024 年 6 月
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电池供电的应用,如新一代机器人、无人机和电动工具,需要缩小空间并简化设计以控制电动机。优化尺寸和组件可以带来创新解决方案,在不牺牲效率和性能的前提下,在小空间内包含更多功能。EPC ePower™ Stage ICs 技术有助于简化和改进高级电机控制应用中的逆变器设计。
Bodo’s Power Systems
2024年6月
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首个通用串行总线(USB)规范于1996年发布,旨在标准化计算和电信行业的电力传输和连接[1]。最初支持5V电源总线,电流高达5A(25W),最大数据传输速率为12 Mbit/s,由于电子设备的普及,USB已显著发展,导致对更高功率能力的需求。
Bodo’s Power Systems
2024年5月
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EPC推出了50V、8.5mOhm的EPC2057 GaN FET,尺寸仅为1.5mm x 1.2mm,为USB-C PD应用提供了更高的功率密度。
加利福尼亚州埃尔塞贡多—2024年6月—EPC是增强型氮化镓(GaN) 功率FET和IC的全球领导者,推出了50V、8.5mΩ的EPC2057。该GaN FET专为满足高功率USB-C设备的不断发展需求而设计,包括消费电子、车载充电和电动出行设备。
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EPC 的 GaN 专家将在 PCIM Europe 期间展示最新一代的 GaN FET 和 IC,并在各种实际应用中展示。
加利福尼亚州埃尔塞贡多 — 2024 年 5 月 — EPC,世界领先的增强模式氮化镓(GaN)FET 和 IC 制造商,荣幸宣布将参加 PCIM Europe,这一国际领先的电力电子、智能运动、可再生能源和能源管理的展览和会议。该活动将于 6 月 11 日至 6 月 13 日在德国纽伦堡举行,汇聚了行业专家和思想领袖,共同探讨电力电子和运动控制领域的最新进展。
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埃尔塞贡多, 加利福尼亚州 - 2024年5月6日 - 宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下简称宜普公司)于今日宣布其名为“补偿门极MISFET及其制造方法”的专利(中国专利号ZL201080015425.X)被中国国家知识产权局确认有效,该专利广泛应用于增强型氮化镓半导体器件。
该决定于2024年4月30日作出。此前,中国国家知识产权局还曾于2024年4月2日作出决定,确认宜普公司的名为“增强型氮化镓高电子迁移率晶体管器件及其制备方法”的专利(中国专利号ZL201080015388.2)的核心权利维持有效。这两项专利的无效请求人均为英诺赛科(苏州)科技有限公司(以下简称英诺赛科公司)。
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D类音频放大器参考设计(EPC9192)让模块化设计具有高功率和高效,从而可实现全定制、高性能的电路设计。
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9192参考设计,可实现优越、紧凑型和高效的D类音频放大器,于接地参考、分离式双电源单端 (SE)设计中发挥200 V eGaN FET器件(EPC2307)的优势,在4Ω负载时,每声道输出功率达700 W。
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我们目前人员均安,厂务正常运作中。各设施经过彻底检查,可安全地持续运营,生产没有中断。供应链也已经过评估,没有受到影响。
如果您有任何问题或疑虑,请随时联系您当地的EPC销售代表。
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根据国家知识产权局官网20204年4月2日的消息,宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下简称宜普公司)一件名为“增强型GaN高电子迁移率晶体管器件及其制备方法”的专利(专利号ZL201080015388.2)的核心权利要求6、9、10、13、14、17、18、22-26在无效程序(案件编号:4W116775)中被维持有效。该件专利的无效请求人是英诺赛科(苏州)科技有限公司(以下简称英诺赛科公司)。
According to the information on the official website of the China National Intellectual Property Administration (CNIPA) on April 2, 2024, the key claims 6, 9, 10, 13, 14, 17, 18 and 22-26 of the Chinese patent titled “Enhancement mode GaN HEMT device and method for fabricating the same” (Patent No. ZL201080015388.2) owned by Efficient Power Conversion Corp (“EPC”) have been maintained valid during an invalidation procedure (case number: 4W116775), which was requested by the petitioner Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd. (“Innoscience”).
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功率半导体广泛应用于电动出行的各个领域,根据电压和电流的要求,每个部分适合使用不同的技术,而新兴技术正在使得更小的系统得以实现。随着氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)技术的成熟和价格的下降,采用率正在增长,这些技术正越来越多地主导电动出行动力系统和电力系统的设计和开发。
电动出行工程
2024年3月
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基于氮化镓器件的逆变器参考设计(EPC9193)让您实现具有更高性能的电机系统,其续航里程更长、精度更高、扭矩更大,而且同时降低了系统的总成本。
宜普电源转换公司(EPC) 宣布推出 EPC9193,它是使用 EPC2619 eGaN® FET 的三相BLDC电机驱动逆变器,具有14 V~65 V的宽输入直流电压范围和两种配置,分别为标准和高电流版本:
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高效电源转换公司 (EPC) 发布第16阶段可靠性报告,为 GaN 可靠性和任务稳健性提供了新的研究成果。
加利福尼亚州埃尔塞贡多— 2024年3月 — EPC 宣布发布其 第16阶段可靠性报告,记录了继续使用失效测试方法的工作,并添加了有关过电压规格和提高热机械可靠性的具体指南。
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在这段来自Power Electronics News的视频中,来自半导体公司的几位杰出发言者分享了关于氮化镓和碳化硅基功率器件的突破性发展见解。
氮化镓发言者回答了两个决定宽带隙未来的关键问题:
- 基板材料选择对于基于氮化镓的功率器件的重要性。他们详细阐述了这种选择如何影响器件性能、可靠性和可制造性,并讨论了研究人员如何解决与基板相关的挑战。
- 氮化镓器件在特定市场领域超越传统硅基解决方案,推动采用并揭示各自公司的技术方向。发言者包括:
- 罗伯特·泰勒,德州仪器应用工程师/工业应用总经理
- 迈克尔·德·鲁伊,EPC应用工程副总裁
- 巴卢·巴拉克里什南,Power Integrations首席执行官
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EPC推出采用紧凑型QFN封装(3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET(EPC2361),助力DC/DC转换、快充、电机驱动和太阳能 MPPT等应用实现更高的功率密度。
2024年2月27日—全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET,与EPC的上一代产品相比,其功率密度提高了一倍。
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