EPC introduces 100 V, 3.8 milliohm EPC2053 eGaN^® FET, joining the EPC2045, EPC2052, and EPC2051 to offer a comprehensive 100 V family of GaN transistors that are more efficient, smaller, and lower cost for high performance 48 V DC-DC conversion.

EL SEGUNDO, Calif. — April 2019 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power FETs and ICs advances the performance capability while lowering the cost of off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of the EPC2053 (3.8 mΩ, 100 V) eGaN FET.

专为功率系统设计师而设的EPC2052功率晶体管是一种100 V、13.5 mΩ并采用超小型芯片级封装的晶体管，可实现74 A脉冲输出电流。面向48 V-12 V DC/DC功率转换器，这些新一代氮化镓场效应晶体管工作在500 kHz频率下，可实现超过97%的效率。如果工作在1 MHz时，则实现超过96%的效率。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出100 V的EPC2052氮化镓场效应晶体管，其占板面积只是2.25平方毫米、最大导通阻抗(R_DS(on))为13.5 mΩ及脉冲输出电流高达74 A 以支持高效功率转换。

宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大车规级氮化镓产品系列 – 再多两个产品成功通过国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证。

宜普电源转换公司（EPC）宣布再多两个车用氮化镓(eGaN)器件成功通过AEC Q101测试认证，可在车用及其它严峻环境支持多种全新应用。EPC2206及EPC2212 是采用晶圆级芯片规模封装（WLCS） 、分别是80 V_DS 和100 V_DS的分立晶体管。

With the power architecture transition from a 12 V to a 48 V bus power distribution in modern data centers, there is an increased demand to improve 48 V power conversion efficiency and power density. In this context, DC-DC converters designed using eGaN^® FETs and ICs provide a high efficiency and high power density solution. Additionally, with the advent of 48 V power systems in mild-hybrid, hybrid and plug-in hybrid electric vehicles, GaN transistors can provide a reduction in size, weight, and Bill of Materials (BOM) cost.

Power Systems Design
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在48 V总线架构出现后，我们可采用全新、基于氮化镓（GaN）晶体管的混合式转换器，以实现超过95%峰值效率及225 W/in³ 功率密度。对于节能的数据中心来说，轻负载效率非常重要。基于氮化镓晶体管的转换器在转换至20%负载时，可保持高于90%的效率。

PowerPulse
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As GaN-on-Si becomes more common in DC-DC converter designs, questions often arise from experienced designers about the impact of the unique characteristics of GaN transistors when used as synchronous rectifiers (SRs). In particular, the third quadrant off-state characteristics, better known as “body diode” conduction in Si MOSFETs, which is activated during converter dead-time, is of interest. For this article, the focus will be on the similarities and differences of Si MOSFETs and eGaN^® FETs when operated as a “body diode” and outline their relative advantages and disadvantages.

Bodo’s Power Systems
By David Reusch & John Glaser
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宜普电源转换公司（EPC）的两个车用氮化镓晶体管成功通过了国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证。

宜普电源转换公司宣布其两个车用氮化镓(eGaN^®)器件成功通过AEC Q101测试认证，可在车用及其它严峻环境实现多种全新应用。EPC2202及EPC2203是采用晶圆级芯片规模封装（WLCS） 、80 V_DS 的分立晶体管。面向严峻的车用环境的多个分立晶体管及集成电路也将在不久的未来推出。

Efficient Power Conversion’s EPC9204 and EPC9205 power modules demonstrate the efficiency enhancements and significant size reduction achieved in DC-DC power conversion using high frequency switching eGaN^® power transistors and integrated circuits.

EL SEGUNDO, Calif.— March 2018 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) introduces two new GaN power modules for DC-DC conversion, increasing efficiency across the 48 V to point-of-load power architecture. The EPC9205 is a high-power density PCB-based power module for 48 V – 12 V conversions while the EPC9204 address the 20 V – point-of-load conversion with an ultra-thin profile PCB-based power module.

宜普公司的EPC9130五相开发板展示出采用高频开关eGaN^®功率晶体管、极小型化及增强了效率的电源转换方案。

宜普电源转换公司(EPC)的EPC9130 开发板是一款48 V转换至12 V的非隔离稳压式开发板、具用五个相位、每相具12 A、最大输出电流为60安培，开发板的输出功率可以超过700 W。该板具超高功率密度（每立方英寸大于1250 W），其效率高于96%。

SL70040SEH Low Side GaN FET Driver Powers ISL7002xSEH GaN FETs in Launch Vehicle and Satellite Power Supplies

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Renesas Electronics Corporation (TSE:6723), a premier supplier of advanced semiconductor solutions, today announced the space industry’s first radiation-hardened, low side Gallium Nitride (GaN) field effect transistor (FET) driver and GaN FETs that enable primary and secondary DC/DC converter power supplies in launch vehicles and satellites, as well as downhole drilling and high reliability industrial applications. These devices power ferrite switch drivers, motor control driver circuits, heater control modules, embedded command modules, 100V and 28V power conditioning, and redundancy switching systems.

Business Wire
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具备卓越性能的氮化镓场效应晶体管（eGaN^®FET），例如低输出电容、低输入电容、低寄生电感及小型化，成为高度共振式并与AirFuel^™标准兼容的无线充电系统的理想器件，可提高效率。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出与AirFuel联盟第四级别（Class 4）规格兼容的无线充电套件（EPC9120）。该系统可对应用提供高达33 W功率而同时工作在6.78 MHz频率（最低ISM频段），旨在于高效无线充电应用中，简化对所采用的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）进行评估。EPC9120采用具备高频开关性能的EPC氮化镓晶体管，使得无线充电系统可以在不同的工作条件下，实现80%至90%的效率。

During last week's PCIM Europe event in Nuremberg, Germany, direct 48V-to-1V power conversion architectures were a significant topic. “The use of GaN switches in 48V-to-1V direct dc-dc converters can improve system performance by 30%, compared with today’s best silicon-based designs,” commented Alex Lidow, CEO of Efficient Power Conversion.

