GaN技术杂谈

48 V 正在被许多应用采用，包括 AI 系统、数据中心和轻度混合动力电动车。然而，传统的 12 V 生态系统仍然占主导地位，因此需要高功率密度的 12 V 转 48 V 升压转换器。eGaN® FET 的快速开关速度和低 RDS(on) 可以帮助解决这个问题。 本文评估了一种使用由瑞萨的 ISL81807 控制器 IC 直接驱动的 eGaN FET 的 12 V 转 48 V、500 W DC-DC 功率模块的设计，该模块采用简单且低成本的同步升压拓扑。

现代显示器，如笔记本电脑和PC显示器，通常需要低功率升压转换器。在这种应用中，屏幕亮度从低到中等，转换器大部分时间在轻负载下运行，因此轻负载效率非常重要。eGaN FET的低开关损耗可以帮助解决这个问题。本次GaN Talk将探讨使用eGaN FET的简单低成本同步升压拓扑设计一个12V到60V、50W的DC/DC电源模块，具有低温升特性。

本篇GaN Talk博客讨论了使用基于GaN的逆变器替代硅基逆变器在电机驱动设计中的优势，这些优势包括运行更平滑，同时减小体积和重量。这些优势对于典型应用中的电机驱动至关重要，例如仓储与物流机器人、伺服驱动、电动自行车和电动滑板车、协作和低电压机器人及医疗机器人、工业无人机和汽车电机。

EPC开发板提供了在常见应用中评估eGaN® FET和IC的机会。例如，EPC9094半桥开发板可以配置为降压或升压转换器。EPC9094的特点是新发布的EPC2054 200 V 43 mOhm最大eGaN FET，封装为1.3 x 1.3 mm的2 x 2引脚WLCSP封装。这种非常小的FET的超低RDS(on)值使其能够支持高压电源的高电流负载。为了展示这一能力，我们将把EPC9094开发板修改为降压转换器。使用140 V电源，Spice模拟显示2.5 A负载下，输出为28 V，效率高达90%。选择了Vishay IHLP-4040DZET330M11电感，33 uH，4.4 A，95 mOhm最大值，10.2 x 10.8 x 4 mm，它将在500 kHz时提供40%的纹波。输出电容包括四个10 uF Y5V 50V 1210陶瓷电容。模拟显示在500 kHz到375 kHz之间改变开关频率时，纹波电流与整体效率之间存在权衡。模拟还显示，调整死区时间以允许从高到低的全ZVS过渡最大化了降压转换器在轻载下的效率性能。

直到最近，从音频放大器获得高质量声音需要花费数千美元，并且依赖于大型、笨重、耗电的A类放大器。现在，氮化镓FET和IC的出现正在引领高质量、低成本的D类音频放大器的时代。

氮化镓（GaN）专题博客：Pavel Gurev，Sinftech Rus LLC

脉冲激光雷达系统通常使用 905 nm 或 1550 nm 激光进行光发射。1400 nm 以上时，眼睛的各种元素会吸收光线，阻止其到达并损害视网膜。随着激光功率的增加，并非所有光线都被吸收，在某些情况下可能会发生视网膜损伤。由于 905 nm 的光不会被吸收，因此它会到达视网膜，因此必须小心限制能量密度以防止损伤。

基于氮化镓（GaN）的解决方案结合数字控制和高性能磁性材料，可以提高效率，缩小尺寸，并降低高密度计算应用（如超薄笔记本电脑和高端游戏系统）的系统成本。

由Steve Colino共同撰写

电力电子工程师不断努力设计更高效率和更高功率密度的产品，同时保持高可靠性并尽量降低成本。设计技术的进步和改进的元件技术使工程师能够持续实现这些目标。电力半导体是这些设计的核心，其改进对于更好的性能至关重要。在这篇EPC空间博客中，我们将展示氮化镓（GaN）电力半导体如何在太空应用的恶劣辐射环境中实现创新。