美国微芯科技公司（Microchip Technology Inc.）的数字信号控制器（DSC）与宜普电源转换公司（EPC）的超高效氮化镓场效应晶体管（eGaN^®FET）的结合，可实现最佳功率密度（730 W/in³），从而实现高效、低成本的DC-DC转换。

EPC公司宣布推出1/16砖式、300 W DC/DC稳压器（EPC9143）。 EPC9143功率模块把Microchip dsPIC33CK数字信号控制器（DSC）和最新一代eGaN FET（EPC2053）集成在一起，实现25 A、48 V/12 V和96％效率的功率转换。

在EEWorld “虚拟圆桌会议” 关于D类音频的讨论的第二部分中，我们的小组成员深入探讨了新兴氮化镓器件（GaN）对D类设计的影响：硅器件在哪方面仍然占主导地位？ 在D类放大器中使用GaN的性能优势是什么？ D类放大器中GaN与硅的未来预期趋势如何？

参加这个虚拟圆桌会议包括Analog Devices公司音频系统架构师Joshua LeMaire（JL）、 宜普电源转换公司（EPC）战略技术销售副总裁Steve Colino（SC）和 英飞凌（Infineon ）D类音频应用工程主管Jens Tybo Jensen（JTJ）。

EEWorld Online
2020年7月
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氮化镓功率晶体管是面向严苛航太任务的功率和射频应用的理想器件。 通过全新基于eGaN^®器件的解决方案，EPC Space公司提供专门为商业卫星关键应用而设计的氮化镓器件，可确保器件的耐辐射性能和对单粒子效应的免疫能力。 这些器件具有极高的电子迁移率、低温度系数和非常低的导通阻抗。

EETimes
2020年7月
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A high power 1/16^th brick converter using GaN FETs could increase maximum load current in these designs.

Electronics Specifier
July, 2020
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增强型氮化镓（eGaN^®）技术使能新一代功率转换器，让转换器能够在更高的频率、更高的效率和前所未有的高功率密度下工作。 与硅MOSFET器件相比，eGaN器件还具有更优越的耐辐射性能。

Bodo’s Power Systems
2020年7月
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Efficient Power Conversion (EPC) will showcase the company’s latest ePower™ Stage IC family of products showing how GaN technology’s superior performance is transforming power delivery for computing, communications, robotics, and transportation at the PCIM Europe 2020 Digital Days.

EL SEGUNDO, Calif.— June 2020 — The EPC team will be delivering three technical presentations and participating in two panel discussions on gallium nitride (GaN) technology and applications at the upcoming PCIM Europe 2020 Digital Days, July 7 – 8. In addition, the company will participate in the event’s virtual exhibit, showing its latest eGaN FETs and ICs in customers’ end products that are rapidly adopting eGaN technology.

这些器件为什么越来越受欢迎？还有什么方面需要改善的？氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件的制造商将推出下一代具备全新性能和高规格的产品。但是，在系统中采用这些器件之前必需证明它们是可靠的。

Semiconductor Engineering
2020年6月
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面向关键宇航应用及其它高可靠性应用环境，合资公司EPC Space为客户提供先进、高可靠性的氮化镓功率转换解决方案，从而确保更可靠的操作和任务成功。

宜普电源转换公司（EPC）与VPT公司（海科航空公司旗下公司、NYSE交易代号为HEI.A及HEI）宣布成立合资公司EPC Space LLC，针对卫星及高可靠性应用，从事设计和制造耐辐射、采用封装、通过测试和经认证合格的硅基氮化镓晶体管和集成电路。

在超过四十年中，随着功率MOSFET器件的结构、技术和电路拓扑的创新，可满足不断增长的电力需求，因此改善了电源管理的效率和成本。 然而，在这新世纪的发展，随着硅功率MOSFET器件已经接近其理论极限，其改进速度已大为减慢。 与此同时，一种全新材料 - 氮化镓（GaN）- 正朝着新的理论性能领域的方向，稳步发展，其性能是老化的MOSFET器件的6,000倍，以及是目前市场的最优越GaN器件的300倍。

EETimes
2020年6月
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Over the past decade computers, displays, smart phones and other consumer electronics systems have become thinner while also becoming more powerful. As a result, the market continues to increase its demand for thinner power supply solutions with greater power density. This article examines the feasibility of adopting various non-isolated dc-dc stepdown topologies for an ultra-thin 48-V to 20-V, 250-W power solution.

How2Power
May, 2020
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Brushless DC (BLDC) motors are a popular choice and are finding increasing application in robotics, drones, electric bicycles, and electric scooters. All these applications are particularly sensitive to size, weight, cost, and efficiency. A monolithically integrated GaN power stage is demonstrated powering a 400 W capable BLDC motor with low switching losses and significant savings in size and weight.

