芯片的发展推动了一个又一个的技术大变革：个人电脑、互联网、智能手机、智能手表及即将推出的自动驾驶汽车。 宜普电源转换公司（EPC）是一间把它的将来押注在III-V氮化镓材料上的创始公司，其首席执行官Alex Lidow带领着一支34人的专业团队创建公司。该公司的业绩继续保持稳定增长，产品是采用III-V氮化镓（GaN）材料层的晶体管。 在2016或2017年，Lidow预计氮化镓器件的制造工艺可以包含计算机处理器内负责思考的逻辑电路。Lidow认为「与传统的硅器件相比，氮化镓器件所具备的电力特性使你立即可以取得1000倍改进产品性能的机会。」

读过的文章
CNET.com
2015年4月17日

采用全新100 V EPC2104 半桥式器件的全降压转换器在48 V转12 V、22 A输出电流及300 kHz开关频率下，系统效率可超过97%；而在22 A、500 kHz开关频率下，系统效率则接近97%。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC2104(100 V)增强型单片式氮化镓半桥器件。透过集成两个eGaN^®功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及所需的空隙，使晶体管的占板面积减少50%。这样可以提高效率（尤其是器件在更高频工作时）及增加功率密度并同时减低终端用户的功率转换系统的组装成本。

全新氮化镓(eGaN^®)功率晶体管（EPC2029）进一步扩大宜普电源转换公司的功率晶体管系列 – EPC2029 氮化镓晶体管使用高效、具有宽间距的芯片规模封装，可易于实现高产量并与成熟的制造工艺及组装生产线兼容。

宜普电源转换公司宣布推出采用更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）-- 80 V、31 A并具有1 mm间距的焊球的EPC2029晶体管是这种全新产品系列的首个晶体管。更宽阔的间距可在元件的底部放置额外及较大的通孔，使得小尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）的元件可以具备大电流承载能力。

Dean Takahashi at VentureBeat profiles Alex Lidow. Silicon chips have had a decades-long run as the foundation for modern electronics. But a new kind of chip, based on the compound material gallium nitride (GaN), promises to unseat silicon because it has higher performance, less power consumption, and lower cost.

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VentureBeat
April 2, 2015

EPC9201（30 V、40 A）及EPC9203（80 V、20 A）DrGaNPLUS评估板展示出采用具备高频开关性能的eGaN®功率晶体管可大大缩减电源转换系统的尺寸及提高效率。

普电源转换公司为功率系统设计工程师扩大简单易用的DrGaNPLUS评估板系列，使工程师非常容易对他们所设计并采用卓越的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的功率系统进行评估，进而快速实现量产。这些评估板是概念性验证的设计，它把所有半桥式电路所需的元件整合在单块、超小型及基于PCB的模组内，可以随时直接表面贴装在PCB板上，展示出采用氮化镓晶体管的卓越功率转换解决方案。

EPC9115 DC/DC总线转换器展示出配备专有驱动器的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）在一个传统、已调节型的隔离式1/8砖式DC/DC转换器的拓扑可以发挥的优越性能。

宜普电源转换公司推出EPC9115演示板，可支持48 V至60 V输入电压范围并转至12 V、 具备42 A输出电流。它采用EPC2020(60 V) 及EPC2021(80 V)增强型氮化镓（eGaN)功率晶体管、德州仪器公司的LM5113半桥驱动器及UCC27611低侧驱动器。功率级使用传统的硬开关及300 kHz开关频率的隔离式降压转换器。

《无线电源手册》旨在协助工程师利用氮化镓功率晶体管的优势设计无线电源传送系统的高效放大器。

宜普电源转换公司（www.epc-co.com.cn）宣布出版《无线电源手册》，目的为功率系统设计工程师提供宝贵设计经验及参考数据以了解如何利用氮化镓晶体管设计出高效无线电源系统。作为EPC的第一本教科书《氮化镓晶体管—高效功率转换器件》的增刊，本书提供实用信息及详细分析如何逐步设计基于氮化镓晶体管的无线电源传送系统。

Enhancement-mode gallium nitride (GaN) transistors have been commercially available for over five years. Commercially available GaN FETs are designed to be both higher performance and lower cost than state-of-the-art silicon-based power MOSFETs. This achievement marks the first time in 60 years that any technology rivals silicon both in terms of performance and cost, and signals the ultimate displacement of the venerable, but aging power MOSFET.

EDN
Alex Lidow
February 18, 2015

At the IEEE APEC 2015 power electronics industry conference, EPC applications experts will make eight technical presentations on GaN FET technology and applications showing the superiority of GaN transistors compared to silicon power MOSFETs.

