4月 03, 2019
Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing
计算和电信市场的快速扩展要求中间总线转换器提供更加紧凑、高效和高功率密度的解决方案。LLC谐振转换器是提供高功率密度和高效解决方案的出色候选者。eGaN® FETs凭借其超低的导通电阻和寄生电容,有助于LLC谐振转换器显著降低损耗,而这是使用硅MOSFET时很难实现的。采用EPC2053和EPC2024等eGaN FETs的48 V到12 V,900 W,1 MHz LLC DC到DC变压器(DCX)转换器被证明实现了98.4%的峰值效率和超过1500 W/in3的功率密度。
3月 12, 2019
计算和电信市场的快速扩展要求中间总线转换器的解决方案越来越紧凑、高效和高功率密度。LLC谐振转换器是提供高功率密度和高效解决方案的优秀候选者。eGaN® FETs 以其超低导通电阻和寄生电容,通过显著降低损耗,受益于LLC谐振转换器,这是使用Si MOSFET时面临的挑战。展示了一种48V到6V、900W、1MHz的LLC DC到DC变压器(DCX)转换器,采用了如EPC2053 和 EPC2023等eGaN FET,峰值效率达98.1%,比功率为48W/cm2 (308 W/in2),功率密度为69W/cm3 (1133 W/in3)。
1月 07, 2019
Nick Cataldo, Senior Vice President for Global Sales and Marketing
随着新年的到来,花几分钟时间回顾2018年的成功并展望2019年的期望是值得的。
12月 30, 2018
世界改变性创新,例如1970年发布的首台录像机(VCR)到全球首台可无线充电的笔记本电脑,都是在CES这个全球创新聚集地宣布的。
12月 14, 2018
eGaN® FETs和ICs由于其紧凑的尺寸、超高速开关和低导通电阻,使得非常高密度的电源转换器设计成为可能。大多数高密度转换器输出功率的限制因素是结温,这需要更有效的热设计。eGaN的芯片级封装还提供了六面散热,能够从芯片的底部、顶部和侧面有效地散热。本应用说明介绍了一种高性能的热解决方案,以提高基于eGaN转换器的输出电流能力。
11月 29, 2018
这篇文章最初由Bill Kleyman于2018年11月5日发布在 Data Center Frontier 网站上。了解更多关于 eGaN技术 和EPC GaN解决方案在 数据中心中的应用。
11月 14, 2018
Michael de Rooij, Ph.D., Vice President, Applications Engineering
使用外科手术机器人进行微创手术,为外科医生提供了前所未有的控制力,使其能够实现更高水平的精确度,从而降低患者的风险和创伤并加快恢复速度。许多电机用于控制各种机器人的附肢,如手臂、关节和工具控制,这使得手术机器人具备所需的自由度(DOF)和灵活性,以执行极其精细的操作。因此,电机控制电路的重量和尺寸是这种机器人设计中的重要因素,因为它们直接影响在手术过程中操纵机器人附肢的电机的尺寸。
10月 24, 2018
eGaN® FET能够比Si MOSFET更快地切换,因此需要更加仔细地考虑PCB布局设计,以最大限度地减少寄生电感。寄生电感会导致更高的过冲电压和较慢的切换过渡。本应用说明回顾了设计具有eGaN FET的最佳功率级布局的关键步骤,以避免这些不良影响并最大化转换器性能。
10月 07, 2018
介绍:高效电力转换感谢作者和科罗拉多大学博尔德分校 | CUB · 电气、计算机和能源工程系 (ECEE) 的贡献。
8月 27, 2018
这篇文章由Planet Analog总编辑Steve Taranovich撰写,最初于2018年8月10日发表在Planet Analog网站上。了解更多关于eGaN技术和EPC GaN解决方案在LiDAR中的应用。
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GaN FET 及集成电路
评估板
The Growing Ecosystem for eGaN FET Power Conversion (How2AppNote 005)
How to Design an eGaN FET-Based Power Stage with an Optimal Layout (How2AppNote 007)