增长中的eGaN FET功率转换生态系统
技术分享GaN技术杂谈 – Rick Pierson
5月 18, 2019
序言
基于eGaN® FET的电力转换系统相比于基于硅的替代品,提供了更高的效率、更高的功率密度和更低的总体系统成本。这些优势特性促成了不断增加的功率电子组件生态系统,如门驱动器、控制器和被动组件,这些组件专门用于增强eGaN FET的性能。图1展示了一些eGaN FET的例子。
图1:eGaN FET的例子,电阻范围从7 mΩ到120 mΩ,电压范围从100 V到350 V
eGaN FET生态系统概述
eGaN FET生态系统可以分为三个主要类别:1) 门驱动器,2) 控制器和3) 被动组件。一个典型的同步降压转换器,如图2所示,突出了这些各种组件。这些组件的要求由eGaN FET的特性驱动,如小占位面积、快速开关、严格的栅极电压要求和高频能力。
图2:典型的基于eGaN FET的同步降压转换器电路图,突出了eGaN FET生态系统中的关键组件
eGaN FET的门驱动器
门驱动IC对于最大化eGaN FET的开关速度能力至关重要。为了与eGaN FET兼容,门驱动器必须具备适用于5 V驱动的UVLO、低上拉和下拉电阻、小占位面积,并具备足够的共模瞬态抗扰度(CMTI)以承受高dv/dt。一些eGaN兼容驱动器的其他有益特性包括集成的电压调节器、升压管理和非常窄的脉宽能力。表1显示了一些适用于eGaN FET的低侧门驱动器的例子,表2显示了半桥门驱动器的例子。
| 德州仪器 |
LM5114 |
否 |
通用 |
联系EPC |
| 德州仪器 |
UCC27611 |
是 |
适用于带有数字隔离器的半桥 |
EPC9081 |
| 德州仪器 |
LMG1020 |
否 |
超快,1 ns脉宽 |
联系EPC |
| uPI |
uP1964 |
是 |
集成可调驱动电压调节器 |
— |
| IXYS |
IXD_604 |
否 |
双驱动器,适用于大FET |
— |
表1:兼容eGaN FET的低侧门驱动器
| 德州仪器 |
LM5113-Q1(NRND)*‡ |
100 |
是 |
Lo & Hi |
50 |
EPC9078 |
| 德州仪器 |
LMG1205*‡ |
100 |
是 |
Lo & Hi |
50 |
EPC9078 |
| uPI |
uP1966A*‡ |
80 |
是 |
Lo & Hi |
— |
EPC9078 |
| uPI |
uP1966B* |
80 |
是 |
PWM |
— |
— |
| pSemi |
PE29101 |
100 |
是 |
PWM |
— |
联系EPC |
| pSemi |
PE29102 |
100 |
否 |
PWM |
— |
EPC9204 |
| 德州仪器 |
LMG1210 |
200 |
是 |
PWM |
300 |
联系EPC |
| Silicon Labs |
Si8274GB1-IM |
630 |
否 |
PWM |
200 |
联系EPC |
| Silicon Labs |
Si8275GB-IM |
630 |
否 |
Lo & Hi |
200 |
联系EPC |
| Analog Devices |
ADuM4120ARIZ |
1092 V |
否 |
Lo or Hi |
150 |
— |
| Analog Devices |
ADuM4121ARIZ |
1118 V |
否 |
Lo or Hi |
150 |
— |
| * 占位面积兼容 ‡ 引脚兼容 |
表2:兼容eGaN FET的半桥门驱动器
对于没有单一IC解决方案的高压设计,可以将低侧门驱动器与具有高CMTI的高压信号隔离器结合使用。
eGaN FET的控制器
随着eGaN FET推动转换器向更高频率发展,控制器需要在MHz范围内运行,并具有更高的控制带宽和更紧的高频转换器调节。许多控制器还集成了门驱动阶段,必须满足前面提到的门驱动器要求。表3和表4显示了适用于同步整流和同步降压转换器应用的eGaN FET兼容控制器。
| NXP |
TEA1993TS |
是 |
65 ns / 40 ns |
120 |
38 |
| NXP |
TEA1995T |
是(双) |
80 ns / 40 ns |
100 |
38 |
| NXP |
TEA1998TS |
是 |
40 ns / 40 ns |
60 |
10.5 |
| ON-Semi |
NCP4305A |
是 |
35 ns / 12 ns |
200 |
35 |
| ON-Semi |
NCP4308A |
是 |
40 ns / 20 ns |
150 |
35 |
表3:适用于同步整流的eGaN FET兼容控制器
| Analog Devices |
LTC7800 |
是 |
320 kHz - 2.25 MHz |
98% |
60 |
| Microchip |
MIC2127A |
是 |
270 kHz - 800 kHz |
85% |
75 |
| Microchip |
MIC2103/4 |
是 |
200 kHz - 600 kHz |
85% |
75 |
| 德州仪器 |
LM5140-Q1 |
是 |
440 kHz / 2.2 MHz |
95.6% / 78% |
65 |
| 德州仪器 |
TPS40400 |
是 |
200 kHz - 2 MHz |
95% / 75% |
20 |
| 德州仪器 |
TPS53632G |
否 |
300 kHz - 1 MHz |
— |
5 |
| Renesas |
ISL8117A |
是 |
100 kHz - 2 MHz |
— |
60 |
表4:适用于同步降压转换器的eGaN FET兼容控制器
数字控制器在许多eGaN FET应用中也很有用,如多相和多级架构。合适的例子包括Microchip的PIC系列和TI的Delfino和Piccolo系列。
eGaN FET的被动组件
基于eGaN FET的转换器的更高工作频率需要针对更高频率优化的被动组件。
eGaN FET转换器性能的关键指标是功率密度和效率,这包括输入和输出滤波器。重要的电感选择参数包括低串联电阻(ESR)以最小化导通损耗、低磁芯损耗和低寄生电容。Vishay的IHLP系列非常适合满足这些标准。
适用于旁路/去耦的陶瓷电容选择可从多个供应商处获得,其中X7R或X7S的温度系数在最高功率密度下提供了优异的结果。
结论
随着eGaN FET不断渗透到应用设计中,支持eGaN FET实现卓越性能的配套组件生态系统也将不断增长。如今,这个生态系统不再是GaN设计的限制因素,设计师们有越来越多的门驱动器、控制器和被动组件选项可供选择。