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增长中的eGaN FET功率转换生态系统

增长中的eGaN FET功率转换生态系统

5月 18, 2019

序言

基于eGaN® FET的电力转换系统相比于基于硅的替代品,提供了更高的效率、更高的功率密度和更低的总体系统成本。这些优势特性促成了不断增加的功率电子组件生态系统,如门驱动器、控制器和被动组件,这些组件专门用于增强eGaN FET的性能。图1展示了一些eGaN FET的例子。

Examples of eGaN FETs
图1:eGaN FET的例子,电阻范围从7 mΩ到120 mΩ,电压范围从100 V到350 V

eGaN FET生态系统概述

eGaN FET生态系统可以分为三个主要类别:1) 门驱动器,2) 控制器和3) 被动组件。一个典型的同步降压转换器,如图2所示,突出了这些各种组件。这些组件的要求由eGaN FET的特性驱动,如小占位面积、快速开关、严格的栅极电压要求和高频能力。

Circuit schematic of a typical synchronous eGaN FET based Buck converter
图2:典型的基于eGaN FET的同步降压转换器电路图,突出了eGaN FET生态系统中的关键组件

eGaN FET的门驱动器

门驱动IC对于最大化eGaN FET的开关速度能力至关重要。为了与eGaN FET兼容,门驱动器必须具备适用于5 V驱动的UVLO、低上拉和下拉电阻、小占位面积,并具备足够的共模瞬态抗扰度(CMTI)以承受高dv/dt。一些eGaN兼容驱动器的其他有益特性包括集成的电压调节器、升压管理和非常窄的脉宽能力。表1显示了一些适用于eGaN FET的低侧门驱动器的例子,表2显示了半桥门驱动器的例子。

制造商 型号 包含LDO 关键特性 应用示例
德州仪器 LM5114 通用 联系EPC
德州仪器 UCC27611 适用于带有数字隔离器的半桥 EPC9081
德州仪器 LMG1020 超快,1 ns脉宽 联系EPC
uPI uP1964 集成可调驱动电压调节器
IXYS IXD_604 双驱动器,适用于大FET
表1:兼容eGaN FET的低侧门驱动器
制造商 型号 工作电压(V) 升压管理 输入 CMTI(V/ns) 应用示例
德州仪器 LM5113-Q1(NRND)*‡ 100 Lo & Hi 50 EPC9078
德州仪器 LMG1205*‡ 100 Lo & Hi 50 EPC9078
uPI uP1966A*‡ 80 Lo & Hi EPC9078
uPI uP1966B* 80 PWM
pSemi PE29101 100 PWM 联系EPC
pSemi PE29102 100 PWM EPC9204
德州仪器 LMG1210 200 PWM 300 联系EPC
Silicon Labs Si8274GB1-IM 630 PWM 200 联系EPC
Silicon Labs Si8275GB-IM 630 Lo & Hi 200 联系EPC
Analog Devices ADuM4120ARIZ 1092 V Lo or Hi 150
Analog Devices ADuM4121ARIZ 1118 V Lo or Hi 150
* 占位面积兼容 ‡ 引脚兼容
表2:兼容eGaN FET的半桥门驱动器

对于没有单一IC解决方案的高压设计,可以将低侧门驱动器与具有高CMTI的高压信号隔离器结合使用。

eGaN FET的控制器

随着eGaN FET推动转换器向更高频率发展,控制器需要在MHz范围内运行,并具有更高的控制带宽和更紧的高频转换器调节。许多控制器还集成了门驱动阶段,必须满足前面提到的门驱动器要求。表3和表4显示了适用于同步整流和同步降压转换器应用的eGaN FET兼容控制器。

制造商 型号 包含门驱动器 激活/停用时间 FET电压(V) 直流电压(V)
NXP TEA1993TS 65 ns / 40 ns 120 38
NXP TEA1995T 是(双) 80 ns / 40 ns 100 38
NXP TEA1998TS 40 ns / 40 ns 60 10.5
ON-Semi NCP4305A 35 ns / 12 ns 200 35
ON-Semi NCP4308A 40 ns / 20 ns 150 35
表3:适用于同步整流的eGaN FET兼容控制器
制造商 型号 包含门驱动器 工作频率 最大占空比 工作电压(V)
Analog Devices LTC7800 320 kHz - 2.25 MHz 98% 60
Microchip MIC2127A 270 kHz - 800 kHz 85% 75
Microchip MIC2103/4 200 kHz - 600 kHz 85% 75
德州仪器 LM5140-Q1 440 kHz / 2.2 MHz 95.6% / 78% 65
德州仪器 TPS40400 200 kHz - 2 MHz 95% / 75% 20
德州仪器 TPS53632G 300 kHz - 1 MHz 5
Renesas ISL8117A 100 kHz - 2 MHz 60
表4:适用于同步降压转换器的eGaN FET兼容控制器

数字控制器在许多eGaN FET应用中也很有用,如多相和多级架构。合适的例子包括Microchip的PIC系列和TI的Delfino和Piccolo系列。

eGaN FET的被动组件

基于eGaN FET的转换器的更高工作频率需要针对更高频率优化的被动组件。

eGaN FET转换器性能的关键指标是功率密度和效率,这包括输入和输出滤波器。重要的电感选择参数包括低串联电阻(ESR)以最小化导通损耗、低磁芯损耗和低寄生电容。Vishay的IHLP系列非常适合满足这些标准。

适用于旁路/去耦的陶瓷电容选择可从多个供应商处获得,其中X7R或X7S的温度系数在最高功率密度下提供了优异的结果。

结论

随着eGaN FET不断渗透到应用设计中,支持eGaN FET实现卓越性能的配套组件生态系统也将不断增长。如今,这个生态系统不再是GaN设计的限制因素,设计师们有越来越多的门驱动器、控制器和被动组件选项可供选择。

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