如何为基于 GaN 的高压电池应用电机驱动设计宽输入电压范围和优化 PCB 布局
技术分享GaN技术杂谈 – Federico Unnia
8月 09, 2025
如何为基于 GaN 的高压电池应用电机驱动设计宽输入电压范围和优化 PCB 布局
简介
一种具有30 V至140 V宽输入范围的电机驱动逆变器参考设计适用于80 V、110 V及以上电池系统。应用示例包括工业自动化系统、农业机械以及物料搬运设备(如叉车)。本文将讨论这些系统的现成参考设计的设计,重点是开发的 PCB 布局以优化所使用的 GaN FET 的性能。
150 V 额定电机驱动参考设计
EPC91200 是一款 150 V 额定的全配置电机驱动逆变器板,兼容 30 V 至 140 V 的直流母线电压。该设计采用了 EPC2305,一种150 V额定的 GaN FET,其典型导通电阻为2.2 mΩ。该参考设计板旨在直接应用于使用80 V至110 V电池的各种应用。板的原理图如图1所示。
图1:EPC91200的框图
EPC2305 与 EPC 所有 QFN 离散 FET 脚位兼容,因此也可以用于 EPC2302 和 EPC2304,分别额定为 100 V 和 200 V,或者低 RDS(on) 版本的 EPC2306、EPC2308、EPC2307,分别额定为 100 V、150 V 和 200 V。如果使用了不同电压额定的 FET,仅需修改测量直流母线和相电压的分压器以优化测量范围。
设计特点
图2分别展示了 EPC91200 的顶部和底部的主要特点。
图2:EPC91200板的顶部
相电流通过 ACS37003系列的电流检测IC测量。这些元件的低内部电阻(265 µΩ)有助于降低板上的发热并将逆变器的损耗降到最低。目前,该系列仅包括与3.3 V电源兼容的设备,而3.3 V也是控制EPC电机驱动板的微控制器的电源电压。然而,EPC91200也可以组装成使用同系列的5 V电流检测IC,因为板上有一个信号调节电路,将信号从5 V范围转换为3.3 V范围。
一个全双向过流保护电路由任何一个相电流触发,以防止意外故障。正向和负向过流阈值可以通过电阻调整,过流信号的时间常数由连接到栅极驱动器关闭信号的RC滤波器设置。
5 V电源通过使用 LNK306 的电路生成,适用于 30 V 至 150 V 的直流电压范围。直流连接电容器为100 V陶瓷电容器,堆叠使用以达到150 V能力。今天使用两个100 V额定的堆叠电容器比使用200 V额定的电容器在等效电容面积方面有更好的权衡。
EPC91200 兼容所有 EPC 的控制器卡,这些控制器卡可以与包括 ST 微电子、德州仪器、Microchip 和 Renesas 在内的多个厂商的微控制器板接口。针对所有这些控制器的磁场定向控制(FOC)固件可用,板上的 J80 接口使其能够连接霍尔传感器或增量编码器。
PCB 布局方法
EPC91200 的 PCB 布局已优化,重点是输入直流连接器和相连接器之间的直流电阻,因为在电机驱动应用中,导通电阻和PCB电阻对整体损耗有重要影响。
用于将逆变器连接到电机的 Würth Redcube 压入式相连接器提供了优良的欧姆接触。连接器的公版本被用于板上,只需螺栓和垫圈即可将板连接到电机电缆上。
此外,板的叠层(如图3所示)已被优化以保持较厚的铜层紧挨着顶层:前两个内层为4盎司(140 µm)厚,这使得大部分直流电流和热量能够扩散。两个中央层被用于布线大部分模拟和数字信号。其余的层是前三层的镜像以保持对称性。
此外,已使用与PCB编辑器集成的有限元分析工具分析了电流密度分布和直流迹线电阻,以验证在GaN FET下面使用较厚铜层的效果。
图3:EPC91200的叠层
与直流-直流 GaN 应用不同,这些应用需要在 GaN FET 的同一侧放置高频环路去耦电容器,并在另一侧放置额外的中频电容器,因为开关节点的快速转换。电机驱动逆变器的转换速度较慢。因此,可以减少去耦电容器的数量并将其重新定位到 PCB 的另一侧。这一调整为 FET 侧的铜平面留出了更多空间,有助于散热并最小化铜电阻。
结论
总之,EPC91200 电机驱动逆变器参考设计为各种应用提供了多功能解决方案,包括使用如 80 V 和 110 V 电池系统的应用。该板是一款通用电机驱动逆变器,既可与磁场定向控制技术一起使用,也可与传感器连接,并在每条支路上提供双向过流保护,且可以调整阈值。通过有限元分析工具验证了 PCB 布局的优化以最小化 PCB 的直流电阻损耗。
通过利用 GaN FET 技术的优势和 PCB 设计的考量,EPC91200 展示了在各种电机驱动应用中的效率、可靠性和适应性。凭借其宽输入电压范围和布局优化,EPC91200 为设计高性能电机驱动系统的工程师提供了现成的解决方案。
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