In this short video, EPC's Alex Lidow explains why GaN FETs can comprise circuits able to deliver Lidar resolutions down to a couple inches. Conventional silicon FETs performing the same tasks would be able to resolve images only down to a few feet. The secret is in the super-fast rise and fall times made possible by the GaN FETs.

Design World
April 11, 2016
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宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow说硅材料是半导体的主要材料，它一直以来是电子行业背后的推动力。可是，它的性能已经到了极限。位于美国洛杉矶的宜普公司正在探究以具备更高的性能的氮化镓（GaN）器件颠覆市场并且取得硅基器件价值4000亿美元（2770亿英镑）的市场份额。Alex说：「这是业界首款比硅基器件的成本更低并且具备更高的性能的半导体。」

Wired Magazine
Emma Bryce
2016年3月31日
读过的文章

Emerging applications such as 48V-to-point-of-load (POL), wireless power and USB Type-C had a lot of interest. Google joined the Open Compute Project a few weeks ago and proposed a computer server-rack architecture based on a 48V power-distribution bus to improve overall system efficiency. While the 48V bus has been around for a long time, the push (and challenge) is for high-efficiency 48V-to-POL voltage regulators. EPC showcased TI’s 48V-to-1V EVM which uses the LMG5200 GaN module (driver and FETs), announced at APEC last year, and a new TI analog controller (TPS53632G).

TI E2E Community
Pradeep Shenoy
Mar 28, 2016
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您可能阅读过ECN杂志编辑（及新闻总监）所写的关于幕后故事的推文，以及一张照片可比千言万语表达得更好。可是，有的时候，听听工程師分享他們的感想及真知灼見可以是更有价值的体验。

我就是这么想，在加州Long Beach举行的APEC会议上，与多位工程师及与会者见面以找出本届APEC的内幕消息。我们比较了APEC与去年研讨会的盛况、目前业界的主要发展方向及各公司对APEC研讨会的评价。

ECNMag.com
作者：Kasey Panetta
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从本年的APEC研讨会的各个讨论题目显然可以看到，氮化镓功率技术的相关知识备受关注的程度，是前所未有的。采用氮化镓技术的产品路演、全新产品及技术发布、全体会议对氮化镓技术的关注及其他讨论题目都让与会者感到氮化镓功率器件已经来临，而氮化镓技术正在进驻市场。而且讨论重点也稍微改变，从讨论氮化镓器件可以做什么，改为讨论需要其他什么资源及支持，才可以实现基于氮化镓功率晶体管的全新产品开发方案。

How2Power Today
David Morrison
2016年4月1日
读过的文章

EPC公司的全新开发板可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器，展示出基于eGaN FET、采用同步自举电路的栅极驱动器在高频工作时可以减少损耗。

宜普电源转换公司（EPC）推出EPC9066、EPC9067及EPC9068开发板，可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器。这些开发板专为功率系统设计师而设，对氮化镓晶体管的优越性能进行评估方面提供了简易方法，使得设计师的产品可以快速量产。三块开发板都配备了具有零Q_RR、同步自举整流器的栅极驱动器，从而在高达15 MHz的高频工作条件下可以提高效率。该些开发板在降压转换器及D类放大器配置的最大输出电流为2.7 A。在整个电流范围都可以降低损耗。

Though there are two standards for charging appliances wirelessly, a single circuit can be devised to serve as a charging node for both of them.

Design World
Michael de Rooij, Ph.D., Vice President, Applications Engineering
March, 2016
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Alex Lidow与工程师分享于先进的包络跟踪应用采用氮化镓器件可以发挥功率管理技术的优势。如果放大器系统具备跟随信号的功能并且只输出所需功率，可节省大量能源及提高性能。

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Alex Lidow是一个有使命感的人。他在美国加州成立的宜普电源转换公司（EPC）在全新应用中使用氮化镓（GaN）晶片而摒弃硅基技术。这些应用包括无线电源充电、4G LTE、扩增实景（AR）及全自动驾驶车辆等令人感到兴奋的应用领域。

可是，这种热门新技术最后能否替代被普遍采用的硅基晶片及占据其高达3000亿美元的半导体市场份额吗？

Fox Business
作者：Steve Tobak
2016年3月18日
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备受关注的议题诸如能量收集及无线电源传输将很大机会於下星期举行的APEC会议亮相。与会者将关注并监控氮化镓晶体管的发展。可是，持续提高数据中心的电能传输的效率将会是多家公司的“bread-and-butter”重要目标。

EE Times
半导体产业分析师、顾问Stephan Ohr
2016年3月16日
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Alex Lidow获得Stanford大学应用物理学博士学位后，于国际整流器公司（IR）工作了30年。IR公司是半导体制造商，是他的父亲Eric Lidow于1940年代成立的上市公司。

Alex开拓IR公司的功率管理技术、共同发明该公司的主要产品的共有专利权，以及在1995年与Derek Lidow 两兄弟担任IR公司的共同首席执行官。于1999年，Derek离开IR公司并成立iSupply市场调研公司后，Alex成为IR公司的首席执行官。

Entrepreneur
Steve Tobak
2016年3月
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EPC公司的第七阶段可靠性报告表明eGaN^®FET非常可靠，为工程师提供可信赖及可 替代采用传统硅基器件的解决方案。

