EPC91120 参考设计将电源、传感和控制结合在一个超紧凑的格式中，适用于机器人关节和无人机。

加州埃尔塞贡多 — 2025年11月 — 高效电力转换公司 (EPC)，增强模式氮化镓 (eGaN^®) 电力器件的世界领导者，宣布推出 EPC91120，这是一款高性能的三相无刷直流 (BLDC) 电机驱动逆变器，专为仿人机器人关节优化。采用 EPC 的 EPC23102 ePower™ 级集成电路，EPC91120 提供卓越的效率、高功率密度和精确的运动控制，在一个直径仅32毫米的紧凑足迹中设计，可直接集成到机器人电机组件中。

EPC 的 5 kW GaN 模块化设计为 AI 服务器和 OCP ORv3 机架提供动力

加利福尼亚州埃尔塞贡多 — 2025年10月 — 高效功率转换公司（EPC），增强模式氮化镓（eGaN^®）功率器件的全球领导者，宣布推出一款高效率、高功率密度的 5 kW 交流至 48 V 直流参考设计，展示了氮化镓（GaN）技术在下一代服务器和 AI 电源架构中的全部潜力。

该完整系统—包括 EPC91107KIT 4级图腾柱PFC 和 EPC91110KIT 输入串联输出并联（ISOP）LLC 转换器—实现了高达 96.5% 的系统效率和 116 W/in³ 的组合功率密度。为满足开放机架 V3（OCP ORv3）尺寸要求而设计的这一模块化解决方案，与相当的硅实现相比，提供了卓越的性能，体积显著减小，成本更低。

在最近举行的 PCIM Asia 展会上，EETimes China 采访了 EPC 首席执行官 Alex Lidow，他展示了将用于高密度服务器和仿人机器人的 GaN 产品与技术。

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EL SEGUNDO, Calif. — October 2025 — EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride (GaN)-based power solutions, develops innovative power converter to accelerate the adoption of 800 V_DC distribution systems for the next generation of AI data centers.

Future AI factory data centers will require megawatt-scale rack power delivery systems. To address this challenge, EPC has developed a low-cost, low-profile GaN-based, 6 kW 800 V-to-12.5 V converter based on an Input Series Output Parallel (ISOP) topology.

在电子产品设计与测试（EPDT）的这次独家视频访谈中，EPC的首席执行官兼联合创始人亚历克斯·利多博士讨论了氮化镓（GaN）技术是如何转变电力电子领域的景观。

他强调了人工智能服务器、机器人技术和太空应用的爆炸性增长，氮化镓在效率、功率密度和紧凑尺寸方面的优势，使得全新的系统架构成为可能。利多博士还分享了他对EPC专注于高性能市场的战略视角，公司的无晶圆厂创新模式，以及正在进行的向集成GaN集成电路转变，这将定义下一个十年的电力转换。

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随着新一代GaN晶体管在40伏至15伏范围内的运行，R_DS(on)规格已达到数百微欧姆的惊人水平，显著优于同等尺寸的功率MOSFET。为了充分利用这些超低电阻FET的优势，精心的PCB布局至关重要，以防止任何可能削弱其性能的额外电阻。本文将探讨GaN FET的各种布局策略，分析不同PCB配置如何影响每种设计的附加电阻。

Bodo的电力系统
2025年10月
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我们三部分系列的最后一期探讨了服务器电源中的孤立直流-直流阶段。设计包含四个LLC模块，采用输入串联、输出并联（ISOP）配置，能够在400 VDC总线和50 VDC输出之间处理高达5.5 kW的功率。这种固定比率转换器为高级服务器电源架构提供了电气隔离和高性能。

Bodo的电力系统
2025年9月
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EL SEGUNDO，加利福尼亚州 — 2025年9月 — 作为全球领先的增强模式氮化镓(GaN)基电力解决方案的领导者，EPC很高兴确认将参加2025年在中国上海举行的PCIM Asia展会，展会日期为9月24日至26日。欢迎访客前往N5馆，E12展位参观EPC，那里他们可以探索业界最全面的GaN产品组合，并与公司的技术专家进行交流

探索GaN的未来

El Segundo, CA – 2025年8月 – 高效电力转换公司（EPC）今日宣布，北京知识产权法院驳回了由智芯科技（苏州）有限公司（Innoscience）提出的上诉，从而再次确认了EPC的中国专利号ZL201080015425.X的有效性，该专利名为 “补偿门MISFET及其制造方法”（补偿门专利）。北京知识产权法院的这一最新裁决进一步加强了EPC宝贵的知识产权组合，并巩固了其作为增强模式GaN半导体器件的先驱者的地位。

EPC的两项涵盖增强模式GaN场效应晶体管（FETs）及其制造的专利在中国被智芯科技（苏州）挑战。中国国家知识产权局（CNIPA）早在2024年4月和5月已经确认了这两个专利的有效性，但智芯科技就补偿门专利的决定请求复审（案件编号：(2024）京73 行初15061 号 ((2004) Jing73XingChu NO.15061)）。

在接受《电力电子新闻》的采访时，EPC的电机驱动系统及应用部门主任马可·帕尔马指出，EPC91118支持从15伏至55伏直流输入的三相无刷直流电机每相最高15 Arms。值得注意的是，完整的功率级、感测、控制和通信功能都集成在直径为32毫米的电路板上，为电机控制的微型化设定了新的标杆。

