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eGaN FET-Silicon Power Shoot-Out: A Retrospective of Sixteen Articles

Posted 2013年7月11日

When a new technology is introduced, it is not reasonable to think that engineers will intuitively know how to effectively and efficiently take advantage of the performance enhancements that the new technology offers – there is always a learning curve. This is being borne out in the case of the rapidly emerging technology of high performance gallium nitride transistors.

GaN FET technology was made available to the general power conversion engineering community in mid-2010 when Efficient Power Conversion (EPC) introduced the industry’s first commercially available GaN transistor. Since that time, EPC has continued on two parallel paths – one to expand their portfolio of products and the other to share what it learns about the use of the technology with power conversion systems design engineers. One of these educational efforts has been to work with the editors of Power Electronics magazine and publish a bi-monthly series of articles on the characteristics of GaN technology and its applications.

This series is entitled eGaN FET -- Power Silicon Shoot Out. Articles in the series took on both basic issues and specific applications using gallium nitride components. It is timely to make a quick review of the sixteen articles to make certain that we have accomplished the goal of assisting engineers in climbing the learning curve. This retrospective look will give us insight into what further topics and studies are needed to advance the adoption of GaN technology, the need to learn is never finished.

By: JOHAN STRYDOM, Ph. D., Vice President, Applications, Efficient Power Conversion Corporation
MICHAEL DE ROOIJ, Ph.D., Executive Director of Applications Engineering, Efficient Power Conversion Corporation
DAVID REUSCH, PH.D., Director, Applications, Efficient Power Conversion Corporation

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宜普电源转换公司（EPC）推出内含氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）、电源效率为96%的1MHz降压转换器演示板

Posted 2013年6月19日

EPC9107 演示板展示如何使用具备高开关频率的氮化镓功率晶体管以缩小尺寸及提高电源转换效率

宜普公司在二零一三年五月宣布推出全功能降压电源转换演示板（EPC9107）。该板展 示输入电压为9V至28V、当电源电压为3.3V时可提供15 A的电流的1 MHz降压转换器，内含EPC2015氮化镓场 效应晶体管，并配合德州仪器公司的100 V半桥栅极驱动器（LM5113）。当使用了这个专为驱动氮化镓晶体管而设的驱 动器，EPC9107 展示具有高开关频率的氮化镓场效应晶体可实现缩小尺寸及提高性能等优势。

EPC9107演示板的面积为3平方英寸，内含全闭环降压转换器，并具备经过优化的控制环路，而放置在仅半英寸x半英寸极紧凑的版图上的全功率级，包含了氮化镓 场效应晶体管、驱动器、电感及输入/输出电容，以展示使用氮化镓场效应晶体管并在配备驱动氮化镓器件的驱动器LM5113的条件下可实现的卓越性能。

演示板虽然细小，其最大电源效率超过96%，当电源电压为3.3V时可以提供15A的电流。为帮助设计工程师， 我们设计这个易于安装的演示板并具备多个探测点， 以便测量简单的波形和计算效率。

随EPC9107演示板一起提供的还有一份供用户参考的速查指南 http://epc- co.com/epc/documents/guides/EPC9107_qsg.pdf， 配备安装步骤、电路图表、性能曲线及BOM等资料， 帮助使用户可以更容易使用演示板。

EPC9107演示板的单价为195.94美元，客户可以透过DigiKey公司在网上购买，网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持

速查指南 http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9107_qsg.pdf 

EPC2015及所有宜普氮化镓器件的数据表，可在这个网页下载: http://epc-co.com/epc/Products.aspx

关于开发板及其它设计支持的资料 http://epc-co.com/epc/products/demo-boards

参看宜普公司氮化镓器件的应用支持资料：http://epc- co.com/epc/DesignSupportbr/Applications/DesignBasics.aspx

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器 、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的 网站www.epc-co.com 。

客户在Twitter的网址http://twitter.com/#!/EPC_CORP 可以找到EPC，也可以在我们的网页http://bit.ly/EPCupdates注册，定期收取EPC公司的最新产品资讯。

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])

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氮化镓场效应晶体管与硅功率器件比拼第14章第1部分：氮化镓场效应晶体管的小信号射频性能

Posted 2013年6月3日

虽然氮化镓场效应晶体管被设计及优化为一种开关功率器件，但该晶体管也具备良好的射频特性。 本章是关于氮化镓场效应晶体管在200 MHz至2.5 GHz频率范围的射频特性的第1部分。

作者：宜普公司应用工程行政总监Michael de Rooij博士、产品应用副总裁Johan Strydom博士及Peak Gain Wireless总裁Matthew Meiller

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Exploring gallium nitride technology

Posted 2013年5月21日

杂志：EE Times Asia
日期：2013年5月16日

作为替代MOSFET器件的氮化镓（GaN）功率器件在商用直流-直流电源转换的应用已发展了三年，随着氮化镓器件暂露头角，加上以前使用MOSFET的场效应晶体管而不能实现的应用也可以使用氮化镓器件来实现，对于氮化镓功率器件的开发者来说，以前想不到及还没有开发的全新应用将提供大有可为的发展机遇。

http://www.eetasia.com/ART_8800684828_480200_TA_f13f883a.HTM

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氮化镓器件与硅功率器件比拼第十三章第二部分：最优化的印刷电路板版图

Posted 2013年4月5日

与基于传统MOSFET的设计相比，基于氮化镓场效应晶体管的负载点降压转换器能够通过优化印刷电路板的版图而减少寄生电阻，从而提高效率、加快开关速度及减少器件的过冲电压。

详情请浏览http://powerelectronics.com/gan-transistors/egan-fet-silicon-power-shoot-out-vol-13-part-2-optimal-pcb-layout。

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硅、氮化镓与碳化硅器件的比拼：我的功率设计应该选用哪一个工艺及供应商？

Posted 2013年3月21日

杂志：EDN
作者：Steve Taranovich
日期：２０１３年３月１５日

随着功率元件不断的演进，领先开发者之间的竞赛更趨白热化。业界专家认为在２０１３年中大约有一半的氮化镓、硅及碳化硅器件的供应商将在工艺方面取得进展、提供全新结构及性能，进而为业界提供全新选择及开发工具。详情请浏览http://www.edn.com/design/power-management/4409627/1/Si-vs--GaN-vs--SiC--Which-process-and-supplier-are-best-for-my-power-design-

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Paultre on Power - Power GaN

Posted 2013年3月20日

作者 ：Alix Paultre
杂志 ：Power Systems Design

这个podcast的内容是关于我们与宜普电源转换公司Alex Lidow的谈话内容，Alex主要分享全新氮化镓器件的技术及它们对电源业界的影响。宜普公司是基于增强型氮化镓的电源管理器件的领先供货商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，应用范围包括负载点转换器、以太网供电、服务器、计算机应用的直流-直流转换器、LED高效照明、移动电话、射频传送、太阳能微型逆变器及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览http://www.powersystemsdesign.com/paultre-on-power---power-gan?a=1&c=6282。

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宜普推出全新内含100 V氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的开发板（EPC9010）

Posted 2013年3月14日

EPC9010开发板采用专为驱动氮化镓场效应晶体管而设的栅极驱动器，帮助工程师利用100 V的EPC2016氮化镓场效应晶体管快速设计高频开关型电源转换系统。

宜普电源转换公司(EPC)在2013年3月宣布推出EPC9010开发板。这种开发板能使工程师更方便地使用宜普100 V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管（FET）来设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速直流-直流电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路

EPC9010开发板是一种100 V峰值电压、7 A最大输出电流的半桥电路设计，内含EPC2016增强型氮化镓场效应晶体管，并同时配合板载栅极驱动器。推出EPC9010开发板的目的是简化评估氮化镓场效应晶体管的过程，因为板上集成了所有关键元件，因此易于与目前任何转换器连接。

EPC9010开发板尺寸为2英寸x1.5英寸，不仅包含了带栅极驱动器且采用半桥配置的两个EPC2016 氮化镓场效应晶体管及德州仪器的栅极驱动器（LM5113），而且包含电源和旁路电容。EPC9010开发板集成了所有关键元器件及布局，以实现最优开关性能。电路板上还备有多个探测点，以便测量简单的波形和计算效率。

随开发板一起提供的还有一份供用户参考的速查指南 http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9010_qsg.pdf，使用户可以更容易使用开发板。

EPC9010开发板的单价为99.18美元，客户可以透过DigiKey公司在网上购买，网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

客户在Twitter的网址http://twitter.com/#!/EPC_CORP 可以找到EPC，也可以在我们的网页http://bit.ly/EPCupdates注册，定期收取EPC公司的最新产品资讯。

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])

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氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）可提高工业应用的负载点转换器的效率及提升其功率密度

Posted 2013年3月14日

宜普产品应用总监David Reusch博士 / 销售及推广副总裁Stephen L.Colino

在24 V直流系统里采用的传统负载点转换器，设计工程师需要权衡使用一个高成本的隔离型转换器及使用一个低频及低效的降压转换器。与通常在计算机系统里使用的12 V负载点转换器相比，较高压的24 V负载点转换器因为需要考虑开关节点的振铃而需增加场效应晶体管的电压至最少达40 V，以及增加换向损耗及输出电容损耗。宜普公司的氮化镓场效应晶体管由于具备超低QGD性能, 从而可实现低换向损耗，并具备低QOSS性能，以实现较低输出电容损耗。

此外，宜普公司的氮化镓场效应晶体管具备创新的晶片级栅格阵列封装，在高频功率环路及栅极驱动环路，以及最重要的在这些环路的共通路径（称共源电感）都可容许超低电感，从而把换向损耗减至最低。氮化镓器件的低电荷及共源电感可帮助设计工程师通过提高频率使功率密度得以提高而并没有像传统MOSFET器件那样需要折衷效率。

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