GaN技术杂谈

脉冲激光雷达系统通常使用 905 nm 或 1550 nm 激光进行光发射。1400 nm 以上时，眼睛的各种元素会吸收光线，阻止其到达并损害视网膜。随着激光功率的增加，并非所有光线都被吸收，在某些情况下可能会发生视网膜损伤。由于 905 nm 的光不会被吸收，因此它会到达视网膜，因此必须小心限制能量密度以防止损伤。

无刷直流（BLDC）电机在机器人、电子移动设备和无人机中越来越受欢迎，并且应用越来越广泛。这些应用有一些特殊的要求，比如重量轻、体积小、低转矩波动、低噪音以及极高的精度控制。为了满足这些需求，驱动电机的逆变器需要以更高的频率运行，但这需要先进的技术来减少由此产生的更高功率损耗。增强型氮化镓（eGaN®）晶体管和集成电路能够在很高的频率下运行，而不会产生显著的损耗。

GaN FET的开关速度比Si MOSFET快得多，导致许多系统设计师会问 − 更快的开关速度如何影响EMI？

亲爱的EPC的朋友、同事和合作伙伴：

本文最初由Dr. John Glaser & Dr. David Reusch于2016年6月13日在Power Systems Design网站上发布。

硅已经存在很久了。是时候让一个更年轻且更适合的挑战者接管半导体材料的主导地位了。

随着电机技术的进步，功率密度增加；电机设计成更小的外形尺寸和更高的速度、更高的精度，这需要更高的电频率。

本文最初由M. Di Paolo Emilio发表在Power Electronic News网站上。

基于eGaN® FET的电力转换系统相比于基于硅的替代品，提供了更高的效率、更高的功率密度和更低的总体系统成本。这些优势特性促成了不断增加的功率电子组件生态系统，如门驱动器、控制器和被动组件，这些组件专门用于增强eGaN FET的性能。图1展示了一些eGaN FET的例子。

计算和电信市场的快速扩展要求中间总线转换器的解决方案越来越紧凑、高效和高功率密度。LLC谐振转换器是提供高功率密度和高效解决方案的优秀候选者。eGaN® FETs 以其超低导通电阻和寄生电容，通过显著降低损耗，受益于LLC谐振转换器，这是使用Si MOSFET时面临的挑战。展示了一种48V到6V、900W、1MHz的LLC DC到DC变压器（DCX）转换器，采用了如EPC2053 和 EPC2023等eGaN FET，峰值效率达98.1%，比功率为48W/cm2 (308 W/in2)，功率密度为69W/cm3 (1133 W/in3)。