12月 14, 2018
Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing
eGaN® FETs和ICs由于其紧凑的尺寸、超高速开关和低导通电阻,使得非常高密度的电源转换器设计成为可能。大多数高密度转换器输出功率的限制因素是结温,这需要更有效的热设计。eGaN的芯片级封装还提供了六面散热,能够从芯片的底部、顶部和侧面有效地散热。本应用说明介绍了一种高性能的热解决方案,以提高基于eGaN转换器的输出电流能力。
11月 29, 2018
这篇文章最初由Bill Kleyman于2018年11月5日发布在 Data Center Frontier 网站上。了解更多关于 eGaN技术 和EPC GaN解决方案在 数据中心中的应用。
11月 14, 2018
Michael de Rooij, Ph.D., Vice President, Applications Engineering
使用外科手术机器人进行微创手术,为外科医生提供了前所未有的控制力,使其能够实现更高水平的精确度,从而降低患者的风险和创伤并加快恢复速度。许多电机用于控制各种机器人的附肢,如手臂、关节和工具控制,这使得手术机器人具备所需的自由度(DOF)和灵活性,以执行极其精细的操作。因此,电机控制电路的重量和尺寸是这种机器人设计中的重要因素,因为它们直接影响在手术过程中操纵机器人附肢的电机的尺寸。
10月 24, 2018
eGaN® FET能够比Si MOSFET更快地切换,因此需要更加仔细地考虑PCB布局设计,以最大限度地减少寄生电感。寄生电感会导致更高的过冲电压和较慢的切换过渡。本应用说明回顾了设计具有eGaN FET的最佳功率级布局的关键步骤,以避免这些不良影响并最大化转换器性能。
10月 07, 2018
介绍:高效电力转换感谢作者和科罗拉多大学博尔德分校 | CUB · 电气、计算机和能源工程系 (ECEE) 的贡献。
8月 27, 2018
这篇文章由Planet Analog总编辑Steve Taranovich撰写,最初于2018年8月10日发表在Planet Analog网站上。了解更多关于eGaN技术和EPC GaN解决方案在LiDAR中的应用。
7月 24, 2018
Andrea Mirenda, Vice President of Americas Sales
增强型氮化镓电力设备(eGaN® FETs 和 ICs)为用户提供了差异化其最终产品的途径。这项新技术在我们常用的电源和电路中提供了显著更高的效率,推动了我们的设备和电子设备的发展。
6月 12, 2018
本文最初于 2018 年 5 月 16 日星期三发布在化合物半导体网站上。了解更多有关 eGaN 技术和 EPC 氮化镓解决方案在汽车应用中的应用。
5月 01, 2018
Alex Lidow, Ph.D., CEO and Co-founder
本文最初发布于2018年5月在Bodo's Power Systems网站。了解更多关于eGaN技术和EPC GaN解决方案的汽车应用。
3月 21, 2018
Steve Colino, Vice President, Strategic Technical Sales
There are many reasons to increase frequency of power conversion. Fundamentally, these reasons boil down to size/weight reduction, and cost reduction. There are several components in the design of a power system that must perform efficiently at the targeted increased switching frequencies. These include power switches, power switch drivers, controllers, magnetics, and capacitors. Taken collectively, these components represent the high frequency power conversion ecosystem. Without any of these elements, the benefits of increased frequency cannot be fully realized.
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GaN FET 及集成电路
评估板
The Growing Ecosystem for eGaN FET Power Conversion (How2AppNote 005)
How to Design an eGaN FET-Based Power Stage with an Optimal Layout (How2AppNote 007)