客户可以在我们的网页 注册 ，定期收取最新消息包括全新产品发布、应用文章及更多其它资讯。如果你错过了已发布的资料，你可浏览以下的文档。
When a new technology is introduced, it is not reasonable to think that engineers will intuitively know how to effectively and efficiently take advantage of the performance enhancements that the new technology offers – there is always a learning curve. This is being borne out in the case of the rapidly emerging technology of high performance gallium nitride transistors.
GaN FET technology was made available to the general power conversion engineering community in mid-2010 when Efficient Power Conversion (EPC) introduced the industry’s first commercially available GaN transistor. Since that time, EPC has continued on two parallel paths – one to expand their portfolio of products and the other to share what it learns about the use of the technology with power conversion systems design engineers. One of these educational efforts has been to work with the editors of Power Electronics magazine and publish a bi-monthly series of articles on the characteristics of GaN technology and its applications.
This series is entitled eGaN FET -- Power Silicon Shoot Out. Articles in the series took on both basic issues and specific applications using gallium nitride components. It is timely to make a quick review of the sixteen articles to make certain that we have accomplished the goal of assisting engineers in climbing the learning curve. This retrospective look will give us insight into what further topics and studies are needed to advance the adoption of GaN technology, the need to learn is never finished.
By: JOHAN STRYDOM, Ph. D., Vice President, Applications, Efficient Power Conversion Corporation
MICHAEL DE ROOIJ, Ph.D., Executive Director of Applications Engineering, Efficient Power Conversion Corporation
DAVID REUSCH, PH.D., Director, Applications, Efficient Power Conversion Corporation
Read the article
阅读全文
使用功率MOSFET的功率系统设计工程师可简单地改用增强型氮化镓晶体管。氮化镓器件的基本工作特性与MOSFET器件相同，但在高效设计中必需考虑几个特性，从而发挥这种新一代器件的最大优势。
Alex Lidow
EEWeb
2013年7月
阅读全文
由于基于氮化镓的功率器件拥有庞大市场潜力，因此吸引更多全新供应商生产该器件，致使制造商的数量正稳步增加。
网上杂志：How2Power
日期：２０１３年6月
阅读全文
封装的缺点是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本，并增加阻抗和电感，从而降低器件的性能。宜普电源转换公司Alex Lidow辩说最有效的解决方案是不用封装，使 氮化镓高电子迁移率晶体管与等效硅器件相比，具有相同成本的优势。
杂志：Compound Semiconductor
日期：２０１３年6月
阅读全文
在EEWeb Pulse 访问里，宜普公司首席执行官Alex Lidow讨论如何推动氮化镓器件的广泛应用。
EEWeb Pulse
日期：2013年6月
阅读全文
领导增强型氮化镓晶体管发展的宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow首次在EEWeb.com撰写全新专栏，每月与设计工程师讨论硅基氮化镓功率器件可以 替代旧有功率MOSFET器件。
EEWeb.com
作者：Alex Lidow
日期：２０１３年6月
阅读全文
虽然氮化镓场效应晶体管被设计及优化为一种开关功率器件，但该晶体管也具备良好的射频特性。 本章是关于氮化镓场效应晶体管在200 MHz至2.5 GHz频率范围的射频特性的第1部分。
作者：宜普公司应用工程行政总监Michael de Rooij博士、产品应用副总裁Johan Strydom博士及Peak Gain Wireless总裁Matthew Meiller
阅读文章
阅读全文
EPC9010开发板采用专为驱动氮化镓场效应晶体管而设的栅极驱动器，帮助工程师利用100 V的EPC2016氮化镓场效应晶体管快速设计高频开关型电源转换系统。
宜普电源转换公司(EPC)在2013年3月宣布推出EPC9010开发板。这种开发板能使工程师更方便地使用宜普100 V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管（FET）来设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速直流-直流电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路
EPC9010开发板是一种100 V峰值电压、7 A最大输出电流的半桥电路设计，内含EPC2016增强型氮化镓场效应晶体管，并同时配合板载栅极驱动器。推出EPC9010开发板的目的是简化评估氮化镓场效应晶体管的过程，因为板上集成了所有关键元件，因此易于与目前任何转换器连接。
