GaN技术杂谈

封装的SEE免疫和抗辐射增强模式氮化镓（eGaN）器件在性能上显著优于老化的抗辐射硅MOSFET，能够在更高频率、更高效率和更高功率密度下工作，从而实现新一代的太空电源转换器。

GaN FET的开关速度比Si MOSFET快得多，导致许多系统设计师会问 − 更快的开关速度如何影响EMI？

除了性能和成本改进之外，GaN 技术对电源转换市场的最重要影响来自其在同一基板上集成多个设备的内在能力。与标准硅 IC 技术相比，GaN 技术使设计师能够以更简单、更具成本效益的方式在单个芯片上实现单片电源系统。

亲爱的EPC的朋友、同事和合作伙伴：

本文最初由Dr. John Glaser & Dr. David Reusch于2016年6月13日在Power Systems Design网站上发布。

硅已经存在很久了。是时候让一个更年轻且更适合的挑战者接管半导体材料的主导地位了。

随着电机技术的进步，功率密度增加；电机设计成更小的外形尺寸和更高的速度、更高的精度，这需要更高的电频率。

本文最初由M. Di Paolo Emilio发表在Power Electronic News网站上。

基于eGaN® FET的电力转换系统相比于基于硅的替代品，提供了更高的效率、更高的功率密度和更低的总体系统成本。这些优势特性促成了不断增加的功率电子组件生态系统，如门驱动器、控制器和被动组件，这些组件专门用于增强eGaN FET的性能。图1展示了一些eGaN FET的例子。

新兴计算应用需求更大的功率和更小的外形尺寸。除了不断扩展的服务器市场需求外，一些最具挑战性的应用包括多用户游戏系统、自动驾驶汽车和人工智能。这些应用正在产生对可在靠近处理器的主板上挤压的DC-DC转换器的需求。