博客 -- 氮化镓技术如何击败硅技术

GaN技术杂谈

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2019年氮化镓的发展方向…

2019年氮化镓的发展方向…

1月 07, 2019

随着新年的到来,花几分钟时间回顾2018年的成功并展望2019年的期望是值得的。 

在过去的一年中,利用GaN卓越性能的应用继续扩展,GaN用户的知识基础也不断扩大。世界已经见证了GaN赋能的自动驾驶汽车的运作。通过使用GaN FETs和ICs,高速、节能的包络跟踪电源大大改善了数字通信。随着大面积无线电力的出现,无线世界的梦想正逐渐成为现实。

EPC Chip-Scale Packaged FETs and ICs

GaN技术在2018年继续演变,EPC的最新一代FETs和新型集成电路在性能上超越了硅基产品,同时价格具有竞争力。这种卓越性能与竞争性价格的结合,激励了传统上保守的设计工程师在应用中开始使用GaN产品,如直流-直流转换器、交流-直流转换器以及汽车应用。例如,2018年,新一代48 VIN直流-直流电源,包括隔离型和非隔离型,采用了我们的第5代100 V eGaN FETs,用于高端计算和汽车应用。

2019年,随着第一季度及之后的发展,我们的100 V、200 V和350 V系列产品将继续扩展。此外,正在开发的30 V以下的新产品也将在2019年上半年开始推出。用于汽车市场的AEC产品线也将继续扩展,新产品将在全年用于激光雷达、动力传动系统和电机控制等应用中推出。

GaN对电力转换系统性能影响最大的机会来自其在同一基板上集成电力级和信号级器件的内在能力。EPC在过去几年中一直在开发客户特定的GaN ICs。2019年将推出更复杂的单片GaN解决方案,其电路性能将超越硅解决方案的能力,并提高电力系统工程师的设计便利性。敬请关注更多信息!

GaN Power IC
Figure 1: GaN Power IC

2019年上半年,EPC将在多个即将举行的贸易展会上展示GaN在实际应用中的表现。如果您参加这些展会中的任何一个,请联系我们安排会议,我们希望与您分享我们令人兴奋的GaN产品。

EPC at CES 2019

一月份

CES展会中,拉斯维加斯我们将展示一个‘没有电源线的世界’,讨论激光雷达传感器在自动驾驶汽车中的未来,并聆听GaN为D类音频系统提供的音质。

EPC at GaN Con 2019

二月份

在米尔皮塔斯举行的首届GaN Con大会上,电力GaN领域的领导者,包括设计师、制造商和终端用户,将讨论GaN市场、技术现状和未来发展。

三月份

APEC(应用电力电子会议)将在南加州中部举行。EPC非常荣幸地将在会议上发表多篇论文并参与其中一个教育研讨会。在展会上,EPC展台将展示GaN如何继续在48 V应用中取代硅。

2019年将是GaN的关键一年。GaN-on-silicon的性能和成本优势将导致目前使用硅MOSFET的应用大部分转向更小、更快、更便宜且更可靠的GaN技术。这将是我们GaN技术进一步创新和EPC GaN解决方案进一步普及的一年,帮助我们的客户开发出最佳的终端产品。

与EPC联系,全年获取新产品开发的最新动态。

EPC团队祝您2019年成功和繁荣!

Tags: CESeGaNGaN

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