电力电子新闻
2025年7月
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安多佛, MA – 2025年7月 – EPC Space，一家辐射硬化（RH）氮化镓（GaN）功率器件的领导者，宣布推出 EPC7C021，这是一款高性能的三相电机演示板，特点是 辐射硬化的EPC7011L7C eGaN® 集成电路。该板设计用于易于评估和系统集成，EPC7C021 提供了一个用户友好、灵活的平台，用于开发诸如反应和动量轮、离子推进器、机器人及其他在要求严苛的辐射环境中的自动化的电机驱动应用。

EPC7C021 的尺寸仅为 6.50英寸 x 5.22英寸，它是一个功能齐全的评估板，可以作为 独立的三相电机驱动器使用，或者与 EPC9147A 控制器子卡配对，实现闭环电机控制。该板包括死区生成电路、电流和电压监测，以及可选的滤波器用于正弦波近似—这使它成为工程师评估在航天和辐射关键应用中 GaN 性能的理想选择。

GaN FET 正在彻底改变电力电子技术 —— 比硅 MOSFET 更快、更小、更便宜。在 2025 年欧洲 PCIM 展会的视频中，EPC 首席执行官 Alex Lidow 解释了为什么 GaN 技术现在被用于 AI 服务器、卫星和机器人。了解宽禁带半导体如何实现比硅高出 10 倍的性能，为什么在 100-200V 范围内 GaN 实际上更便宜，以及第七代新器件如何比前几代小三倍。

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GaN（氮化镓）FET 正以优越的可靠性彻底改变电力电子技术，优于传统硅半导体。在 2025 年欧洲 PCIM 展会的视频中，EPC 首席执行官 Alex Lidow 解释了 GaN 技术在电源转换应用中的根本优势。了解为什么 GaN 器件能在 300°C 条件下运行，而硅会失效；理解 GaN FET 中不存在 Spirito 效应；并探索这些宽禁带半导体如何实现太空应用中的抗辐射能力。

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EPC91118参考设计将电源、传感和控制集成在超紧凑的格式中，适用于机器人关节和无人机。

加利福尼亚州埃尔塞贡多— 2025年7月 — 高效功率转换公司（EPC），增强模式氮化镓（eGaN^®）功率器件的世界领导者，推出了EPC91118，这是首个商业可用的参考设计，集成了氮化镓（GaN）IC技术，用于仿人机器人电机关节。EPC91118专为空间受限和重量敏感的应用（如仿人肢体和紧凑型无人机推进器）优化，可在15 V至55 V直流输入下，每相提供高达15 A_RMS，并采用超紧凑的圆形形状。

随着GaN（氮化镓）技术的持续成熟，其应用领域已扩展到低压领域——这一领域传统上由硅MOSFETs主导。在这篇深入的文章中，探索GaN在提高效率、减少切换损耗和紧凑型尺寸方面的优势，以及它是如何在消费电子、汽车系统和边缘计算中转变电力转换，并引领低压电源设计创新新时代的。

电子组件
2025年6月
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In this op-ed, Alfred Vollmer explores the accelerating shift from traditional silicon MOSFETs to wide bandgap (WBG) semiconductors—particularly gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC). GaN devices are conquering more and more terrain that was formerly a pure domain of Silicon MOSFETs.

Bodo’s Power Systems
June 2025
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安多佛, MA – 2025年6月 – EPC Space，一家辐射硬化（RH）氮化镓（GaN）功率器件的领导者，宣布推出EPC7030MSH，一种辐射硬化（RH）300伏氮化镓（GaN）FET，为高压、高功率的太空应用提供无与伦比的性能，包括下一代卫星电站和电推进系统。

随着卫星平台需要更高电压总线来支持日益增长的电力需求和先进的太阳能阵列技术，EPC7030MSH满足了高效、紧凑和强大前端电源转换的关键需求。

不需要散热器的紧凑型180W GaN降压转换器—适用于USB PD、笔记本电脑和便携式电源应用。

加利福尼亚州埃尔塞贡多— 2025年6月 — 高效功率转换公司（EPC），即增强模式氮化镓（eGaN^®）电力设备的世界领导者，宣布发布EPC91109，这是一款高性能评估板，旨在展示eGaN FETs在紧凑、热效率高的双相同步降压转换器中的优势。该产品针对USB电源传递（USB-PD 3.1）应用，功率可达180W，适用于空间和功率受限的设计，如笔记本电脑、便携设备和电池供电系统。

现代电力系统要求更高的效率、增加的功率密度以及减少的电磁干扰（EMI）——同时还要遵守日益缩小的尺寸限制。在应对这些挑战的转换器拓扑中，飞行电容多级（FCML）转换器因其独特的优势而脱颖而出。当与氮化镓（GaN）功率晶体管结合使用时，FCML转换器提供了前所未有的性能水平，特别是在中压应用领域，如48V数据中心电源传输、电池管理系统和高效率功率因数校正（PFC）电路。

电力系统设计
2025年6月
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EPC9196是一个25 A_RMS、三相BLDC电机驱动逆变器，专为96–150 V电池应用进行了优化

EL SEGUNDO，加利福尼亚州— 2025年1月 — 高效功率转换公司（EPC），增强模式氮化镓（eGaN^®）功率器件的世界领导者，宣布推出EPC9196，一款高性能的25 A_RMS三相BLDC电机驱动逆变器参考设计，由EPC2304 eGaN FET提供动力。EPC9196专为中压（96 V – 150 V）电池供电的电机驱动应用而设计，包括自动引导车辆（AGVs）的转向系统、紧凑型自动车辆的牵引电机以及机器人的精密电机关节。