Power Electronics Europe
May, 2020
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Beyond just performance and cost improvement, the most significant opportunity for GaN technology to impact the power conversion market comes from its intrinsic ability to integrate multiple devices on the same substrate. GaN technology, as opposed to standard silicon IC technology, allows designers to implement monolithic power systems on a single chip in a more straightforward and cost-effective way.

Bodo’s Power Systems
May, 2020
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Starting on page 13 of this story, EPC discusses with David Morrison the latest GaN developments meant for APEC. Alex Lidow, CEO and co-founder of EPC, discussed his company’s new power stage ICs, their development of GaN-based reference designs using a multi-level topology and various demos that were originally bound for APEC.

How2Power Today
April, 2020
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EPC公司进一步更新了其广受欢迎的教育视频播客系列，上载了６个视频，针对器件可靠性及基于氮化镓场效应晶体管及集成电路的各种先进应用，包括面向人工智能的高功率密度运算应用，面向机械人、无人机及车载应用的激光雷达系统，以及Ｄ类放音频放大器。

宜普电源转换公司（EPC）更新了其广受欢迎的“如何使用氮化镓器件”的视频播客系列。刚刚上载的六个视频主要分享实用范例，目的是帮助设计师利用氮化镓技术设计面向人工智能服务器及超薄笔记本电脑的先进DC/DC转换器、面向机械人、无人机及全自动驾驶汽车的激光雷达系统，以及实现有可能是具有最高音质的音频系统。

中压氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的成本在三年前已经比等效额定功率MOSFET器件的成本更低。当时，EPC公司决心利用氮化镓场效应晶体管的性能及成本效益优势，积极研发及支持48 V输入或输出的应用。车用及计算机应用的48 V 转换逐渐成为全新的架构，也成为了功率系统的全新标准。

Power Systems Design
2020年3月31日
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继第一至第十阶段可靠性测试报告后，EPC公司的第十一阶段可靠性测试报告进一步丰富知识库。此报告对受测器件进行超过1230亿元件-小时应力测试，并且展示氮化镓器件的稳定性是硅功率器件所不能实现的。

EPC公司发布第十一阶段可靠性测试报告，与工程师分享受测器件如何实现优越的现场可靠性的策略 - 在广阔测试条件下，采用失效性测试器件（test-to-fail）的反复测试方法，从而知道如何构建更稳固的产品以达到应用所需，例如面向全自动驾驶车辆的激光雷达、LTE通信基站、汽车的车头灯及卫星等应用。

宜普电源转换公司（EPC）依据《氮化镓晶体管–高效功率转换器件》第三版教科书的增订内容，更新了首7个、合共14个教程的视频播客，与工程师分享采用氮化镓场效应晶体管及集成电路的理论、设计基础及应用，例如激光雷达、DC/DC转换及无线电源等应用。

宜普电源转换公司（EPC）更新了其广受欢迎的“如何使用氮化镓器件”的视频播客系列。该视频系列的内容是依据最新出版的《氮化镓晶体管–高效功率转换器件》.第三版教科书的内容制作。合共14个教程的视频播客系列旨在为功率系统设计工程师提供技术基础知识及针对专有应用的工具套件，从而让工程师学习如何采用氮化镓晶体管及集成电路，设计出更高效的功率转换系统。

An integrated circuit made using GaN-on-Si substrates has been in production for over five years. The ultimate goal is to achieve a single component IC that merely requires a simple digital input from a microcontroller and produces a power output that drives a load efficiently, reliably under all conditions, in the smallest space possible, and economically. Discrete power transistors, whether silicon-based or GaN-on-Si, are entering their final chapter. Integrated GaN-on-Si can offer higher performance in a smaller footprint with significantly reduced engineering required.

IEEE Power Electronics Magazine
March 2020
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硅功率MOSFE追不上目前功率电子业界的演进步伐 -- 业界需要具备高效、高功率密度及细小的外型尺寸的器件。业界看到硅MOSFET已经达到它的理论极限，从而需要找出全新器件。氮化镓（GaN）是一种HEMT器件，具备附加增值的优势，被证明为可以支持全新应用的要求。

Power Electronics News
2020年3月25日
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宜普电源转换公司（EPC）推出全新集成电路(IC)系列的首个产品，为高功率密度应用诸如DC/DC转换、电机驱动及D类放大器，提供更高性能及更小型化的解决方案。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出80 V、12.5 A的功率级集成电路，专为48 V DC/DC转换而设计，用于具有高功率密度的运算应用及针对电动车的电机驱动器。