宜普电源转换公司发布第七阶段可靠性测试报告，展示出在累计超过170亿器件-小时的测试后的现场数据的分布结果，以及提供在累计超过700万器件-小时的应力测试后的详尽数据。各种应力测试包括间歇工作寿命[(IOL)[、早期寿命失效率[(ELFR)、高湿偏置、温度循环及静电放电等测试。报告提供受测产品的复合0.24 FIT失效率的现场数据。这个数值与我们直至目前为止所取得的现场评估的结果是一致的，证明在商业化的功率开关应用中，eGaN FET已经准备好可以替代日益老化的等效硅基器件。

The demand for information in our society is growing at an unprecedented rate. With emerging technologies, such as cloud computing and the Internet of Things, this trend for more and faster access to information is showing no signs of slowing. What makes the transfer of information at high rates of speed possible are racks and racks of servers, mostly located in centralized data.

EEWeb
Alex Lidow, Ph.D., David Reusch, Ph.D., and John Glaser, Ph.D.
March, 2016
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In this series we will look at the various ways the reliability of eGaN^® technology has been validated, and how we are developing models from our understanding of the physics of failures that can help predict failure rates under almost any operating condition. In this first installment and the next, we will look at the field experience from the past six years of GaN transistors use in a variety of applications from vehicle headlamps to medical systems to 4G/LTE telecom systems. Diving into the failure of each and every part leads to some valuable lessons learned.

Planet Analog
Chris Jakubiec, Robert Strittmatter, Ph.D., and Alex Lidow, Ph.D.
March 1, 2016
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宜普电源转换公司将于国际著名2016年APEC^®功率电子与应用研讨会展示面向广阔应用领域并基于卓越氮化镓技术的20多种演示电路。氮化镓技术切实改变了我们的生活方式。我们的技术专家将以最新技术为主题，举行合共六场演讲。

宜普电源转换公司的团队将于2016年3月20日至24日在美国加州Long Beach举行的2016年APEC研讨会，举行以氮化镓（GaN）技术及应用为主题的六场演讲。此外，EPC将展示最新的eGaN^® FET及集成电路，以及分享客户的基于eGaN技术的最终产品。 在探究各个应用领域的发展之同时，即场演示包括与Qi及AirFuel标准兼容并支持多模式解决方案的无线电源系统、单级48 V转1 V DC/DC转换器、利用LiDAR技术制作实时3D图像的照相机及与LTE兼容的包络跟踪电源。欢迎莅临我们的展台（#2244）参观。

Power transistors with faster switching speeds will enable power supplies with smaller form factors and higher energy transfer efficiencies. Indeed, the elimination of heat sinks will give designers the ability to visualize entirely new form factors for power bricks and modules, including those enabling wireless power transfers. Gallium-nitride (GaN) transistors fabricated on silicon substrates can boost efficiencies and help shrink the footprint of power supplies.

Electronic Design
March, 2016
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本篇文章阐述面向使用第四代移动通信技术（4G）LTE带宽的无线通信基站基础设施并采用EPC8004高频氮化镓场效应晶体管设计的包络跟踪电源。基于eGaN^® FFET并采用四相位拓扑的软开关降压转换器可以准确地跟踪峰均比(PAPR)为7 dB的20 MHz LTE包络信号，提供60 W以上的平均负载功率，而总效率可高达92%。这种设计的可扩展性能可以支持不同的功率级别，工程师只需选择不同的EPC场效应晶体管设计不同的系统，从而可以满足不同功率级别的要求。

Bodo’s Power Systems
张远哲博士及Michael de Rooij博士
2016年3月
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采用eGaN^®FET、工作在6.78 MHz频率并与AirFuel^™无线电源标准兼容的EPC9065开发板可以实现最高功率及最高效率。

宜普电源转换公司（EPC）推出EPC9065开发板，可作为面向AirFuel^™联盟的Class 4及Class 5无线电源传送应用的放大器功率级。 该板的配置采用零电压开关（ZVS）差分模式D类放大器拓扑，而且不只限于6.78 MHz工作频率（最低ISM频带）。

全新的EPC2040氮化镓场效应晶体管（eGaN^®FET）具备超快速开关性能，可以支持需要更高分辨率及准确性、使用脉冲式镭射驱动器的应用，诸如在扩增实景（augmented reality）系统及全自动驾驶汽车中，利用光学遥感技术（LiDAR ）、三维感测的导航系统。

宜普电源转换公司宣布推出EPC2040功率晶体管，它是一种超小型、具备快速开关性能的氮化镓功率晶体管，面向高速终端应用，可实现优越的分辨率、更快速的响应时间及更高准确度。此外，由于在整个工作温度范围内，器件具有高准确度门限，因此当镭射受热，可确保系统的稳定性。例如该晶体管在LiDAR 技术所采用的脉冲式镭射驱动器是理想的器件。LiDAR技术是全自动驾驶汽车的导航系统及扩增实景平台的重要技术。EPC2040的优越性能在这些系统中可以实现更高准确度及分辨率。

In this installment, we present a method to design a suitable EMI filter that can reduce unwanted frequencies to levels within radiated EMI specifications, and do this without negatively impacting the performance of the wireless power coil. In addition, the overall radiated EMI design aspects will also be covered.

EEWeb - Wireless & RF Magazine
Michael de Rooij, Ph.D.
February, 1, 2016
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