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由于氮化镓场效应晶体管具备卓越性能例如低输出电容、低输入电容、低寄生电感及尺寸短小，它是高度谐振并符合Rezence (A4WP)规格的无线电源传送系统的理想器件，可提高该系统的效率。
宜普电源转换公司宣布推出采用创新、高性能零电压开关（ ZVS） D类放大器拓扑、支持无线电源转换应用的演示板：EPC9506 及EPC9507 演示板。该板为放大器（发射）演示板，使用宜普公司具高频开关性能的氮化镓晶体管，使得无线电源系统可实现超过75%效率。
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氮化镓器件于2020年的销售额预期可达差不多6亿美元并大约需要制造58万片6英寸晶圆。氮化镓器件的市场将于2016年起发展迅猛，至2020年的複合年均增长率达80%，这个预期是基于EV/HEV预计从2018至2019年开始采纳氮化镓得出。于2015年至2018年，电源供电/功率因数校正将成为主要市场并将最后占氮化镓器件销售总额 50%，届时氮化镓器件于车用市场将急起直追。
Yole Development公司
2014年6月
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Dr. Glaser will be creating benchmark power converter designs and assisting customers in the use of eGaN FETs® for high frequency, high performance power conversion systems
EL SEGUNDO, Calif.—June 2014 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce that Dr. John Glaser has joined the EPC engineering team as Director, Applications Engineering.
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According to the latest report from Yole Développement, the GaN power industry is set for significant growth in the future.
Compound Semiconductor
June 12, 2014
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Yole Développement interviewed Dr. Alex Lidow, CEO and co-founder of Efficient Power Conversion (EPC).
Yole Développement
June, 2014
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High frequency enhancement mode transistors, such as the EPC8000 series eGaN® FETs from EPC, have been widely available since September 2013 and enable simplified designs at RF frequencies. In this installment, we present the RF characteristics of the EPC8000 series devices and show their implementation in a pulsed class A amplifier. The amplifier is pulsed to allow operation within the thermal operating limits of the device, since RF device power dissipation is typically on the same order of magnitude as the RF power delivered, unlike switching devices, such as the EPC8000 series, that operate well above 95 % efficiency. The EPC8000 series FETs, designed originally for switching power conversion applications, otherwise exhibit excellent RF characteristics and in conclusion will be compared with similar specified LDMOS.
EEWeb
By: Alex Lidow
May 29, 2014
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硅半导体技术的供应链已经投放超过千亿美元，使得它难以置信地极具效率。制造新兴的高性能氮化镓晶体管如何在这方面可与硅器件匹敌？答案很简单，我们利用硅器件的供应链来制造氮化镓器件，因此可大大降低氮化镓晶体管的制造成本。
Power Systems Design
作者：Alex Lidow
2014年 5月 27日
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DrGaNPLUS EPC9202开发板内含100 V、具高频开关性能的氮化镓（eGaN®）功率晶体管，输出电流为10 A，该板的尺寸极细小并可提高电源转换效率
宜普电源转换公司推出 DrGaNPLUS 系列评估板，为功率系统工程师提供易于使用的工具以评估氮化镓晶体管的优越性能。这些板所实现的设计概念是把一个半桥电路所需的所有元件集成在单一个极细小、基于印刷电路板的模块，使得易于装贴，从而实现采用氮化镓晶体管的优越功率转换解决方案。
第一块 DrGaNPLUS EPC9202开发板为100 V、10 A 半桥功率转换器，工程师可以立即及易于使用，只需“plug and play”开发板便能评估高性能氮化镓晶体管，例如常见于通信应用的电源转换是当Vin 是48 V 及 Vout 是 12 V时，该板可实现97% 的峰值效率。
EPC9202开发板可以由单个PWM输入来驱动，内含两个氮化镓场效应晶体管（EPC2001）、德州仪器公司的LM5113驱动器及高频输入电容。 DrGaNPLUS 板的尺寸极细小，每边只是稍微大于9 mm，并可以直接装贴在印刷电路板上。我们特别设计它配备最优版图，从而把共源电感及高频功率换向环路电感的影响减至最低。
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特点
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优势
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- 97% 峰值效率 (VIN =48 V to VOUT = 12 V
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宜普电源转换公司首席执行官及共同创始人Alex Lidow说「我们很高兴推出DrGaNPLUS 开发板系列中内含氮化镓场效应晶体管的第一块EPC9202 开发板。 除了具备更高性能、更低成本及高可靠性的优势外，对于采纳全新技术来说，易用性是非常重要的因素。现在功率转换系统设计工程师可以利用DrGaNPLUS开发板易于在他们的功率系统电路对氮化镓晶体管的优势进行评估」。
随EPC9202开发板一起提供的还有一份供用户参考和易于使用的网上 速查指南，内载有详细资料包括设置步骤、电路图框、性能曲线及材料清单。
EPC9202开发板的单价为45美元，客户可以透过DigiKey公司在网上直接购买，网址为 http://www.digikey.cn/Suppliers/cn/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zhs
氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持
IEEE功率电子协会（PELS）将于6月4日举行在线研讨会，届时Alex Lidow及Michael de Rooij将讨论eGaN®功率晶体管如何提高无线电源传送系统的效率。
氮化镓晶体管设计及应用专家宜普电源转换公司（EPC）将于6月4日在美国东部夏令时间（EDT）早上10时30分至11时30分举行一小时在线研讨会，由IEEE学会的功率电子协会（PELS）赞助。
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应用于功率转换领域的硅器件的性能已接近其理论极限。氮化镓（GaN）及碳化硅（SiC）将取代大部分市值120亿美元的硅功率MOSFET市场。目前已经有产品投产，其性能比硅器件的理论性能极限好5至10倍。
杂志：Bodo’s Power Systems
作者：Alex Lidow
2014年5月
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在过去几年间，无线电源传送应用逐渐流行，尤其是替便携式装置充电的应用。宜普公司在本章讨论使用松散耦合线圈、高度谐振的无线电源解决方案，符合A4WP标准并适合工作在免执照、給工業、科學及醫療用电器设备（ISM）使用的6.78 MHz或13.56 MHz頻率。
杂志：Bodo’s Power Systems
作者：Alex Lidow博士及Michael De Rooij博士
2014年5月
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宜普公司推出由业界专家制作合共十一个教程单元的视频播客，帮助工程师了解并探索氮化镓功率晶体管的理论、基本设计及实际应用。
宜普电源转换公司（www.epc-co.com.cn）推出合共十一个教程单元的网络视频播客，专为功率系统设计工程师而设，提供基于技术及应用的工具，让工程师学习如何使用基于氮化镓的晶体管设计出更高效电源转换系统。
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EPC9016开发板内含40 V增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET），是一种25 A最大输出电流并采用并联配置的电路设计，可提高电流能力达67%，其最优版图技术可实现最优化效率。
宜普电源转换公司宣布推出EPC9016采用半桥式配置的开发板，专为采用氮化镓场效应晶体管的大电流、高降压比、降压中间总线转换器(IBC)应用而设。与采用单一高侧（控制）场效应晶体管相比，我们并联了两个低侧（同步整流器）场效应晶体管使得传导时间更长。
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This column evaluated the ability to parallel eGaN® FETs for higher output current applications by addressing the challenges facing paralleling high speed, low parasitic devices, and demonstrated an improved paralleling technique. For experimental verification of this design method, four parallel half bridges in an optimized layout were operated as a 48 V to 12 V, 480 W, 300 kHz, 40 A buck converter, and achieved efficiencies above 96.5%, from 35% to 100% load. The design method achieved superior electrical and thermal performance compared to conventional paralleling methods and demonstrated that high speed GaN devices can be effectively paralleled for higher current operation.
EEWeb
By: Alex Lidow
April, 2014
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宜普公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow 将与工程师分享专为工作在10 MHz频率范围而设的全新增强型氮化镓（eGaN®）高电子迁移率晶体管系列，由于这些晶体管在经过辐射照射后仍然具高可靠性，因此它们是高可靠性应用的理想器件。
硅基增强型功率氮化镓场效应晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司将在四月三日于美国南卡羅來納州的Charleston市举行的第39届GOMACTech年度研讨会演讲。
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Electronic Design杂志编辑Don Tuite访问Alex Lidow，内容涵盖EPC公司的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的最新及新颖应用。
Electronic Design杂志
2014年3月
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EPC公司Michael de Rooij与Power Systems Design 杂志编辑Alix Paultre分享无线电源传送解决方案。
Power Systems Design杂志
2014年3月
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