无数由电池供电的设备已经渗透进日常生活里。无线能量传输的技术可以远距离驱动这些设备，并且对设备进行充电。
包络跟踪是一种电源技术，可改善射频功率放大器的能效，因为它可以追踪所需功率，有别于目前的固定功率系统。对于手机来说，包络跟踪技术可以支持更长通话时间；而对于基站来说，它可使得基站能够采用体积更小、成本更低的放大器，使得耗电量可以更低及营运成本更低。
音频放大器所播放的音质受到功率晶体管的特性所影响，我们用总谐波失真(THD)、阻尼系数(DF)及交互调变失真(IMD) 来测量。
光学遥感技术 (LiDAR) 使用镭射脉冲快速制成三维图像或为周围环境制作电子地图。
由于市场对小型、高效、具备快速瞬态响应性能的负载点(POL)转换器的需求日益增加，我们需要更快速及更高效的功率开关器件。
光学遥感技术（LiDAR）在扩增实境(augmented reality)应用可以构建三维图像或为周围环境制作电子地图。
数据中心消耗大量的电能，它们的功耗高达数兆瓦(megawatt)至数十兆瓦。现今的数据中心的功率转换设计专注于改善能源效率及降低营运成本。
分辨率是所有医学成像设备（如超声波、CT 扫描和 MRI）的关键属性。eGaN FET 和 IC 提高了成像设备进行扫描测量的速度和精度。eGaN® FET 的小尺寸和高效性提升了采集数据的分辨率，同时降低了运行功耗，
从而加快成像速度。
采用氮化镓场效应晶体管 （eGaN FET）诸如EPC2045，可实现最小型化、最具成本效益及最高效的48 V – 12 V非隔离型转换器，适用于高效运算及电信应用。
在严峻环境工作的功率转换器必需是耐辐射，从而减少由辐射引致的器件损坏及失效情况，包括宇航、高空飞行及高可靠性军事应用。
车载应用受惠于增强型氮化镓(eGaN)器件的优势 - 更高效、更快速开关、更小型化及成本更低。目前已经有多种新兴应用采用氮化镓器件，其性能比采用老化的硅MOSFET更高，例如汽车所采用的氮化镓基48 V输入电源转换应用。
Key applications including e-mobility, cobots and robots, DC servo drives, drones, and automotive use GaN devices to enable smaller, lighter, and more precise motor drives.
氮化镓技术为工业用无人机的多种应用提供了高效的解决方案。 该技术可提高工业用无人机所使用的电机驱动器、DC/DC电源供电和激光雷达/飞行时间系统的性能、缩小其尺寸、减轻重量和节省成本。
面向智能手机和笔记本电脑的USB-C PD快速充电器和适配器需要快充所要求的最高的功率密度和小尺寸。氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）和集成电路可以实现微型化、极高的效率和出色的散热性能。
应用100 W ~ 6 kW DC/DC。高于1 kW的服务器、网络通信及电信系统的AC/DC整流。面向LED和OLED电视的适配器和开关模式电源、家庭影院系统、游戏和图像PC、计算和LED照明
Why GaN for PFC? High efficiency (greater than 99%), Small size, Low harmonic distortion, 4-level flying capacitor multi-level (FCML) totem-pole bridgeless PFC topology utilizes 200 V GaN devices
The trend for higher power density results in very expensive cooling systems and state-of-art silicon MOSFET solutions cannot longer meet the power density required. Therefore, the leading solar companies are adopting GaN.