下一代 GaN FET 建模:Mike Engelhardt 在 PCIM 展示 QSPICE 技术分享GaN技术杂谈 – Maurizio Di Paolo Emilio 7月 02, 2026 在PCIM展会上,LTspice和QSPICE的创建者Mike Engelhardt解释了为什么传统SPICE—最初为IC设计而构建—难以准确仿真功率器件,尤其是GaN FET。他回顾了历史上的电容模型(Meyer、Yang–Chatterjee),以及它们在VDMOS和GaN中的局限性,并介绍了QSPICE如何引入原生GaN MOSFET模型(level 2026),以实现准确的电荷、输出电容和准饱和行为建模。Engelhardt详细说明了数值计算方面的改进、跨电容的正确处理方式,以及使QSPICE成为更快速、更稳健的电力电子仿真器的性能提升。 观看视频 Tags: GaNMOSFET Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC