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Power systems and RF designers now have access to high performance GaN power transistors capable of amplification into the low GHz range, enabling innovative designs not achievable with silicon.
EL SEGUNDO, Calif. — September 2013 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN®) power FETs extends its family of high-speed, high performance transistors with the EPC8000 family of products.
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EPC2018 氮化镓功率晶体管于直流-直流功率转换及D类音频放大器的应用发挥卓越性能及实现高频开关
宜普电源转换公司2013年9月宣布推出增强型氮化镓功率晶体管系列产品中的最新成员- EPC2018。
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在高频降压转换器配备最优的版图,使得在1MHz 频率下开关时器件可实现96%以上的效率。
EEWeb
日期:2013年9月
作者:Alex Lidow
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When a new technology is introduced, it is not reasonable to think that engineers will intuitively know how to effectively and efficiently take advantage of the performance enhancements that the new technology offers – there is always a learning curve. This is being borne out in the case of the rapidly emerging technology of high performance gallium nitride transistors.
GaN FET technology was made available to the general power conversion engineering community in mid-2010 when Efficient Power Conversion (EPC) introduced the industry’s first commercially available GaN transistor. Since that time, EPC has continued on two parallel paths – one to expand their portfolio of products and the other to share what it learns about the use of the technology with power conversion systems design engineers. One of these educational efforts has been to work with the editors of Power Electronics magazine and publish a bi-monthly series of articles on the characteristics of GaN technology and its applications.
This series is entitled eGaN FET -- Power Silicon Shoot Out. Articles in the series took on both basic issues and specific applications using gallium nitride components. It is timely to make a quick review of the sixteen articles to make certain that we have accomplished the goal of assisting engineers in climbing the learning curve. This retrospective look will give us insight into what further topics and studies are needed to advance the adoption of GaN technology, the need to learn is never finished.
By: JOHAN STRYDOM, Ph. D., Vice President, Applications, Efficient Power Conversion Corporation
MICHAEL DE ROOIJ, Ph.D., Executive Director of Applications Engineering, Efficient Power Conversion Corporation
DAVID REUSCH, PH.D., Director, Applications, Efficient Power Conversion Corporation
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使用功率MOSFET的功率系统设计工程师可简单地改用增强型氮化镓晶体管。氮化镓器件的基本工作特性与MOSFET器件相同,但在高效设计中必需考虑几个特性,从而发挥这种新一代器件的最大优势。
Alex Lidow
EEWeb
2013年7月
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由于基于氮化镓的功率器件拥有庞大市场潜力,因此吸引更多全新供应商生产该器件,致使制造商的数量正稳步增加。
网上杂志:How2Power
日期:2013年6月
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封装的缺点是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本,并增加阻抗和电感,从而降低器件的性能。宜普电源转换公司Alex Lidow辩说最有效的解决方案是不用封装,使 氮化镓高电子迁移率晶体管与等效硅器件相比,具有相同成本的优势。
杂志:Compound Semiconductor
日期:2013年6月
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在EEWeb Pulse 访问里,宜普公司首席执行官Alex Lidow讨论如何推动氮化镓器件的广泛应用。
EEWeb Pulse
日期:2013年6月
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领导增强型氮化镓晶体管发展的宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow首次在EEWeb.com撰写全新专栏,每月与设计工程师讨论硅基氮化镓功率器件可以 替代旧有功率MOSFET器件。
EEWeb.com
作者:Alex Lidow
日期:2013年6月
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虽然氮化镓场效应晶体管被设计及优化为一种开关功率器件,但该晶体管也具备良好的射频特性。 本章是关于氮化镓场效应晶体管在200 MHz至2.5 GHz频率范围的射频特性的第1部分。
作者:宜普公司应用工程行政总监Michael de Rooij博士、产品应用副总裁Johan Strydom博士及Peak Gain Wireless总裁Matthew Meiller
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EPC9010开发板采用专为驱动氮化镓场效应晶体管而设的栅极驱动器,帮助工程师利用100 V的EPC2016氮化镓场效应晶体管快速设计高频开关型电源转换系统。
宜普电源转换公司(EPC)在2013年3月宣布推出EPC9010开发板。这种开发板能使工程师更方便地使用宜普100 V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管(FET)来设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速直流-直流电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路
EPC9010开发板是一种100 V峰值电压、7 A最大输出电流的半桥电路设计,内含EPC2016增强型氮化镓场效应晶体管,并同时配合板载栅极驱动器。推出EPC9010开发板的目的是简化评估氮化镓场效应晶体管的过程,因为板上集成了所有关键元件,因此易于与目前任何转换器连接。
EPC9010开发板尺寸为2英寸x1.5英寸,不仅包含了带栅极驱动器且采用半桥配置的两个EPC2016 氮化镓场效应晶体管及德州仪器的栅极驱动器(LM5113),而且包含电源和旁路电容。EPC9010开发板集成了所有关键元器件及布局,以实现最优开关性能。电路板上还备有多个探测点,以便测量简单的波形和计算效率。
随开发板一起提供的还有一份供用户参考的速查指南 http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9010_qsg.pdf,使用户可以更容易使用开发板。
EPC9010开发板的单价为99.18美元,客户可以透过DigiKey公司在网上购买,网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。
氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持
宜普公司简介
宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。
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商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
媒体联络人
Winnie Wong ([email protected])
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