PowerPulse
May 31, 2017
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氮化镓集成电路：提高伺服器的功效 --不论是大、小规模的数据中心都要面对减低功耗、冷却及占用空间等问题，而这些问题也是在伺服器内所面临及需要解决的问题。有的时候，细微的改变也可带来重大的效益。

TechBeacon
2016年8月2日
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宜普电源转换公司将于国际著名2016年APEC^®功率电子与应用研讨会展示面向广阔应用领域并基于卓越氮化镓技术的20多种演示电路。氮化镓技术切实改变了我们的生活方式。我们的技术专家将以最新技术为主题，举行合共六场演讲。

宜普电源转换公司的团队将于2016年3月20日至24日在美国加州Long Beach举行的2016年APEC研讨会，举行以氮化镓（GaN）技术及应用为主题的六场演讲。此外，EPC将展示最新的eGaN^® FET及集成电路，以及分享客户的基于eGaN技术的最终产品。 在探究各个应用领域的发展之同时，即场演示包括与Qi及AirFuel标准兼容并支持多模式解决方案的无线电源系统、单级48 V转1 V DC/DC转换器、利用LiDAR技术制作实时3D图像的照相机及与LTE兼容的包络跟踪电源。欢迎莅临我们的展台（#2244）参观。

DC-DC “brick” converters are familiar to many engineers, and have wide usage in telecommunications, networking, data centers, and many other applications. This is due in large part to adoption of a common footprint defined by the Distributed-power Open Standards Alliance (DOSA) and generally accepted input/output voltage ranges. These converters provide isolation and voltage step-down, and have become increasingly sophisticated, with features that enable advanced system optimization and control.

EDN Network
November 23, 2015
By: John Glaser
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宜普公司的《DC/DC转换手册》与工程师分享如何在数据通信设备及其它功率转换应用中利用氮化镓（GaN）功率晶体管提高效率及功率密度。

现今世界对信息的需求史无前例地快速增长，而社会对通信、计算及下载技术的渴求进一步驱使我们对信息的需求量上升。新兴技术诸如云端运算及物联网的出现，加上全球每分钟估计有高达300小时的录像被上载至YouTube平台，可见要求更多、更快速的信息存取的趨势不会慢下来。这个挑战推动了我们编撰这本实用工程知识手册--《DC/DC转换-《氮化镓晶体管—高效功率转换器件》的增刊 》。

本书阐述功率转换系统如何持续改善，从而跟上正在快速提升的运算能力的发展步伐，以及应对社会对高效数据中心的需求。此外，本书的焦点是如何发挥高效氮化镓技术并逐步分析如何利用氮化镓器件设计出高效的功率转换解决方案。该分析对用于功率转换系统中的传统先进硅功率晶体管和氮化镓晶体管进行比较。

EPC9115 DC/DC总线转换器展示出配备专有驱动器的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）在一个传统、已调节型的隔离式1/8砖式DC/DC转换器的拓扑可以发挥的优越性能。

宜普电源转换公司推出EPC9115演示板，可支持48 V至60 V输入电压范围并转至12 V、 具备42 A输出电流。它采用EPC2020(60 V) 及EPC2021(80 V)增强型氮化镓（eGaN)功率晶体管、德州仪器公司的LM5113半桥驱动器及UCC27611低侧驱动器。功率级使用传统的硬开关及300 kHz开关频率的隔离式降压转换器。

This column evaluated the ability to parallel eGaN^® FETs for higher output current applications by addressing the challenges facing paralleling high speed, low parasitic devices, and demonstrated an improved paralleling technique. For experimental verification of this design method, four parallel half bridges in an optimized layout were operated as a 48 V to 12 V, 480 W, 300 kHz, 40 A buck converter, and achieved efficiencies above 96.5%, from 35% to 100% load. The design method achieved superior electrical and thermal performance compared to conventional paralleling methods and demonstrated that high speed GaN devices can be effectively paralleled for higher current operation.

EEWeb
By: Alex Lidow
April, 2014

Yole Développement市场研究公司将于本星期发表关于“硅衬底氮化镓基技术及LED与功率电子市场”研究报告。分析员相信功率电子应用将普遍采纳硅基氮化镓技术。功率电子市场所涵盖的应用包括交流-直流或直流-交流电源转换，这些应用皆面对很大的电源损耗并随着更高功率及更高工作频率而增加。由于目前的硅基技术已接近其极限，因此很困难达到业界所需的更高要求。

详情请访问 http://powerelectronicsworld.net/article/0/79693-yole-power-to-dominate-gan-on-silicon-market.html。

作者：宜普公司产品应用副总裁Johan Strydom博士
日期：在2012年6月1日刊载于Bodo’s Power Systems杂志

本论文主要在讨论氮化镓晶体管如宜普电源转换公司的eGaN® FET可以提高隔离型八分之一砖式直流-直流转换器的效率。这种电源转换器普遍使用于大型计算机的主机、服务器及通信系统，并具备不同的尺寸、输出功率性能、输入及输出电压范围可供设计工程师考虑。它的模块性、功率密度、可靠性及多功能的特性有助隔离型电源产品的设计。

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