EPC9010开发板尺寸为2英寸x1.5英寸，不仅包含了带栅极驱动器且采用半桥配置的两个EPC2016 氮化镓场效应晶体管及德州仪器的栅极驱动器（LM5113），而且包含电源和旁路电容。EPC9010开发板集成了所有关键元器件及布局，以实现最优开关性能。电路板上还备有多个探测点，以便测量简单的波形和计算效率。
随开发板一起提供的还有一份供用户参考的速查指南 http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9010_qsg.pdf，使用户可以更容易使用开发板。
EPC9010开发板的单价为99.18美元，客户可以透过DigiKey公司在网上购买，网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。
氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持
宜普公司简介
宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。
客户在Twitter的网址http://twitter.com/#!/EPC_CORP 可以找到EPC，也可以在我们的网页http://bit.ly/EPCupdates注册，定期收取EPC公司的最新产品资讯。
商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
媒体联络人
Winnie Wong ([email protected])
阅读全文
宜普产品应用总监David Reusch博士 / 销售及推广副总裁Stephen L.Colino
在24 V直流系统里采用的传统负载点转换器，设计工程师需要权衡使用一个高成本的隔离型转换器及使用一个低频及低效的降压转换器。与通常在计算机系统里使用的12 V负载点转换器相比，较高压的24 V负载点转换器因为需要考虑开关节点的振铃而需增加场效应晶体管的电压至最少达40 V，以及增加换向损耗及输出电容损耗。宜普公司的氮化镓场效应晶体管由于具备超低QGD性能, 从而可实现低换向损耗，并具备低QOSS性能，以实现较低输出电容损耗。
此外，宜普公司的氮化镓场效应晶体管具备创新的晶片级栅格阵列封装，在高频功率环路及栅极驱动环路，以及最重要的在这些环路的共通路径（称共源电感）都可容许超低电感，从而把换向损耗减至最低。氮化镓器件的低电荷及共源电感可帮助设计工程师通过提高频率使功率密度得以提高而并没有像传统MOSFET器件那样需要折衷效率。
阅读摘要
阅读全文
EPC is honored to be recognized as a 2012 All Star by Constant Contact. This status is an annual designation that only 10% of Constant Contact customers achieve. It is awarded to companies making extra efforts to engage customers. We would like to thank all who have supported us. If you are not already receiving our newsletter please join our list @ http://bit.ly/qr28tu
阅读全文
作者：宜普公司产品应用总监David Reusch博士
在不同的应用里与硅MOSFET器件相比，增强型氮化镓基功率器件如氮化镓场效应晶体管展示了它可以实现更高效及更高开关频率的性能。氮化镓场效应晶体管具备改善了的开关品质因数，因此封装及印刷电路板版图的寄生电感对性能的影响非常重要。在本章及本部分我们将讨论在负载点降压转换器的应用（工作于开关频率为1 MHz、输入电压为12 V、输出电压为1.2 V及输出电流达20 A的条件下），寄生电感对基于氮化镓场效应晶体管及MOSFET器件的转换器在性能方面的影响。
阅读文章
阅读全文
宜普公司首席执行官及应用专家将于业界IEEE APEC2013年电力电子研讨会举行为期半天的关于氮化镓场效应晶体管的技术及应用研讨会。
增强型硅基氮化镓功率场效应晶体管的全球领先供应商宜普电源转换公司将于3月17日至21日在美国加州Long Beach举行的2013年APEC会议的学术研讨会及多个以应用为主题的技术论坛演讲。
在功率电子应用响负盛名™的APEC会议专注功率电子的实用及应用方面，备受各界功率电子专家关注。APEC会议与在职工程师分享所有不同功率电子元件及设备的用途、设计、制造及推广，详情请浏览http://www.apec-conf.org/ 。
宜普公司创办人及首席执行官Alex Lidow说：“我们的专家非常荣幸获得2013年APEC会议技术评委会推荐我们在其学术研讨会演讲，并与工程师分享关于氮化镓的技术论 文。委员会对我们的支持进一步强化我们的信念 -- 功率系统设计工程师对具备卓越性能的氮化镓技术感到兴趣并且认同。”
学术研讨会： 实现高效电源转换的氮化镓晶体管
日期：3月17日（星期日）（S.7：下午2时30分至6时）
是次研讨会将讲解“氮化镓晶体管- 高效功率转换器件” 教科书所涵盖的议题，并阐释氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）的性能，以及讨论如何使用这些器件，包括解释在高性能、高频的电源转换应用中需要考虑驱动器、版图及热管理等因素。 为展示氮化镓技术在现实世界里的价值，我们将讨论多个应用包括高频包络跟踪（ET）、中间总线转换器（IBC）及无线电源传送。此外，我们将在研讨会的总结部分讨论这个崭露头角、替代MOSFET技术的未来发展。
宜普专家讨论关于氮化镓场效应晶体管的技术演讲
圆桌座谈会
专题讨论 ：宽带隙的半导体 - 时机成熟还是有待实现的承诺？
讲者 ：Alex Lidow
日期 ：3月19日（星期二）（Session 2：下午5时至6时30分）
技术研讨会
减小了寄生电感的高频及低损耗eGaN转换器设计
讲者 ：David Reusch 及 Johan Strydom
日期 ：3月20日（星期三）（直流-直流转换器 Session ：下午2时至5时30分）
在包络跟踪应用采用氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
讲者 ：Johan Strydom
日期 ：3月20日（星期三）（IS 2.2.4：上午8时30分至10时15分）
氮化镓场效应晶体管推动低功耗及高频无线能量转移转换器的应用
讲者 ：Michael de Rooij
日期 ：3月20日（星期三）（IS 2.2.3：上午8时30分至10时15分）
基于氮化镓场效应晶体管的谐振式高频电源转换器
讲者 ：David Reusch
日期 ：3月21日（星期四）（IS 1.4.5：上午8时30分至11时30分）
宜普公司简介
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。
客户在Twitter的网址http://twitter.com/#!/EPC_CORP 可以找到EPC，也可以在我们的网页http://bit.ly/EPCupdates注册，定期收取EPC公司的最新产品资讯。
商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标
媒体联络人
Winnie Wong ([email protected])
阅读全文