宜普电源转换公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow在他的职涯中用了大部分时间开发一种可以替代硅技术的超高效技术。详情请在线观看Bloomberg TV的访问。

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Bloomberg TV
2015年2月17日

Bloomberg Business的Ashlee Vance 剖析宜普电源转换公司（EPC）的发展。一直以来，硅保留了它对半导体行业发展的影响力。在过去的60年里，晶体管所使用的半导体材料以硅为首选。晶体管就是细小的开关，它是驱动信息时代发展的动力。硅谷也以此材料而命名，而且许多公司藉着它打造出价值十亿元的王国。现在我们把眼光移离硅元素 -- 它最终有可能处于被取替的边缘。

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Bloomberg Business
2015年2月12日

采用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管的EPC9106 D类音频放大器参考设计展示出可以提升效率、缩减尺寸及省去散热器之同时可以实现针对专业级消费者所要求的高音质。

宜普电源转换公司（EPC）推出的150 W、8 Ω D类音频放大器参考设计（EPC9106）采用 Bridge-Tied-Load (BTL)设计，包含四个接地的半桥输出功率级电路，使得设计可以升级及扩展。

从业界的观点来看，只有可以为人类提供效益及性能优势的技术才能够生存。 主流技术CMOS就是一直为业界提供无比的益处而得以长存。 当下的问题是CMOS技术将会变成夕阳产业吗？新兴的氮化镓技术终于能够打破阻碍氮化镓功率器件普及化的成本障碍。根据2015年DesignCon研讨会的主讲嘉宾所描述，氮化镓技术可推动宽泛范围的新兴应用的发展，包括从无线充电、全自动汽车以至更高效的移动通信等应用。

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EETimes Asia
2015年2月

宜普电源转换公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半桥式晶体管，进一步扩展其获奖的氮化镓功率晶体管产品系列。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增强型单片式氮化镓半桥器件。透过集成两个eGaN^®功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及空隙，使晶体管的占板面积减少50%。

60年以來业界首次见证全新的半导体技术以更低的成本制造出比硅器件具备更高的性能的晶体管。氮化镓（GaN）技术展示了它显著提升了晶体管的性能之外，氮化镓器件的制造成本比硅器件可以更低。由于氮化镓晶体管具备快速开关特性，在高压及大电流工作时它比任何前代的晶体管都更为优越，支持开发全新的应用。这些特性非常优越，可推动全新并改写未来的应用的出现。但是氮化镓技术的发展还是刚刚开始，它的发展前景将无可限量。

读过的文章

EDN杂志
作者：Alex Lidow
2015年1月

宜普电源转换公司为功率系统设计师提供一款具备４奈秒上升时间特性的450 V氮化镓场效应功率晶体管(EPC2027 eGaN^® FET)并面向高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的应用。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出450 V并通常处于断开状态的增强型功率晶体管（EPC2027），可用于需要高频开关的应用，从而实现更高的效率及功率密度。受惠于采用高压并具备更快速开关特性的器件的应用包括超高频直流-直流转换器、医疗诊断仪器、太阳能功率逆变器及发光二极管照明等应用。

单晶片半桥式氮化镓功率晶体管EPC2100获得著名电子杂志颁发「年度产品大奖」，在竞争激烈的分立式半导体产品类别中被评选为极具创新性的产品。

宜普电源转换公司（EPC）的单片半桥式硅基氮化镓(eGaN^®)功率晶体管荣获《Electronic Products》杂志颁发2014年「年度产品大奖」。

In this installment of the ‘How to GaN’ series we will discuss the 4th generation of eGaN FETs in 48 VIN applications and evaluate the thermal performance of the chipscale packaging of high voltage lateral eGaN FETs.

EEWeb
By: Alex Lidow
December, 2014

Technics is back. Panasonic has unveiled the first new hi-fi products from the highly-regarded brand in 6 years. The new Reference Class system is made up of three components – a stereo power amp, a network audio control player and a speaker system. The amp uses a JENO Digital Engine to eliminate jitter and nip noise in the bud, and Load Adaptive Phase Calibration (LAPC) for flat amplitude-phase frequency delivery. It features GaN for high speed switching while keeping signal loss low, a proprietary digital link input, analog XLR input, analog RCA input, bi-wiring speaker terminals, and a silent linear power supply.

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DesignCon 2015’s Thursday (January 29th) keynote speaker will be Dr. Alex Lidow, CEO and co-founder of Efficient Power Conversion Corporation (EPC). For most of his career, Alex has focused on improving the efficiency of power conversion in hopes of reducing the environmental impact of energy production and consumption. As an R&D engineer at International Rectifier, he co-invented the HEXFET power MOSFET. The patents from this invention brought in more than $900M. Alex holds numerous additional patents in power semiconductor technology, including basic patents in power MOSFETs as well as in GaN FETs. He recently co-authored the first textbook on GaN transistors, “GaN Transistors for Efficient Power Conversion”. You can catch Alex’s keynote speech at DesignCon 2015 on Thursday, January 29, 12:00 PM – 12:30 PM.

EDN
December 3, 2014
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